Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РАДІАЦІЙНе ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ І МЕХАНІЧНІ НАПРУЖЕННЯ в КРЕМНІЄВИХ СТРУКТУРАХ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ

РАДІАЦІЙНе ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ І МЕХАНІЧНІ НАПРУЖЕННЯ в КРЕМНІЄВИХ СТРУКТУРАХ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ

Назва:
РАДІАЦІЙНе ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ І МЕХАНІЧНІ НАПРУЖЕННЯ в КРЕМНІЄВИХ СТРУКТУРАХ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,06 KB
Завантажень:
217
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ІНСТИТУТ ТЕРМОЕЛЕКТРИКИ
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
та МІНІСТЕРСТВА ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
УДК 621.382.8
ПРОХОРОВ ГЕОРГІЙ ВАЛЕРІЙОВИЧ

 
РАДІАЦІЙНе ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ І МЕХАНІЧНІ
НАПРУЖЕННЯ в КРЕМНІЄВИХ
СТРУКТУРАХ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ
01.04.01- фізика приладів, елементів і систем
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці-2006
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Одеській Національній академії звязку ім. О.С. Попова
Міністерства транспорту і звязку України
Науковий керівник: Вікулін Іван Михайлович,
доктор фізико-математичних наук, професор,
завідувач кафедрою Одеської Національної академії
звязку ім.О.С.Попова, Заслужений діяч науки
України, лауреат Державної премії СРСР
Офіційні опоненти: Романюк Борис Миколайович, доктор
фізико-математичних наук, професор, завідуючий
відділом Інституту фізики напівпровідників
Національної академії наук України
Ащеулов Анатолій Анатолійович, доктор
технічних наук, старший науковий співробітник ,
головний науковий співробітник Інституту
термоелектрики НАН і МОН України

Провідна установа: Інститут фізики Національної академії наук України
Захист відбувся “02” червня 2006 р. о 15 годині на засіданні спеціалізованої
вченої ради Д 76.244.01 в Інституті термоелектрики за адресою:
58027, м. Чернівці, вул. Дубинська, 9А
З дисертацією можно ознайомитися в науковій бібліотеці
Інституту термоелектрики, м. Чернівці, вул. Дубинська, 9А
 
Автореферат розісланий “20 квітня 2006 року
Вчений секретар спеціалізованої Микитюк П.Д.
вченої ради,
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Останні роки одночасно з розвитком цифрової електроніки зростає інтерес до питань забезпечення стабільності як елементів, так і функціональних схем аналогової напівпровідникової мікроелектроніки. Це пов’язано з широким впровадженням в усі галузі науки, техніки, промисловості і оборони вимірювальної, контрольної, регулюючої та на їх базі – управляючої радіоелектронної апаратури (РЕА). Ключовим елементом цієї РЕА є датчик первинної інформації, інформативний параметр якого носить аналоговий характер.
Сучасна техніка ставить задачі підвищення рівня прецизійності елементів і схем сенсорної електроніки. Подальше зростання ступеню інтеграції мікроелектронної РЕА потребує реального створення, наприклад, первинних перетворювачів тиску на мембранах з розмірами менше 0,5 х 0,5 мм і товщиною до 10 мкм. В цьму випадку розміри планарних елементів стають співрозмірними з досліджуваними в цій роботі мікродефектами, а зміна механічних властивостей кремнію, яка супроводжує появу мікродефектів, впливає на їх характеристики.
Суттєву роль відіграє радіаційна стійкість (РС) управляючої РЕА, яка визначається елементами сенсорної електроніки, що працюють в аналоговому режимі. Зміна окремих параметрів елементів цифрової інтегральної схеми (ІС) в декілька разів (а то і на порядок) не обов’язково призведе до втрати нею робочої функції, в той час як зміна інформативного сигналу датчика системи всього на 10-15% може виявитись катастрофічною.
У зв'язку з цим комплексне дослідження процесів радіаційного дефектоутворення і його впливу на характеристики ІС, створення нових фізичних моделей, встановлення загальних закономірностей, зв'язків між процесами генерації та взаємодії радіаційних дефектів і зміною механічних та електричних характеристик напівпровідників і приладних структур на їх основі, та розробка нових методів підвищення надійності сенсорної, вимірювальної, функціональної мікроелектронної РЕА є актуальним і важливим для науки та виробництва.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами і темами. Робота виконувалася в Одеській національній академії зв'язку ім. О.С. Попова як складова частина НДР кафедри фізики оптичного зв’язку відповідно до координаційних планів НАН та МОН України з проблеми “Фізика напівпровідників” за темою п. 3-13-00 “Радіаційні ефекти в шаруватих структурах на основі напівпровідників і діелектриків та розробка теоретичних основ радіаційного моніторингу довкілля на основі геоінформаційного моделювання”, № ДР 0101U002794, 2001-2002.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: РАДІАЦІЙНе ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ І МЕХАНІЧНІ НАПРУЖЕННЯ в КРЕМНІЄВИХ СТРУКТУРАХ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок