Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs

Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs

Назва:
Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,91 KB
Завантажень:
237
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Національний університет “Львівська політехніка”
 
Мрихін Ігор Олександрович
УДК. 621.315.592
Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs
05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво
електронної техніки
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Львів-2006
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі напівпровідникової електроніки Національного університету “Львівська політехніка”.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Заячук Дмитро Михайлович,
Національний університет “Львівська політехніка”,
професор кафедри напівпровідникової електроніки
Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор,
лауреат державної премії України
Марончук Ігор Євгенович,
Херсонський національний технічний університет,
професор кафедри енергетики і електротехніки
доктор технічних наук, професор,
Ціж Богдан Романович,
Львівська державна академія ветеринарної медицини
ім. С.З. Гжицького
професор, завідувач кафедри загальнотехнічних дисциплін
Провідна установа: Чернівецький національний університет
ім. Ю. Федьковича
Міністерство освіти України
Захист дисертації відбудеться “____” _квітня 2006 р. о_14 30_год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.052.12 при Національному університеті „Львівська політехніка” (79013, м. Львів, вул. Ст. Бандери,12).
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Національного університету “Львівська політехніка” (79013, м. Львів, вул. Професорська, 1).
Автореферат розісланий “____” березня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 35.052.12 _______________ Заячук Д.М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Метод рідиннофазної епітаксії (РФЕ) – це метод, який дав можливість відносно просто створити перші лазери на основі гетероструктур GaAs/AlGaAs. Протягом тривалого часу (до початку 90-х років) він використовувався в промисловому виробництві як основний метод отримання лазерних гетероструктур. З розвитком інших методів епітаксії, зокрема технології газофазної епітаксії з металоорганічних сполук (МОС-ГФЕ), які дозволяють нарощувати активні області лазерних гетероструктур з надґратками, вже ці методи почали займати чільне місце в промислових процесах для створення гетероструктур. Проте для лабораторних цілей далеко не завжди зручно використовувати метод МОС-ГФЕ через велику вартість матеріалів. З іншого боку, актуальність методу РФЕ і на сьогоднішній день постійно підтверджується появою публікацій, в яких демонструються його практичні можливості стосовно нарощування квантоворозмірних епітаксійних шарів та створення на їх основі лазерних структур, не гірших за своїми експлуатаційними параметрами за структури, отримані методами МОС-ГФЕ та молекулярно-променевою епітаксією (МПЕ).
Однією із основних проблем, яка виникає при застосуванні будь-якого методу епітаксії, є проблема неконтрольованих фонових домішок, які потрапляють у шари, що кристалізуються. Перевагою методу РФЕ у цьому відношенні є те, що він дозволяє використовувати досить широкий технологічний арсенал для вирішення даної проблеми, зокрема використовуючи гетеруючі властивості домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ). Важливо також, що, крім домішок РЗЕ, в РФЕ з метою впливу на дефектно-домішкову систему нарощуваних епітаксійних шарів можуть бути ефективно використані й інші домішки, зокрема домішки ізовалентних елементів.
Природно, що використання великої кількості домішок в процесі РФЕ вимагає вирішення наступної задачі, яка полягає в тому, щоб знайти оптимальне поєднання позитивних сторін методики РФЕ і дії домішок на властивості як розчинів-розплавів, так і структур, які з них кристалізуються – належним чином комбінуючи пари домішок РЗЕ з іншими елементами при впливі на кристалічні матриці, досягти якісно нового рівня контролю параметрів напівпровідникового матеріалу, створити епітаксійні шари і структури з принципово вищим рівнем експлуатаційних характеристик. Функціональна роль РЗ елементу, як компонента домішкової пари, повинна полягати, перш за все, в очистці шляхом гетерування на відстані напівпровідникової матриці, що кристалізується із спеціально легованого розчину-розплаву, головним чином зв’язуючи фонові домішки в цьому розчині-розплаві.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок