Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Механізми дефектоутворення і термодинамічний n-p-перехід у бездомішковому та легованому кадмій телуриді при двотемпературному відпалі

Механізми дефектоутворення і термодинамічний n-p-перехід у бездомішковому та легованому кадмій телуриді при двотемпературному відпалі

Назва:
Механізми дефектоутворення і термодинамічний n-p-перехід у бездомішковому та легованому кадмій телуриді при двотемпературному відпалі
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,83 KB
Завантажень:
250
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Міністерство освіти і науки України
Прикарпатський національний університет
імені Василя Стефаника
Писклинець
Уляна Михайлівна
УДК 546.48'24:544.022.384.2
Механізми дефектоутворення і
термодинамічний n-p-перехід у бездомішковому та легованому кадмій телуриді при двотемпературному відпалі
02.00.21 – хімія твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата хімічних наук
Івано-Франківськ – 2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики і хімії твердого тіла Інституту природничих наук при Прикарпатському національному університеті імені Василя Стефаника МОН України.
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук, доцент
Прокопів Володимир Васильович,
Прикарпатський національний університет
імені Василя Стефаника МОН України,
доцент кафедри фізики і хімії твердого тіла,
м. Івано-Франківськ
Офіційні опоненти: член-кореспондент НАН України,
доктор хімічних наук, професор
Огенко Володимир Михайлович,
Інститут загальної та неорганічної хімії
ім. В.І. Вернадського НАН України,
головний науковий співробітник,
м. Київ
доктор хімічних наук, професор
Томашик Василь Миколайович,
Інститут фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
вчений секретар,
м. Київ
Провідна установа: Інститут проблем матеріалознавства
ім. І.М. Францевича НАН України,
м. Київ.
Захист відбудеться „28” жовтня 2005 року о 1100 год, на засіданні спеціалізованої вченої ради К .051.03 при Прикарпатському національному університеті імені Василя Стефаника Міністерства освіти і науки України за адресою: 76000, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, .
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника (76025, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, ).
Автореферат розісланий „23” вересня 2005 р.
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради К 20.051.03 Кланічка В.М.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Кадмій телурид – перспективний матеріал для застосування в оптоелектроніці, для створення детекторів ?- і Х-випромінювання [1*. Детальне вивчення природи дефектів кристалічної будови та їх впливу на характеристики є необхідною умовою для створення більш ефективних матеріалів та оптимізації параметрів активних елементів приладових структур.
Фізико-хімічні властивості напівпровідників значною мірою визначаються умовами рівноваги із паровою фазою, що зумовлюють кількість та характер розміщення в гратці атомів основних компонентів і різного роду дефектів: вакансій, міжвузлових і домішкових атомів, а також їх комплексів 2*. У науковій літературі щорічно з’являється значна кількість робіт, присвячених вивченню особливостей дефектної підсистеми кадмій телуриду. Серед них варто відзначити результативні дослідження як вітчизняних вчених Д.В. Корбутяка, О.Е. Панчука, В.М. Томашика [1*, 3*, 4*] та ін., так і зарубіжних – Ф. Крегера, О. Матвеєва, Д. Нобеля [2*, 5*, 6*] та ін.
Незважаючи на значну кількість публікацій з дослідження бездомішкового і легованого кадмій телуриду, досі чітко не встановлено умови (тиск пари компонентів, температуру відпалу, концентрацію домішки), при яких змінюється тип провідності матеріалу, хоча відомо, що оптимальними електричними параметрами володіють кристали, одержані саме в області конверсії типу провідності. При цьому, важливою проблемою є вивчення природи точкових дефектів, керування їх типом і концентрацією, дослідження впливу дефектів на зміну типу провідності, їх зв’язку з технологічними факторами. Оскільки експлуатація приладів, виготовлених на основі CdTe, здійснюється, переважно, при кімнатній температурі, то необхідними є знання низькотемпературних характеристик. Властивості матеріалу при експлуатаційних температурах визначаються високотемпературною рівновагою дефектів в умовах приготування і процесами, які відбуваються при зниженні температури. Не з’ясовані також співвідношення між електронейтральними та йонізованими точковими дефектами як при кімнатній, так і температурі відпалу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: Механізми дефектоутворення і термодинамічний n-p-перехід у бездомішковому та легованому кадмій телуриді при двотемпературному відпалі

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок