Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> НАДПРОВІДНІ ТА НЕНАДПРОВІДНІ КУПРАТНІ ОКСИДИ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

НАДПРОВІДНІ ТА НЕНАДПРОВІДНІ КУПРАТНІ ОКСИДИ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

Назва:
НАДПРОВІДНІ ТА НЕНАДПРОВІДНІ КУПРАТНІ ОКСИДИ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
32,50 KB
Завантажень:
258
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 
КИЇВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ТАРАСА ШЕВЧЕНКА
КУЗНЕЦОВ ГЕННАДІЙ ВАСИЛЬОВИЧ
УДК 621.382; 539.379
НАДПРОВІДНІ ТА НЕНАДПРОВІДНІ КУПРАТНІ ОКСИДИ
В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ – 2003
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Київському національному
університеті імені Тараса Шевченка
Науковий консультант -
доктор фізико-математичних наук, професор,
академік АПН України
Третяк Олег Васильович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
перший проректор, завідувач кафедри
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор,
Пан Володимир Михайлович,
Інститут фізики металів НАН України, завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор,
Клюй Микола Іванович,
Інститут напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук, професор,
Жарких Юрій Серафимович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка, професор
Провідна установа:
Харкiвський національний унiверситет
iм. В.Н. Каразіна, м. Харків.
Захист відбудеться “ 27 ”_жовтня___2003 р. о 15_ годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради Д 26.001.31 у Київському національному
університеті імені Тараса Шевченка (03022, м.Київ, проспект акад. Глушкова, 6)
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Київського національного
університету імені Тараса Шевченка (м.Київ, 01017, вул. Володимирська, 64)
Автореферат розісланий “ 23 ”__вересня__2003 р.
 
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Шкавро А.Г.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Вирішення багатьох завдань сучасної твердотільної електроніки в значній мірі визначається можливостями розширення існуючої елементної бази за рахунок впровадження нових матеріалів і структур. В цьому розумінні значний науковий і практичний інтерес становить вивчення купратних металооксидів, що відзначаються широким діапазоном властивостей - від діелектричних до надпровідних.
Можливості застосування високотемпературних надпровідних купратних оксидів в сучасній електроніці значною мірою визначаються прогресом в вивченні поверхневих та контактних явищ. Накопичені результати свідчать про складність контактних явищ в гетероструктурах на основі високотемпературних надпровідників (ВТНП). Недостатність існуючих відомостей обумовлена різноманітністю і неоднозначністю процесів взаємодії на межі розподілу, труднощами теоретичного розгляду.
Надпровідні купратні металооксиди є одними з найбільш складних по структурі і складу неорганічних речовин. Характерними для оксидних ВТНП матеріалів є схильність до зміни структурної будови і хімічного складу, активна хімічна взаємодія на поверхні та межах розділу, значна залежність властивостей від зовнішніх факторів. Процеси розпаду надпровідної фази супроводжуються утворенням споріднених ненадпровідних купратних фаз та продуктів взаємодії з контактуючими матеріалами. Процеси деградації ВТНП є предметом численних досліджень, проте існує ціла низка нез?ясованих питань, пов?язаних з впливом процесу формування деградованого шару та його хімічного складу на електронні властивості границі розподілу, механізми переносу заряду і, як наслідок, на електрофізичні параметри приладу.
Значний науковий і практичний інтерес викликає дослідження властивостей гібридних контактних структур, компонентами яких є ВТНП і традиційні матеріали мікроелектроніки. Контактні структури з купратними металооксидами можуть мати один (контакти ВТНП - напівпровідник, ВТНП - метал, ВТНП – діелектрик - напівпровідник) або декілька активних контактів (різні типи гібридних ВТНП - напівпровідникових транзисторних структур). Основою розуміння роботи як одно- так і багатоконтактних приладів є визначення природи процесів, що відбуваються в окремо взятому контакті. Проведені теоретичні і експериментальні дослідження поки що не привели до розробки ефективних приладів на основі такого типу структур.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 



Реферат на тему: НАДПРОВІДНІ ТА НЕНАДПРОВІДНІ КУПРАТНІ ОКСИДИ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок