Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕВОЛЮЦІЯ ФІЗИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКІВ АIIВVI ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ СИНГОНІЇ ПРИ ПЕРЕХОДІ ДО РОЗМІРІВ КВАНТОВИХ МАСШТАБІВ

ЕВОЛЮЦІЯ ФІЗИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКІВ АIIВVI ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ СИНГОНІЇ ПРИ ПЕРЕХОДІ ДО РОЗМІРІВ КВАНТОВИХ МАСШТАБІВ

Назва:
ЕВОЛЮЦІЯ ФІЗИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКІВ АIIВVI ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ СИНГОНІЇ ПРИ ПЕРЕХОДІ ДО РОЗМІРІВ КВАНТОВИХ МАСШТАБІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
32,72 KB
Завантажень:
216
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ІМЕНІ В.Є. ЛАШКАРЬОВА
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
КУНЕЦЬ ВОЛОДИМИР ПЕТРОВИЧ
УДК 535.34; 621.315.592
ЕВОЛЮЦІЯ ФІЗИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ
НАПІВПРОВІДНИКІВ АIIВVI ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ СИНГОНІЇ
ПРИ ПЕРЕХОДІ ДО РОЗМІРІВ КВАНТОВИХ МАСШТАБІВ
01.04.10 - фізика напівпровідників та діелектриків
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ –2004
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова
НАН України
Науковий консультант:
доктор фізико-математичних наук, професор, академік НАН України
Лисиця Михайло Павлович
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,
головний науковий співробітник
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАН України
Сизов Федір Федорович,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,
завідувач відділу;
доктор фізико-математичних наук, професор
Покутній Сергій Іванович,
Іллічівський навчально-науковий центр при Одеському національному
університеті імені І.І. Мечникова, директор;
доктор фізико-математичних наук, професор Берченко Микола Миколайович,
Національний технічний університет “Львівська політехніка”, професор
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, відділ нелінійної оптики, м. Київ
Захист відбудеться “28” травня 2004 р. о 1415 годині на засіданні спеціалі-зо-ва-ної вченої ради Д 26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників
імені В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: Київ 03028, проспект Науки, 41.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: Київ 03028, проспект Науки, 41.
Автореферат розісланий “_27_” квітня 2004 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор Іщенко С.С.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Характерною ознакою сучасного етапу розвитку фі-зи-ки напів-про-від-ни-ків є дослідження різноманітних низьковимірних (квантових) гете-ро-струк-тур, вклю-ча-ючи напівпровідни-кові квантові ями, квантові нитки та квантові точки. Інтерес до них мотивується не лише тенденцією по-сту-по-во-го змен-шен-ня розмірів робочих частин напів-провідникових елек-трон--них при-стро-їв мікро- та оптоелектроніки, але і необхід-ніс-тю вирішення більш загальних про-блем, зокрема про-бле-ми ке-ру-ван-ня фунда-мен-таль-ними параметрами напів-про-від-ника: ши-ри--ною забороненої зони, ефективною масою та рух-ли-вістю носіїв заряду, елек-трон-ним енер--гетичним спек-тром та ін. При переході до нано-мет-ро-вого діапазону розмірів (1100 нм) влас-тивості напівпровідника стають розмірно-залежними вна-слідок прояву ефек-тів розмірного квантування руху (енергії) носіїв заряду та екси-то-нів, ефектів туне-лювання, поля-ризаційних ефектів, модифікації фонон-но-го спектра та ін. З появою методів синтезу високоякісних -гетероструктур, зо-кре-ма методу моле-ку-ляр-но-пучкової епітаксії, та потуж-них методів їх ха-рак-те-ри-за-ції, таких як ска-ну-юча тунельна мікро-скопія, атомно-силова мікро-скопія та ін., виникли також необ-хідні передумови для розвитку нанотехнологій ново-го на-прям-ку у ма-те-рі-а--ло-знавстві, фізиці, хімії, біології, медицині та інших областях знань.
Як і при дослідженні атомів, молекул та масивних кристалів, оптична спек-тро--скопія є основним джерелом інформації про електронні процеси в низь-ко-вимірних нано-гетероструктурах. Дана робота присвячена дослідженню мето-да-ми оптичної спектро-скопії закономірностей еволюції фізичних властивостей на-пів-про-від-ни-ків АIIВVI гекса-го-наль-ної сингонії при переході до повного, тобто одночасно в трьох напрям-ках простору, квантового ( довжини хвилі де-Бройля елек-трона про-від-ності в масивному крис-талі) просторового обмеження руху в них носіїв заряду.
Актуальність теми роботи визна-ча-єть-ся потребами сучасного етапу роз-витку нанофізики та наноелектроніки:
1) у встановленні загальних закономірностей зміни фізичних властивостей та фундаментальних пара-мет-рів напівпровідників при зменшенні їх лінійних роз-мі-рів до квантових масштабів ();
2) у з’ясуванні механізмів впливу просторового квантового обмеження руху носіїв заряду на природу електронних та оптичних явищ;
3) у розробці оптичних методів характеризації квантових точок та кван-тових гетероструктур, зокрема з квантовими точками АIIВVI;
4) у з’ясуванні причин та механізмів зміни під дією світла властивостей кван-тових точок АIIВVI, синтезованих в матрицях силікатних стекол, з метою подолання ефектів деградації параметрів створених на їх основі нелінійно-оптичних пристроїв;
5) у розвитку нових фізичних ідей, які можна було б застосувати для розробки
ефективних діодних та лазер-них структур, сонячних елементів, нелінійних оптич-них ключів та інших електронних і нелінійно-оптичних при-стро-їв на основі гете-ро-структур з квантовими точками АIIВVI.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 



Реферат на тему: ЕВОЛЮЦІЯ ФІЗИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКІВ АIIВVI ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ СИНГОНІЇ ПРИ ПЕРЕХОДІ ДО РОЗМІРІВ КВАНТОВИХ МАСШТАБІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок