Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Безкоштовно реферат скачати: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ / сторінка 9

Назва:
тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,80 KB
Завантажень:
106
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 
Тому було зроблено висновок, що складну багатобар’єрну структуру з надпровідними шарами товщиною порядку довжини вільного пробігу не можна розглядати як просте послідовне сполучення окремих переходів.
Розділ 5 присвячено вивченню когерентного електропереносу в двохбар’єрних тунельних системах.
На даний час вже досить усталеною є думка, що андріївські зв’язані стани (AЗС) відповідальні за перенесення надпровідного струму через SNS-структуру [46,47]. Проте донедавна вважалось, що андріївське відбивання не є важливим в конфігураціях, що містять SIN (NIS) границі з ізолятором I.
Більше того, навіть для пристроїв SINIS-типу з відносно високою прозорістю тунельних бар’єрів вважалось, що ефекти квантової когерентності важливі лише при дуже малих напругах, в той час як при скінченних напругах енергія руйнує фазову когерентність, так що транспорт може розглядатись як двохступінчате некогерентне тунелювання [48].
В дисертаційній роботі вперше показано, що структури SINIS (SISўIS) з домінуючим тунельним механізмом провідності та діелектричними бар’єрами також можуть проявляти мезоскопічні властивості, в тому смислі, що при електропереносі через подвійний бар’єр фаза надпровідних електронів зберігається на відстані, більшій, ніж товщина бар’єрного шару INI (ISIў). Таке когерентне тунелювання проявляється в ряді особливостей, що спостерігались на характеристиках переходів в експерименті.
Зокрема, було проведено порівняльне дослідження характеристик двохвивідних пристроїв Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Nb та Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Ta/Nb, виготовлених в одному вакуумному циклі [A17,A22]. Пристрої мали форму квадратів в плані з розміром 9ґ9 mм2 та майже однакову для обох переходів прозорість тунельних бар’єрів. Товщина середнього шару Nb/Al була 9 нм, товщина плівки Ta - 40 нм. Призначення плівки Та в пристроях другого типу було запобігти можливому протіканню компоненти надпровідного струму, пов’язаної із встановленням фазової когерентносі безпосередньо між крайніми Nb електродами. В разі, якщо така компонента незначна, ми не повинні спостерігати різниці в величині критичного струму для пристрою Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Nb та для нижнього переходу Nb/Al-AlOx-Nb/Al пристрою Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Ta/Nb. Проте експеримент показав, що така різниця існує; в першому випадку величина критичного струму Джозефсона на 20% більша, ніж в другому (див. рис. 9). Тому можна зробити висновок про наявність в системі Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Nb компонети джозефсонівського струму, обумовленої кореляцією фаз між зовнішніми надпровідними електродами (що узгоджується з висновками розділу 1).
Аналогічнй висновок був зроблений нами і для пристроїв Nb/Al-AlOx-Al-AlOx-Nb з товщиною середнього шару Al dAl=7 нм, які проявили аномально високе значення Ic при низьких температурах (див. рис. 10). Безпосередній аналіз із застосуванням формули Амбегаокара-Баратова для
Рис. 9. ВАХ послідовних масивів, кожний із семи двохбар’єрних пристроїв, Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Nb (крива 1) та Nb/Al-AlOx-Nb/Al-AlOx-Ta/Nb (крива 2).
Рис. 10. ВАХ переходу Nb/Al-AlOx-Al-AlOx-Nb з dAl=7 нм при T=4,2 (a) та 1,80 K (b). Площа переходу 10 мкм ґ 10 мкм.
критичного струму та врахуванням параметрів конкретних переходів показав [A23], що при Т=1,8 К експерименальне значення Іс=2,38 мА значно перевищує теоретично можливе значення Іс=1,70 мА, якщо розглядати пристрій як просте послідовне сполучення переходів Nb/Al-AlOx-Al та Al-AlOx-Nb.
На рис. 10 звертає на себе увагу також нова субщільова структура ВАХ (позначена стрілками 1 і 2), яка спостерігалась при низьких температурах. Форма цієї структури виявилась дуже чутливою до параметрів переходів, таких як прозорість бар’єрів, товщина та чистота середньої плівки Al.
На вставці рис. 11 показано початкову ділянку ВАХ схожого пристрою з dAl=14 нм; як і в попередньому випадку, плівка Аl була злегка забруднена киснем під час її нанесення. Для цього пристрою, струм Джозефсона навіть при низькій температурі (T = 1,8 K) настільки малий, що не розділяється застосованою при вимірюванні апаратурою.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок