Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Домішкові стани в одноосьово стиснутому кристалічному твердому тілі із складною енергетичною структурою (на прикладі p-Ge)

Домішкові стани в одноосьово стиснутому кристалічному твердому тілі із складною енергетичною структурою (на прикладі p-Ge)

Назва:
Домішкові стани в одноосьово стиснутому кристалічному твердому тілі із складною енергетичною структурою (на прикладі p-Ge)
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,67 KB
Завантажень:
308
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Національна академія наук України
Донецький фізико-технічний інститут імені О. О. Галкіна
Абрамов Арнольд Аркадійович
УДК 537.877
Домішкові стани в одноосьово стиснутому кристалічному твердому тілі
із складною енергетичною структурою (на прикладі p-Ge)
01.04.07 - Фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Донецьк-2003
Дисертація є рукопис.
Робота виконана в Донбаській державній машинобудівній академії,
Міністерство освіти і науки
Науковий керівник (консультант)
доктор фізико-математичних наук, доцент
Тулупенко Віктор Миколайович,
Донбаська державна машинобудівна академія, завідувач кафедри фізики.
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук Пашкевич Юрій Георгійович, ДонФТІ ім. О.О. Галкіна НАН України, завідувач відділу
кандидат фізико-математичних наук, Вінославский Михайло Миколайович, ІФ НАН України, старший науковий співробітник
Провідна установа:
Донецький Національний університет, кафедра фізики твердого тіла і фізичного матеріалознавства, Донецьк.
Захист відбудеться “27” лютого 2003 р. о 14.00 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д11.184.01 у Донецькому фізико-технічному інституті ім. О. О. Галкіна НАН України, 83114, м. Донецьк, вул. Р. Люксембург, 72.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Донецького фізико-технічного інституту ім. О. О. Галкіна НАН України, 83114, м. Донецьк, вул. Р. Люксембург, 72.
Автореферат розісланий 27 січня_2003 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради ______________ Криворучко В. М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність тими. Розробка і створення твердотільних джерел когерентного випромінювання з можлівостю перебудови частоти терагерцового діапазону є однію з актуальних задач сучасної квантової електроніки. Значним внеском у рішення цієї проблеми стало створення в середині 80-х р.р. лазера на міжпідзонних переходах гарячих дірок у p-Ge при схрещених напрямках електричних і магнітних полів [1-2]. До недоліків створеного лазера можна віднести необхідність використання великих електричних і магнітних полів, а також дорогого рідкого гелію. Тому повідомлення [3] про значне розширення областей генерації (у координатах електричних і магнітних полів) і збільшенні коефіцієнта підсилення активного середовища при одноосьовому стиску p-Ge викликало великий інтерес дослідників. У 1988 р. було виявлено [4] стимульоване випромінювання далекого ІК діапазону гарячих носіїв заряду в одноосьово стиснутому р-Ge у сильному електричному полі. Виявлений ефект становить безсумнівний інтерес з погляду розробки нового типу лазерів і різних напівпровідникових приладів, що працюють у терагерцовому діапазоні.
Експериментально було встановлено [5-7], що випромінювання викликане інверсною заселеністю носіями заряду локалізованого і резонансного домішкових станів (РДС). РДС з'являються в одноосьово стиснутому р-Ge при визначеній величині тиску, коли один із двох домішкових рівнів, що з'явилися в результаті зняття виродження одноосьовим тиском основного стану дрібної акцепторної домішки, попадає в неперервний енергетичний спектр. Виникла проблема теоретичного опису РДС, у першу чергу - їхніх енергетичних положень і розширення. Знання цих величин необхідно для визначення оптимальних умов можливості виникнення стимульованого випромінювання, розрахунку коефіцієнта підсилення активного середовища, дослідження можливості створення інверсної заселеності домішкового рівня і валентної підзони і т.д. Рішення задачі розрахунку енергетичних положень домішкових станів (ДС) при одноосьовому стиску (ОС) можна одержати, використовуючи різні наближення: теорію збурювань для відносно малих величин деформацій, модель невзаємодіючих підзон, коли серії домішкових рівнів під кожною з них можна розглядати незалежно [8]; модель потенціалу нульового радіуса (ПНР) дії для домішкового центра [9, 10]. Перши два методи обмежені випадками гранично малих і великих величин ОС. Що стосується моделі ПНР, то вона дозволяє якісно вірно описувати реальну ситуацію аж до величин тисків, що відповідають розщепленню валентних підзон D < 20 мэв [10], у той час як велика кількість експериментальних результатів за дослідженнями різних характеристик одноосьово стиснутого p-Ge отримано для області тисків, що відповідають 20 < D < 50 мэв [див.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: Домішкові стани в одноосьово стиснутому кристалічному твердому тілі із складною енергетичною структурою (на прикладі p-Ge)

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок