Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> СТАБІЛЬНІСТЬ, ЗОННА СТРУКТУРА ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ОСНОВІ ЕЛЕМЕНТІВ IV ГРУПИ

СТАБІЛЬНІСТЬ, ЗОННА СТРУКТУРА ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ОСНОВІ ЕЛЕМЕНТІВ IV ГРУПИ

Назва:
СТАБІЛЬНІСТЬ, ЗОННА СТРУКТУРА ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ОСНОВІ ЕЛЕМЕНТІВ IV ГРУПИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,45 KB
Завантажень:
371
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
КОРОЛЮК
Юрій Григорович
УДК 537.311.322:535
СТАБІЛЬНІСТЬ, ЗОННА СТРУКТУРА ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ОСНОВІ ЕЛЕМЕНТІВ IV ГРУПИ
 
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2003
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі напівпровідникової мікроелектроніки
Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича,
Міністерство освіти і науки України
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук,
доцент Дейбук Віталій Григорович,
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, доцент кафедри напівпровідникової мікроелектроніки;
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Матвеєва Людмила Олександрівна, Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник;
доктор фізико-математичних наук, стар-ший науковий співробітник Головацький Володимир Анатолійович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, доцент кафедри теоретичної фізики;
Провідна установа: Ужгородський національний університет, Міністерства освіти і науки України, м. Ужгород
Захист відбудеться “27” лютого 2004 р. о 1500 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці,
вул. Коцюбинського, 2
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національ-ного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий “23” січня 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. В останні роки зросло активне дослідження ізовалентних сплавів на основі елементів IV групи як вірогідних кандидатів для створення інфрачервоних детекторів і фотоприймачів. До них належать сплави Ge1-xSix, Ge1Snx, Si1Snx, Si1-xCx. Основною перевагою пристроїв на основі даних матеріалів є висока швидкодія, технологічна сумісність з поширеними кремнієвими та германієвими технологіями. Ще однією перевагою є поява прямозонності в електронних властивостях ізовалентних твердих розчинів IV групи на основі олова, що розширює межі їх застосування в сучасній напівпровідниковій промисловості. За винятком Ge1-xSix, це нові матеріали, термодинамічно нестабільні майже по всьому діапазону x і не здатні сформувати тверді розчини при нормальних умовах. Для їх отримання найбільш реальне використання технологій вирощування, які обмежують процеси сегрегації і підвищують розчинність компонент. Такими технологіями є лазерна перекристалізація, хімічне осадження з парової фази та ін.
У даний час гетероструктури на основі Ge1-xSix/Si широко використовуються для отримання біполярних гетеротранзисторів, для 1.3_.55 мкм детекторів оптоволоконних ліній зв’язку, інфрачервоних детекторів для дворозмірних площинних матриць нічного бачення і термобачення 2-12 мм, інфрачервоних емітерів для чіп-у-чіп оптичного зв’язку в оптоволоконних комунікаціях, хвильових модуляторах та ін. Однак цей матеріал має ряд недоліків, що обмежують його практичне використання. Це, в першу чергу, наявність критичної товщини, яка понижує термодинамічну стабільність плівки Ge1-xSix/Si за рахунок появи дислокацій неузгодженості, що значно обмежує можливість створення ІЧ_детекторів на основі Ge1-xSix по всьому діапазоні х. Значним недоліком даних сплавів залишається висока технологічна температура отримання, що унеможливлює нанометрову точність внесення домішок для створення високоякісних гетеропереходів.
Ge1Snx в об’ємному випадку є нестабільним твердим розчином. Це пояснюється тим, що компонента -Sn стабільна тільки при температурі, нижчій за 13.2 оС і рівноважна розчинність системи Ge-Sn є малою, <1%. Більше того, олово є високолетким атомом у германієвій підґратці, що приводить до значної поверхневої сегрегації.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: СТАБІЛЬНІСТЬ, ЗОННА СТРУКТУРА ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ОСНОВІ ЕЛЕМЕНТІВ IV ГРУПИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок