Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ТЕХНОЛОГІЯ ОДЕРЖАННЯ ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКИХ ПЛІВОК ХАЛЬКОПІРИТНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ І ПРОЗОРИХ ОКСИДІВ МЕТАЛІВ ДЛЯ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ

ТЕХНОЛОГІЯ ОДЕРЖАННЯ ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКИХ ПЛІВОК ХАЛЬКОПІРИТНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ І ПРОЗОРИХ ОКСИДІВ МЕТАЛІВ ДЛЯ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ

Назва:
ТЕХНОЛОГІЯ ОДЕРЖАННЯ ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКИХ ПЛІВОК ХАЛЬКОПІРИТНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ І ПРОЗОРИХ ОКСИДІВ МЕТАЛІВ ДЛЯ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,38 KB
Завантажень:
34
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича
БІЛІЧУК СЕРГІЙ ВАСИЛЬОВИЧ
УДК 621.315.592
ТЕХНОЛОГІЯ ОДЕРЖАННЯ
ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКИХ ПЛІВОК ХАЛЬКОПІРИТНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ
І ПРОЗОРИХ ОКСИДІВ МЕТАЛІВ ДЛЯ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ
(01.04.10. - фізика напівпровідників і діелектриків)
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2005
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі електроніки і енергетики Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України
 
Науковий керівник:
Офіційні опоненти:
Провідна організація: | доктор фізико-математичних наук, професор
Горлей Петро Миколайович,
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри електроніки і енергетики
доктор фізико-математичних наук, професор Махній Віктор Петрович,
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри оптоелектроніки
кандидат фізико-математичних наук, доцент,
Хрипунов Геннадій Семенович,
НТУ “Харківський політехнічний інститут”, доцент кафедри фізичного матеріало-знавства для електроніки і геліоенергетики
Одеський національний університет імені І.І. Мечнікова
Захист відбудеться 27 жовтня 2005 р. о 17.00 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (58012, м. Чернівці, вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий 23 вересня 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Вже майже половину століття фотоелектричне перетворення є основним засобом виробництва енергії в космосі і останнім часом знаходить усе ширше застосування на Землі. Традиційним матеріалом сонячної енергетики є монокристалічний кремній. Його широке використання для виготовлення різних напівпровідникових приладів зумовлено наявністю повного технологічного комплексу для промислового виготовлення моно-кристалів з контрольованими властивостями. Недоліком кремнієвих сонячних елементів є менша від оптимальної ширина забороненої зони (Eg) напівпровідника і температурна нестабільність фоточутливих структур на його основі. Більше того, використання надчистого кремнію із досконалою кристалічною структурою для наземних цілей не виправдано через його високу вартість. Тому важливою науково-практичною проблемою є пошук нових альтернативних до кремнію матеріалів сонячної енергетики, які були би позбавлені зазначених недоліків і характеризувалися простою технологією їх виготовлення. До числа останніх можна віднести трьохкомпонентні напівпро-від-никові сполуки типу AIBIІIC2VI з халько-пі-ритною структурою як у вигляді об’ємних кристалів, так і плівковому виконанні. Ефективність фото-перетворення, зокрема для гетероструктури CdS/CuInSe2, виготовленої співвипаровуванням Cu, In та Se, в умовах АМ1 сягає 17% [1], що є дуже важливим результатом з погляду можливості наземного застосування цих елементів. Перевагою твердих розчинів сполук Cu(In,Ga)Se2 є їх радіаційна стійкість, а також те, що ширина забороненої зони в них може змінюватися від 1,04 еВ до 1,68 еВ, у межах якої знаходиться оптимальна для фотоперетворення Eg=1,5 еВ величина. Перспективність практичного застосування халько-пірит-них напівпровідників ставить у розряд актуальних комплексне дослідження технологічних умов створення якісних полікристалічних тонких плівок СuІnSе2 (СIS), CuGaSe2 (CGS) і твердих розчинів СuІnхGа1_ хSе2 (СIGS) на їх основі, вивчення їх оптичних і електричних властивостей, а також створення на базі даних матеріалів лабораторних зразків фоточутливих структур.
Зауважимо, що ефективність роботи фотоперетворювача значно залежить від досконалості усіх шарів, з яких він складається, починаючи від заднього (тилового) контакту і закінчуючи фронтальним широкозонним вікном і переднім контактом.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ТЕХНОЛОГІЯ ОДЕРЖАННЯ ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКИХ ПЛІВОК ХАЛЬКОПІРИТНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ І ПРОЗОРИХ ОКСИДІВ МЕТАЛІВ ДЛЯ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок