Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ У НАПІВПРОВІДНИКАХ В УМОВАХ ФОТО-ГАНН-ЕФЕКТУ

ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ У НАПІВПРОВІДНИКАХ В УМОВАХ ФОТО-ГАНН-ЕФЕКТУ

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ У НАПІВПРОВІДНИКАХ В УМОВАХ ФОТО-ГАНН-ЕФЕКТУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,40 KB
Завантажень:
262
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича
ЧУПИРА СЕРГІЙ МИКОЛАЙОВИЧ
УДК 621.315.592, 537.228, 535.527
ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ
У НАПІВПРОВІДНИКАХ В УМОВАХ
ФОТО-ГАНН-ЕФЕКТУ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі електроніки і енергетики Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник:
Офіційні опоненти:
Провідна організація: | доктор фізико-математичних наук, професор
Горлей Петро Миколайович,
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри електроніки і енергетики
доктор фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Маслюк Володимир Трохимович,
завідувач відділу фотоядерних процесів
Інституту електронної фізики НАН України,
м. Ужгород
доктор фізико-математичних наук, доцент
Головацький Володимир Анатолійович,
доцент кафедри теоретичної фізики
Чернівецького національного університету
імені Юрія Федьковича
Одеський національний університет
ім. І. І. Мечникова, м. Одеса
Захист відбудеться 23 лютого 2007 р. о 1700 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (58012, м. Чернівці, вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий 22 січня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М. В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Ефект Ганна, суть якого полягає у генерації в напівпровіднику з від’ємною диференційною провідністю високочастот-них коливань електрично-го струму, успішно використо-вується у різних НВЧ-пристроях уже понад 30 років. При цьому встановлено, що частота коливань і ефективність роботи таких пристроїв можуть бути керовані переважно тільки за допомогою вибору типу та структурної досконалості напівпровідника, з якого виготовлено генератор Ганна.
У роботі [1] вперше запропоновано модель нового нелінійного оптичного ефекту в напівпровідниках – фоторефрактивного аналогу ефекту Ганна. Модель передбачає, що крім умов, необхідних для виникнення звичайного ефекту Ганна в легованому напівпровіднику, останній додатково освітлюється двома просторово-модульованими хвилями з дещо різними частотами. Рухома інтерференційна картина збуджує серію доменів Ганна, які рухаються синфазно з інтерферен-ційними смугами. Принциповою перевагою даного ефекту є те, що існує додаткова можливість цілеспрямованого керуван-ня швидкістю доменів за допомогою інтенсивності лазерного опромінення, глибини модуляції, частоти несучої хвилі та ступеня розузгодження хвиль.
Згодом за допомогою методів числового розв’язку системи нелінійних диференційних рівнянь, які описують модель фоторефрактив-ного ефекту Ганна (ФГЕ), було підтверджено, що домени сильного поля можуть бути викликані синфазними інтерференційними смугами, а відгук системи носіїв – досить складний, оскільки зумовлює багаторазове генерування хвиль з інжектуючого контакту, послаблення хвиль і хаос, породжений просторовою структурою.
Проте до початку наших досліджень не було встановлено основних фізичних закономірностей щодо особливостей протікання та можливості керування електронними процесами у напівпровіднику в умовах ФГЕ та можливості керування такими процесами за допомогою зміни величин і сукупності зовнішніх параметрів, а саме: інтенсивності та частоти модуляції лазерного опромінення, напруженості електричного поля, ступеня легування, геометрич-них розмірів зразка. Важливість з’ясування цих питань, окрім чисто фундаментального інтересу, зумовлена також запитами прикладного характеру щодо необхідності розширення функціональних можливостей існуючих електронних пристроїв.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ У НАПІВПРОВІДНИКАХ В УМОВАХ ФОТО-ГАНН-ЕФЕКТУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок