Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ФАКТОРІВ НА ДЕФЕКТНУ ПІДСИСТЕМУ І ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ У ПЛІВКАХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ PbTe, PbSe І PbS

ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ФАКТОРІВ НА ДЕФЕКТНУ ПІДСИСТЕМУ І ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ У ПЛІВКАХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ PbTe, PbSe І PbS

Назва:
ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ФАКТОРІВ НА ДЕФЕКТНУ ПІДСИСТЕМУ І ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ У ПЛІВКАХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ PbTe, PbSe І PbS
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,33 KB
Завантажень:
137
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Міністерство освіти і науки України
Прикарпатський університет імені Василя Стефаника
Рувінський Борис Маркович
УДК 539.216.2:621.315.592
ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ФАКТОРІВ
НА ДЕФЕКТНУ ПІДСИСТЕМУ І ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ
У ПЛІВКАХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ PbTe, PbSe І PbS
01.04.18 – фізика і хімія поверхні
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Івано-Франківськ - 2003
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики твердого тіла Прикарпатського університету імені Василя Стефаника Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник: заслужений діяч науки і техніки України,
доктор хімічних наук, професор
Фреїк Дмитро Михайлович,
директор Фізико-хімічного інституту, завідувач кафедри фізики твердого тіла, Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, Міністерство освіти і науки, м. Івано-Франківськ.
Офіційні опоненти: лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, доктор фізико-математичних наук, професор Дмитрук Микола Леонтійович,
завідувач відділу поляритонної оптоелектроніки, Інститут фізики напівпровідників НАН України, м.Київ;
доктор фізико-математичних наук, професор
Берченко Микола Миколайович,
професор кафедри напівпровідникової електроніки, Національний університет "Львівська політехніка", м.Львів.
Провідна установа: Інститут фізики НАН України,
м. Київ
Захист відбудеться “7“ березня 2003 р. об годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 20.051.03 у Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника за адресою:
76000, м. Івано-Франківськ, вул. Галицька, 201, фізичний факультет, ауд. .
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Прикарпатського університету імені Василя Стефаника ( 76000, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, ).
Автореферат розісланий “5“ лютого 2003 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради _______________ Кланічка В.М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Халькогеніди свинцю і сполуки на їх основі знаходять широке застосування у напівпровідниковій техніці (інфрачервоні пристрої оптоелектроніки, лазери, термогенератори) [1,2]. Досягнення сучасних технологій дозволяють отримати такі тонкі епітаксійні шари халькогенідів свинцю, які близькі за своїми характеристиками до об'ємних монокристалів і мають ряд унікальних властивостей, що значно розширює використання їх в науці і техніці [3-5].
При одержанні тонких плівок із парової фази за ефективним і поширеним методом "гарячої стінки" [3] технологічні фактори відіграють вирішальну роль у формуванні електричних і оптичних властивостей плівок PbTe, PbS i PbSe, які визначаються дефектною кристалічною структурою і в значній мірі власними точковими дефектами плівок [5-8]. Дефектна підсистема істотно змінюється при подальшій термічній обробці плівок у вакуумі, в атмосфері різних газів, під дією зовнішніх полів. Незважаючи на численні публікації в цьому напрямку, на даний час ряд важливих питань ще залишається нез'ясованим.
При вивченні процесу дефектоутворення в плівках, отриманих методом гарячої стінки, використовують частинні кристалохімічні моделі з різними комбінаціями поодиноких переважних дефектів, відносно яких досі немає єдиної думки про їх вид і зарядові стани [2,6-9]. У розглянутих сполуках спостерігається схильність до самокомпенсації і виникає необхідність в одночасному врахуванні більш широкого спектра зарядових станів власних точкових дефектів. Електрофізичні властивості плівок сильно залежать від типу використаних підкладок [3], що не знайшло ще свого пояснення, крім припущень про слабо вивчені механічні напруження, які виникають в процесі вирощування плівок на різних підкладках. Актуальними залишаються ще додаткові теоретичні і експериментальні дослідження для з'ясування основних механізмів квазіхімічних реакцій утворення металічної фази при синтезі плівок халькогенідів свинцю квазірівноважними методами і впливу на дефектну підсистему PbSe електрично активних газів, напр., кисню, а також розгляд кінетики поверхневої концентрації електронів з урахуванням комплексоутворення власних дефектів з киснем в PbTe.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ФАКТОРІВ НА ДЕФЕКТНУ ПІДСИСТЕМУ І ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ У ПЛІВКАХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ PbTe, PbSe І PbS

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок