Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РОЗРОБКА ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЙ ТА ТЕХНОЛОГІЧНИХ ПРОЦЕСІВ ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ ПІДКЛАДОК АРСЕНІДУ ТА АНТИМОНІДУ ІНДІЮ ДЛЯ ПРИЛАДІВ ІЧ-ТЕХНІКИ

РОЗРОБКА ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЙ ТА ТЕХНОЛОГІЧНИХ ПРОЦЕСІВ ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ ПІДКЛАДОК АРСЕНІДУ ТА АНТИМОНІДУ ІНДІЮ ДЛЯ ПРИЛАДІВ ІЧ-ТЕХНІКИ

Назва:
РОЗРОБКА ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЙ ТА ТЕХНОЛОГІЧНИХ ПРОЦЕСІВ ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ ПІДКЛАДОК АРСЕНІДУ ТА АНТИМОНІДУ ІНДІЮ ДЛЯ ПРИЛАДІВ ІЧ-ТЕХНІКИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,38 KB
Завантажень:
403
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ДАНИЛЕНКО СВІТЛАНА ГРИГОРІВНА
УДК 621.794.4:546.681.19.86
РОЗРОБКА ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЙ ТА ТЕХНОЛОГІЧНИХ ПРОЦЕСІВ ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ ПІДКЛАДОК АРСЕНІДУ ТА АНТИМОНІДУ ІНДІЮ ДЛЯ ПРИЛАДІВ ІЧ-ТЕХНІКИ
05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук
КИЇВ – 2000
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровіднків НАН України
Науковий керівник: доктор хімічних наук, професор Томашик Василь Миколайович, провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників НАН України
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Горбик Петро Петрович, провідний науковий співробітник Інституту хімії поверхні НАН України
доктор технічних наук, старший науковий співробітник Карачевцева Людмила Анатоліївна, в.о. зав. відділом Інституту фізики напівпровідників НАН України
Провідна установа: Чернівецький державний університет ім. Ю. Федьковича, фізичний факультет, кафедра мікроелектроніки, м. Чернівці
Захист дисертації відбудеться " 15 " вересня 2000 р. о 1415 год. на засіданні
спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН
України за адресою 03028, Київ – 28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників:
03028, Київ-28, проспект Науки, 45
Автореферат розіслано " 3 " серпня 2000 року
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
канд. фіз.-мат. наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Для виготовлення фотоприймачів, чутливих в ІЧ-області спектра, використовують такі сполуки, як Hg1-xCdxTe, Si, Ge, напівпровідники типу АIIIВV та тверді розчини на їх основі. Незважаючи на високу якість матеріалу Hg1-xCdxTe (КРТ) та виготовлених на його основі приладів, існують деякі технологічні проблеми, зумовлені нестабільністю вказаних твердих розчинів. Альтернативними матеріалами можуть бути арсенід індію та тверді розчини на його основі. Дослідження показали, що ці матеріали є стабільнішими в порівнянні з КРТ і можуть витримувати більш суворі умови при деяких технологічних операціях та експлуатації. Арсенід індію і тверді розчини InAs1-xSbx можуть бути використані для створення приладів в ближньому (1-3 мкм) та середньому (3-5 мкм) ІЧ-діапазонах.
Інтерес до InAs, InSb та твердих розчинів InAs1-xSbx зумовлений також їх застосуванням в лавинних фотодіодах, пристроях з переносом заряду, де використовуються такі переваги цих матеріалів перед кремнієм, як велика квантова ефективність та можливість роботи при азотних температурах.
Абразивна і хімічна обробка кристалів напівпровідникових матеріалів, починаючи від різки монокристалічних зливків на пластини до фінішного хіміко-механічного або хіміко-динамічного полірування пластин, є невід'ємною частиною сучасної напівпровідникової технології, проте, разом з тим, і сукупністю операцій, які найбільш небезпечні з точки зору погіршення структурної досконалості матеріалу та його електрофізичних властивостей. Істотний вплив структурних порушень на електрофізичні та експлуатаційні параметри приладів викликає необхідність вивчення закономірностей та механізму процесів утворення бездефектних поверхонь напівпровідників при абразивних та хімічних обробках. Результати таких досліджень необхідні перш за все при пошуці та обгрунтуванні технологічних прийомів цілеспрямованого управління процесами обробки напівпровідників, а також при виборі оптимальних варіантів, схем та режимів і умов хімічних обробок.
Отримання високоякісної полірованої та структурно досконалої, бездефектної поверхні підкладок із збереженням необхідних геометричних параметрів (площинності та паралельності сторін зразка) є складною технологічною задачею та являє собою важливу науково-технічну проблему. Статистичний аналіз типів відмов напівпровідникових приладів показує, що біля 60 % з них пов'язано з дефектами границь розподілу фаз, в тому числі 39 % - зі способами обробки і підготовки поверхні напівпровідників.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: РОЗРОБКА ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЙ ТА ТЕХНОЛОГІЧНИХ ПРОЦЕСІВ ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ ПІДКЛАДОК АРСЕНІДУ ТА АНТИМОНІДУ ІНДІЮ ДЛЯ ПРИЛАДІВ ІЧ-ТЕХНІКИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок