Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ НАНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ, СФОРМОВАНОГО МЕТОДОМ ХІМІЧНОГО ТРАВЛЕННЯ

ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ НАНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ, СФОРМОВАНОГО МЕТОДОМ ХІМІЧНОГО ТРАВЛЕННЯ

Назва:
ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ НАНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ, СФОРМОВАНОГО МЕТОДОМ ХІМІЧНОГО ТРАВЛЕННЯ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,93 KB
Завантажень:
118
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Національна академія наук України
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.ЛАШКАРЬОВА
Свеженцова Катерина Віталіївна
УДК 621.315.592
ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ
НАНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ,
СФОРМОВАНОГО МЕТОДОМ ХІМІЧНОГО ТРАВЛЕННЯ
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико–математичних наук
Київ – 2006


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова Національної академії наук України
Науковий керівник доктор фізико-математичних наук, професор,
Член-кор.НАН України,
Сизов Федір Федорович
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
НАН України, завідувач відділення;
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Корсунська Надія Овсіївна
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
НАН України, провідний науковий співробітник
доктор технічних наук, професор
Гермаш Людмила Павловна
Національний технічний університет України,
зав. кафедри “Загальної фізики та фізики твердого тіла”
Провідна установа Інститут Фізики НАН України, м.Київ
Захист відбудеться 17.11.2006 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідни-ків ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, Київ, проспект Науки, 45)
Автореферат розісланий 15.10.2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук О.Б.Охріменко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми.
Основною тенденцією в розвитку сучасної техніки є використання функціональних об'єктів малих розмірів. Прикладом може служити електронна техніка, у якій мікромініатюризація приладів уже зараз вимагає застосування функціональних елементів, розміри яких становлять декілька нм. Саме при таких розмірах напівпровідникових систем проявляються явища просторового розмірного квантування. Це привело до зародження нового напряму мікроелектроніки – наноелектроніки і відповідно нанотехнологій, методи яких знайшли своє втілення в хімії та фізиці квантово розмірних структур та квантових речовин і дозволили розробити процеси виробництва речовин з новими фізико-хімічними властивостями. Можна виділити три основні підходи до створення наноструктур на поверхні твердого тіла: 1) використання прецизійного інструмента, типу вістря атомного силового або скануючого тунельного мікроскопа; 2) направлений хімічний синтез; 3) самоорганізація наноструктур. Останній, самоорганізація, що являє собою природний, спонтанний процес у ході якого створюється, відтворюється або вдосконалюється організація складної динамічної системи в результаті внутрішньої її перебудови, становить найбільший інтерес і інтенсивно досліджується. Тому з'ясування законів самоорганізації наноструктур на поверхні твердого тіла є однією з умов успішного розвитку нанотехнологій.
Під наноструктурами, що самоорганізуються розуміють поверхневі, або об'ємні атомарні, молекулярні, кластерні структури з нанометровими розмірами. Одним з типів об'ємних наноструктур, які самоформуються є нанокристалічний (або поруватий (ПК)) кремній (nc-Si), нанорозмірність й упорядкованість якого визначається хімічним процесом травлення. Нанокристалічні кремнієві структури можуть бути використані для створення нового покоління нанорозмірних приладів. Зокрема, вони є ефективними емітерами оптичного випромінювання для плоских екранів й елементів оптичного міжз'єднення інтегральних схем (ІС); чудовими гетерами домішок важких металів; затравочним шаром при епітаксиальному нарощувані кремнієвих та арсенід галієвих шарів на пасивній підкладці для виробництва ІС; антивідбиваючим, просвітлюючим та пасивуючим покриттям для сонячних елементів; чутливим адсорбційним шаром для сенсорних газоаналізаторів.
Існує багато методів формування nc-Si, але з них слід виділити метод хімічного травлення, який істотно виділяється з традиційних технологій мікроелектроніки, що потребують складного коштовного обладнання, високих температур відпалу, наявності вакууму, потужних іонних джерел, лазерних пучків та багато іншого.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ НАНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ, СФОРМОВАНОГО МЕТОДОМ ХІМІЧНОГО ТРАВЛЕННЯ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок