Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат українською: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ / сторінка 5

Назва:
тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,80 KB
Завантажень:
106
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 
, Чікаго, Іллінойс, США) та ASC’94 (16-21 жовтня 1994 р., Бостон, Массачусетс, США); Міжнародних конференціях з фізики низьких температур - LT-20 (4-11 серпня 1993 р., Юджин, Орегон, США), LT-21 (8-14 серпня 1996 р., Прага, Чехія), та LT-22 (4-11 серпня 1999 р., Еспоо-Хельсинки, Фінляндія); 4-7-й Міжнародних конференціях з надпровідникової електроніки - ISEC'93 (11-14 серпня 1993 р., Боулдер, Колорадо, СШA), ISEC'95 (18-21 вересня 1995 р., Нагойя, Японія), ISEC'97 (25-28 червня 1997 р., Берлін, Німеччина), ISEC'99 (21-25 червня 1999 р., Берклі, Каліфорнія, СШA); 8-й Міжнародній конференції з інфрачервоних та міліметрових хвиль (6-10 вересня 1993 р., Колчестер, Великобританія); Симпозіумі зі слабкої надпровідності WSS’94 (6-10 червня 1994 р., Смоленіце, Словаччина); Міжнародному симпозіумі з оптоелектроніки та мікрохвильової техніки OE/LaSE'94 (22-28 січня 1994 р., Лос Анжелес, Каліфорнія, США); VIII Трьохсторонньому німецько-російсько-українському семінарі з високотемпературної надпровідності (6-10 вересня 1995 р., Львів); 5-му Міжнародному семінарі з високотемпературних надпровідникових електронних пристроїв HTSED’97 (28-30 травня 1997 р., Мацуяма, Японія); Європейських конференціях із прикладної надпровідності - EUCAS’95 (3-6 липня 1995 р., Единбург, Великобританія), EUCAS’97 (30 червня-3 липня 1997 р., Ейндховен, Голландія), EUCAS’99 (14-17 вересня 1999 р., Сітгес, Іспанія); Зборах Американського фізичного товариства (Міннеаполіс, 20-24 березня 2000 р.); Міжнародному симпозіумі з оптичної науки, техніки та інструментів (43-і річні збори SPIE, 19-24 липня 1998 р., Сан Дієго, Каліфорнія, США); 14-му щорічному Міжнародному симпозіумі SPIE “AeroSense” (24-28 квітня 2000 р., Орландо, Каліфорнія, США); Міжнародній конференції “Електронний перенос в мезоскопічних системах” (12-15 серпня 1999 р., Гетеборг, Швеція).
Крім того, за темою дисертації були зроблені доповіді в Кембриджському університеті (Великобританія), Дослідному центрі м. Юліх (Німеччина), Університеті м. Твенте (Голландія), Інституті високих технологій м. Йена (Німеччина), Електротехнічній лабораторії м. Цукуба та в Університеті м. Сендаї (Японія), в університеті Northwestern (м. Еванстон, США).
Публікації. Результати дисертаційної роботи опубліковані в 31 друкованій праці.
Структура та об'єм дисертації. Дисертація містить вступ, сім розділів, висновки та список цитованих джерел з 277 назв. Повний обсяг дисертації складає 338 сторінок, включаючи 116 рисунків та 1 таблицю (обсяг ілюстрацій, що повністю займають сторінку, складає 20 ст.).
Основний змІст
У вступі коротко охарактеризовано стан наукової проблеми, обгрунтовано актуальність вибору теми, сформульовано мету роботи, подано основні отримані результати.
В першому розділі розглянуто статичні властивості пристроїв, що складаються із вертикально інтегрованих джозефсонівських тунельних переходів Nb/(Al-AlOx-Nb)n. Увага зосереджується на обговоренні ефекту “захоплення” критичних струмів джозефсонівських переходів, експериментально виявленого автором [A3] для пристроїв, в яких товщина внутрішніх надпровідних шарів d<l - лондонівської глибини проникнення магнітного поля. Зокрема, було вперше досліджено трьохвивідні пристрої (рис. 1) для випадку n=2 та d<<l, так що d~x - довжини когерентності надпровідного шару (що означає сильний зв’язок між джозефсонівськими переходами) [A7]. Було виявлено, що критичний струм Джозефсона всього пристрою може значно перевищувати критичний струм індивідуальних переходів, виміряних окремо (рис. 2); це справедливо як у випадку приблизної рівності густин критичного струму для переходів, так і в випадку, коли вони відрізняються на десятки процентів. Розрахунки, проведені нами в моделі ідуктивного зв’язку між переходами, показують, що цей ефект може бути пояснений різними величинами джозефсонівської глибини проникнення, що працює в двох випадках: при пропусканні струму окремо через один із переходів, зародження джозефсонівського вихора на краю переходу відбувається на довжині порядку
,
де jc -густина джозефсонівського струму (взята для простоти однаковою для обох переходів), di, lі - товщина та лондонівська глибина для і-го надпровідного шару (малою товщиною ізолятора тут знехтувано).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок