Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати безкоштовно: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ / сторінка 7

Назва:
тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,80 KB
Завантажень:
106
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 

Хоча когерентна мода, в принципі, має бути стійкішою симетричної, і отже, такою, що легше спостерігається в експерименті, навіть вона була мало вивченою на момент початку наших досліджень. Ми провели експериментальне дослідження - моди на стеках Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Al/Nb, що складаються із сильнозв’язаних високоякісних тунельних переходів з майже ідентичними густинами критичного струму [A18,A21].
В умовах просторового резонансу всередині переходу між його краями, різні моди проявляються у вигляді сімейств майже вертикальних східців на вольт-амперній характеристиці (ВАХ). Якщо зовнішнє магнітне поле рівне нулю, але в переході захоплено один або кілька квантів магнітного потоку (F0=2,07Ч10-15 Вб), то їх рух вздовж переходу і відбиття на краях приводить до резонансу і появи на ВАХ східців нульового поля (СНП, або ZFS). В наших експериментах на двохбар’єрних переходах Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Al/Nb з малою товщиною середнього шару Nb/Al чітко спостерігались СНП, що відповідають - моді; вперше було досліджено їх поведінку в магнітному полі та проведено порівняння визначеного із експериментальних даних співвідношення величин та з обчисленим за теорією [20]. Отримані значення та дозволили визначити також параметр ідуктивного зв’язку S, який для наших переходів виявився близьким до одиниці: |S|»0,95, що означає дуже сильний індуктивний зв’язок. Для переходів з меншою прозорістю тунельних бар’єрів (jc»420 А/см2), залежність СНП від магнітного поля якісно узгоджується з теоретичною, проте для переходів з більшою прозорістю (jc»1 кA/cм2) була виявлена якісна відмінність (рис. 5). На цьому рисунку показані польові залежності для критичного струму Джозефсона при V=0, для першої та другої СНП (Ic, I1 та I2, відповідно). Відхилення від теорії полягає, зокрема, в тому, що пік в залежності I1(H) загострений поблизу H=0; більше того, на залежності I2(H) в цій же області знаходиться мінімум (в той час як в обох випадках повинен бути плавний максимум).
Таким чином, для сильнозв’язаних переходів виявлена поведінка, що відхиляється від передбачень теорії індуктивного зв’язку.
Нами були вперше досліджені резонансні моди в несиметричних переходах SISISў (Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Ta/Nb) [A16]. На підставі проведеного теоретичного аналізу та експериментів показано, що коли критична температура електроду Sў значно менша ніж в S, то в такій системі симетрична мода може мати швидкість <<~, тобто бути значно сповільненою порівняно із швидкістю Свіхарта ізольованого переходу SIS.
Для подвійних переходів Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Nb в динамічному стані, що характеризується течією потоку, було виявлено, що в певних інтервалах струмів зміщення (поперек всього зразка) напруги на окремих переходах співпадають, причому тенденція до вирівнювання напруг приводить до появи негативних ділянок ВАХ. Такі стани стійкі і відтворювані. Використання в експерименті трьохвивідного пристрою дозволило прямо виміряти напруги на окремих переходах, на відміну від паралельно проведених експериментів [41,42] на стеках із двох переходів без контакту до середнього шару. Таким чином, наш експеримент [A28] був, імовірно, першим, в якому прямо спостерігалось явище синхронізації фаз двох переходів в двохбар’єрній системі.
В розділі 3 представлено результати експериментального дослідження [A6,A19,A26,A27] взаємодії багатобар’єрних систем із зовнішнім мікрохвильовим полем. Опромінювались зразки, що складаються із двох, трьох та шести переходів. Головним результатом було спостереження
Рис. 5. Польові залежності максимального джозефсонівського струму при V=0, Ic (чорні кружки), максимального струму I1 для СНП1 (відкриті кружки), та максимального I2 для СНП2 (трикутники). Розміри двохвивідного пристрою в плані складали 40 мкм ґ12 мкм.
дробних східців Шапіро на двохбар’єрних пристроях (рис. 6). Не дивлячись на те, що в тунельних переходах, внаслідок нелінійності квазічастинної провідності, дробні східці повинні виникати навіть при нульовій ємності переходу [43], наскільки нам відомо, до цих пір в літературі не повідомлялось про спостереження дробних східців Шапіро на високоякісних тунельних переходах.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок