Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> НАПІВПРОВІДНИКОВІ ЛАЗЕРИ З ЕЛЕКТРОННИМ НАКАЧУВАННЯМ НА ОСНОВІ СПОЛУК ГРУП А2В6, А3В5 З ПОКРАЩЕНИМИ ЕКСПЛУАТАЦІЙНИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ

НАПІВПРОВІДНИКОВІ ЛАЗЕРИ З ЕЛЕКТРОННИМ НАКАЧУВАННЯМ НА ОСНОВІ СПОЛУК ГРУП А2В6, А3В5 З ПОКРАЩЕНИМИ ЕКСПЛУАТАЦІЙНИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ

Назва:
НАПІВПРОВІДНИКОВІ ЛАЗЕРИ З ЕЛЕКТРОННИМ НАКАЧУВАННЯМ НА ОСНОВІ СПОЛУК ГРУП А2В6, А3В5 З ПОКРАЩЕНИМИ ЕКСПЛУАТАЦІЙНИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,17 KB
Завантажень:
282
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ПАШКОВ Олександр Сергійович
УДК 535.14:621.375.826
НАПІВПРОВІДНИКОВІ ЛАЗЕРИ З ЕЛЕКТРОННИМ НАКАЧУВАННЯМ НА ОСНОВІ СПОЛУК ГРУП А2В6, А3В5 З ПОКРАЩЕНИМИ ЕКСПЛУАТАЦІЙНИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ
Спеціальність 05.27.01 – Твердотільна електроніка
Автореферат дисертації
на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Одеса - 2007
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Національному науково-дослідному центрі оборонних технологій і воєнної безпеки України Міністерства оборони України.
Науковий керівник – доктор технічних наук, професор
Мокрицький Вадим Анатолійович,
Одеський національний політехнічний університет, професор кафедри “Інформаційні технології проектування в електроніці та телекомунікаціях”.
Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор
Назаренко Аскольд Федорович,
Одеський національний політехнічний університет, професор кафедри фізики;
кандидат технічних наук, доцент
Завадський Віктор Афанасійович,
Одеська національна морська академія, завідувач кафедри морської радіоелектроніки.
Захист відбудеться 17 жовтня 2007 р. о 1400 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 41.052.03 Одеського національного політехнічного університету за адресою: 65044, м. Одеса, просп. Т.Г. Шевченка, 1.
З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Одеського національного політехнічного університету за адресою: 65044, м. Одеса, просп. Т.Г. Шевченка, 1.
Автореферат розісланий “14”вересня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради О.В.Андріянов
ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Простота пристроїв і компактність напівпровідникових лазерів, широкий вибір матеріалів, придатних у якості активної речовини, обумовлюють значні переваги таким джерелам когерентного випромінювання.
Напівпровідниковий лазер з електронним накачуванням (НЛЕН) швидкими електронами має ряд переваг перед приладами з іншими методами збудження. Однією з таких переваг є можливість використання широкого класу напівпровідникових матеріалів як чистих, так і однорідно легованих, що мають будь-яку ширину забороненої зони. Крім того, в цьому випадку відпадає необхідність створення p-n - переходів і контактів.
Однак створення приладів на основі лазерів з електронним накачуванням вимагає рішення великого кола складних і трудомістких фізичних, конструкторських та технологічних задач.
Дана робота присвячена рішенню задач створення та покрашення експлуатаційних характеристик НЛЕН, які пов’язані з “мікроскопічними” властивостями матеріалів і визначаються, в основному, властивостями самого напівпровідникового посилюючого середовища. Вони стосуються, по-перше, поліпшення вихідних параметрів лазерного випромінювання в широкому діапазоні робочої температури, у тому числі й при кімнатній, по-друге, освоєння нових технічно важливих спектральних діапазонів довжини хвилі, по-третє, дослідження і використання фізичних явищ, що обмежують робочі параметри лазерів і термін їхньої служби.
Проблеми деградації лазерів і їхньої радіаційної стійкості при опроміненні електронами високих енергій вивчалися мало, тому актуальність проведення таких досліджень не викликає сумнівів.
Все наведене вище доводить, що розробка та удосконалення методів, методик і технологічних заходів при створенні напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням з метою покращення їх параметрів є актуальними.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Робота пов’язана з міжгалузевою науково-технічною “Програмою розвитку найбільш конкурентоспроможних напрямків мікроелектроніки в Україні” (№ 1-14/473 від 24.06.98 р.), та виконана в рамках фундаментальної держбюджетної НДР “Дослідження проблем створення та модифікації властивостей нових багатокомпонентних матеріалів оптоелектроніки та сенсорики” Міністерства освіти і науки України, плановою науково-дослідною роботою Національного науково-дослідного центру оборонних технологій і воєнної безпеки МО України, шифр “Безпека-Комплекс” (ОК № 0205 U 006226. (Особисто автором запропоновані моделі процесів генерації когерентного випромінювання і обґрунтування шляхів підвищення ефективності функціонування напівпровідникових ОКГ).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: НАПІВПРОВІДНИКОВІ ЛАЗЕРИ З ЕЛЕКТРОННИМ НАКАЧУВАННЯМ НА ОСНОВІ СПОЛУК ГРУП А2В6, А3В5 З ПОКРАЩЕНИМИ ЕКСПЛУАТАЦІЙНИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок