Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МЕХАНІЗМИ ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ В ДИФУЗІЙНИХ ШАРАХ ШИРОКОЗОННИХ II-VI НАПІВПРОВІДНИКІВ

МЕХАНІЗМИ ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ В ДИФУЗІЙНИХ ШАРАХ ШИРОКОЗОННИХ II-VI НАПІВПРОВІДНИКІВ

Назва:
МЕХАНІЗМИ ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ В ДИФУЗІЙНИХ ШАРАХ ШИРОКОЗОННИХ II-VI НАПІВПРОВІДНИКІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
33,47 KB
Завантажень:
20
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
СЛЬОТОВ
МИХАЙЛО МИХАЙЛОВИЧ
УДК: 621.315.592;
535.37
МЕХАНІЗМИ ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ В ДИФУЗІЙНИХ ШАРАХ ШИРОКОЗОННИХ II-VI НАПІВПРОВІДНИКІВ
01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Чернівці – 2007
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі оптоелектроніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки
України
Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук, професор, Махній Віктор Петрович, професор кафедри оптоелектроніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор, Коваленко Олександр Володимирович, завідувач кафедри радіоелектроніки Дніпропетровського національного університету
доктор фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник,
Стрельчук Віктор Васильович, провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
доктор фізико-математичних наук, професор, Савчук Андрій Йосипович, завідувач кафедри фізики напівпровідників та наноструктур Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича
Провідна установа: Інститут фізики НАН України (м. Київ)
Захист відбудеться “ 29 ” червня  2007 р. о       год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2, тел. (8-0372) 52-52-48.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за адресою 58012, м. Чернівці, вул. Лесі Українки, 23.
Автореферат розісланий “    ” травня  2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми
Сучасна напівпровідникова електроніка потребує збільшення номенклатури матеріалів і приладів з розширеними функціональними можливостями. Для вирішення цих задач на даний час існує два альтернативних підходи. Перший з них передбачає синтез нових напівпровідникових сполук з необхідними параметрами, а другий – розробку нових ефективних технологій легування відомих матеріалів мало використовуваними домішками, потенційні можливості яких ще далеко не вичерпані. До них, зокрема, відносяться ізовалентні та амфотерні домішки, завдяки яким напівпровідник набуває таких властивостей, які важко, а іноді й зовсім неможливо отримати шляхом легування простими донорами чи акцепторами. У першу чергу це стосується підвищення ефективності випромінювальної рекомбінації (особливо крайової та екситонної), а також збільшення температурної та радіаційної стійкості фізико-технічних параметрів.
Порушені питання є надзвичайно важливими для широкозонних II-VI сполук – перспективних матеріалів короткохвильової оптоелектроніки [1, 2]. Елементною базою даного напрямку переважно є сенсори з випрямляючим бар’єром, виготовлення яких стикається з певними труднощами, що викликані особливостями цього класу напівпровідників. Серед них, насамперед, слід виділити широкий спектр власних і неконтрольованих домішкових дефектів, одностороннє відхилення від стехіометрії та схильність до самокомпенсації [3]. Дані фактори призводять до переважаючої монополярної провідності цих сполук (за винятком CdTe) і складностей керування її величиною і типом. Теоретичний аналіз цих проблем з урахуванням ансамблю простих власних точкових дефектів (ВТД) привів авторів [4] до висновку про наявність критичних температур , які обмежують використання рівноважних методів легування. Звернемо увагу, що на відміну від  ? К, аномально низькі значення  ? К не можуть забезпечити необхідних коефіцієнтів дифузії та розчинності акцепторних домішок у сульфоселенідах кадмію та цинку, а у кінцевому рахунку і створення p-n – переходу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 



Реферат на тему: МЕХАНІЗМИ ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ В ДИФУЗІЙНИХ ШАРАХ ШИРОКОЗОННИХ II-VI НАПІВПРОВІДНИКІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок