Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Вплив електронної підсистеми на формування складу поверхні напівпровідникових сполук З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ ІОННОСТІ

Вплив електронної підсистеми на формування складу поверхні напівпровідникових сполук З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ ІОННОСТІ

Назва:
Вплив електронної підсистеми на формування складу поверхні напівпровідникових сполук З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ ІОННОСТІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,16 KB
Завантажень:
37
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Телега Володимир Миколайович
УДК 537.311.322
Вплив електронної підсистеми на формування складу поверхні напівпровідникових сполук
З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ ІОННОСТІ
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття вченого ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ-2002


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Київському національному університеті імені Тараса Шевченка
Наукові керівники: доктор фізико-математичних наук, професор
Шнюков Вадим Федорович
доктор фізико-математичнихнаук, професор
Ільченко Василь Васильович
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,
Гречко Леонід Григорович,
провідний науковий співробітник
інституту хімії поверхні НАН України
доктор фізико-математичних наук,
Яковкін Іван Миколайович,
провідний науковий співробітник
інституту фізики НАН України
Провідна установа: Інститут фізики напівпровідників
НАН України м.Київ
Захист відбудеться “27” травня 2002р о 16 год
на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.001.31 в Київському національному університеті імені Тараса Шевченка за адресою 03127, Київ, пр. Глушкова 2, корп. 5, радіофізичний факультет.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Київського національного університету імені Тараса Шевченка 01033, Київ, вул. Володимирська 58
Автореферат розісланий “26” квітня 2002 р.
Вчений секретар
спеціалізованої Вченої ради Шкавро А.Г.
Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Дослідження поверхонь і границь розділу гетерофазних систем обумовлюють сучасний розвиток електронного приладобудування, опто- та мікроелектроніки. Останнім часом особливу увагу привертають гетерофазні системи на основі бінарних напівпровідникових сполук з різним ступенем іонності GaAs (А3В5) та ВаО, СаО, SrO (А2В6), на основі яких можуть бути створені нові люмінесцентні та емісійні структури, а також прилади наноелектроніки. Застосування цих матеріалів зумовлює пошук способів керування процесами формування складу поверхонь кристалів та одержання плівок з необхідними властивостями. При цьому важливо знати фізичні механізми, що зумовлюють зміни складу поверхонь бінарних сполук при різних технологічних впливах; зокрема, наприклад, при термообробках у вакуумі. Таким чином, дослідження, що спрямовані на з’ясування механізму порушення стехіометрії поверхонь в кристалах хімічних сполук з різним ступенем іонності є актуальними, як з суто наукової, так і з практичної точки зору.
В зв’язку з наведеним вище виникає необхідність подальших наукових досліджень процесів, що протікають у кристалах з різними типами хімічного зв’язку, які дозволили б керувати складом поверхні.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами та темами. Робота виконана на кафедрі фізичної електроніки радіофізичного факультету Київського національного університету імені Тараса Шевченка згідно з планом робіт проблемної лабораторії фізичної електроніки по темах: “Дослідження динаміки емісії нейтральних і заряджених частинок із іонних напівпровідникових кристалів при збудженні їх електронної підсистеми в процесі розвитку порушення стехіометрії в кристалах” (державна реєстрація № 0193042513, 1993 р.), “Дослідити механізм відхилення від стехіометрії в кристалах бінарних напівпровідникових сполук” (державна реєстрація № 81005099, 1995 р.), “Дослідити електронно-стимульоване відхилення від стехіометрії в бінарних напівпровідникових сполуках” (державна реєстрація № 01860061334, 1997 р.), “Вплив електронної підсистеми на формування складу кристалів напівпровідникових сполук та їх адсорбційні властивості” (державна реєстрація № 00197U003268, 2000р.).
Мета та задачі дослідження. Метою даної дисертаційної роботи є розвиток існуючих наукових уявлень про вплив електронної підсистеми кристала на процеси формування складу поверхні та випаровування бінарних кристалів типу ВаО, СаО, SrO (А2В6) та GaAs (А3В5), які мають різну ступінь іонності.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: Вплив електронної підсистеми на формування складу поверхні напівпровідникових сполук З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ ІОННОСТІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок