Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПОВЕРХНЕВІ ПЛАЗМОН-ФОНОННІ ЗБУДЖЕННЯ В ОДНОВІСНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ZnO і 6H-SiC ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

ПОВЕРХНЕВІ ПЛАЗМОН-ФОНОННІ ЗБУДЖЕННЯ В ОДНОВІСНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ZnO і 6H-SiC ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

Назва:
ПОВЕРХНЕВІ ПЛАЗМОН-ФОНОННІ ЗБУДЖЕННЯ В ОДНОВІСНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ZnO і 6H-SiC ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
33,78 KB
Завантажень:
79
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
МЕЛЬНИЧУК ОЛЕКСАНДР ВОЛОДИМИРОВИЧ
 
УДК 539.2:621.315:535
ПОВЕРХНЕВІ ПЛАЗМОН-ФОНОННІ ЗБУДЖЕННЯ В ОДНОВІСНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ZnO і 6H-SiC ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ
01.04.10-фізика напівпровідників та діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ – 2000
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної академії наук України
Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук, професор,
член-кореспондент НАН України
Венгер Євген Федорович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, заступник директора
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАН України
Литовченко Володимир Григорович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділу фізичних основ інтегральної мікроелектроніки;
доктор фізико-математичних наук, професор
Кікінеші Олександр Олександрович, Ужгородський національний університет, завідувач кафедри твердотільної електроніки;
доктор фізико-математичних наук, професор
Слободянюк Олександр Валентинович, Київський національний університет імені Тараса Шевченка, завідувач кафедри експериментальної фізики
Провідна установа:
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича, кафедра мікроелектроніки та напівпровідникових приладів, м. Чернівці
Захист відбудеться 26 січня 2001 р. о 14 год на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників НАН України (03028 Київ 28, просп. Науки, 45)
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (03028 Київ 28, просп. Науки, 45)
Автореферат розісланий 25 грудня 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Іщенко С.С.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Використання оптично-анізотропних одновісних полярних напівпровідників оксиду цинку і карбіду кремнію та структур на їх основі при створенні цілого ряду напівпровідникових приладів (в тому числі люмінесцентних індикаторів, лічильників ядерних випромінювань, короткохвильових оптоелектронних приладів, термо-, п'єзо- і тензодатчиків, акустоелектронних генераторів та ін.) має науковий та практичний інтерес і, безперечно, потребує дослідження їх оптичних та електрофізичних властивостей, провідне місце серед яких посідають методи спектроскопії відбивання та поверхневих поляритонів (ПП).
Залишається актуальним питання вивчення взаємодії електромагнітного випромінювання з різними типами коливань (наприклад, фонони, плазмони тощо) та умов, за яких відбуваються збудження і розповсюдження поверхневих електромагнітних хвиль, тобто ПП. Під останніми розуміють поверхневі квазічастинки, що відповідають коливанням змішаного електромагнітно-механічного характеру, максимум амплітуди поля яких знаходиться на поверхні твердого тіла, а амплітуда поля експоненційно зменшується в обох напрямках від межі поділу середовищ. Взаємодія поверхневих оптичних фононів із поверхневими плазмовими коливаннями вільних носіїв заряду призводить до збудження змішаних поверхневих плазмон-фононних поляритонів (ППФП), у яких перебудова спектра коливань максимальна, коли плазмова частота nр виявляється близькою до частоти поздовжніх оптичних фононів nL.
В багатьох анізотропних напівпровідникових сполуках (наприклад, Sb2S3, LiIO3, ZnP2, CdP2, CdS тощо) поверхневі фононні поляритони досліджено достатньо добре. В.В. Бриксін [1*], В.М. Агранович [2*,3*], М.Л. Дмитрук [4*] та співавтори показали, що в анізотропних кристалах цей тип коливань на відміну від ізотропних має особливості, які проявляються в дисперсійних залежностях, просторовій структурі та коефіцієнтах затухання ПП.
Монокристали ZnO i 6H-SiC кристалізуються в структурі вюртциту і належать до однієї просторової групи (P63mc). Оксид цинку характеризується значною анізотропією властивостей фононної і слабкою анізотропією плазмової підсистем, в той час як карбід кремнію (політип 6Н) - незначною анізотропією властивостей фононної підсистеми та сильною анізотропією властивостей плазмової підсистеми.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23 



Реферат на тему: ПОВЕРХНЕВІ ПЛАЗМОН-ФОНОННІ ЗБУДЖЕННЯ В ОДНОВІСНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ZnO і 6H-SiC ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок