Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ОПРОМІНЕНИХ ДІЕЛЕКТРИКАХ ТА ВЛАСТИВОСТІ КОМПОЗИЦІЙ, ЩО МІСТЯТЬ ЯДЕРНЕ ПАЛИВО

ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ОПРОМІНЕНИХ ДІЕЛЕКТРИКАХ ТА ВЛАСТИВОСТІ КОМПОЗИЦІЙ, ЩО МІСТЯТЬ ЯДЕРНЕ ПАЛИВО

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ОПРОМІНЕНИХ ДІЕЛЕКТРИКАХ ТА ВЛАСТИВОСТІ КОМПОЗИЦІЙ, ЩО МІСТЯТЬ ЯДЕРНЕ ПАЛИВО
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
32,93 KB
Завантажень:
494
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 
Національна академія наук України
Інститут Фізики Конденсованих Систем
Жидков Олександр Володимирович
УДК 621.039 539.37+539.21 538.24 536.63+536.21+536.413
ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ОПРОМІНЕНИХ ДІЕЛЕКТРИКАХ ТА
ВЛАСТИВОСТІ КОМПОЗИЦІЙ, ЩО МІСТЯТЬ ЯДЕРНЕ ПАЛИВО
01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Львів 2006


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті проблем безпеки атомних електричних станцій Національної академії наук України.
Науковий консультант | Доктор фізико-математичних наук, професор,
академік Національної академії наук України
Бар’яхтар Віктор Григорович,
Інститут магнетизму НАН України,
директор | Офіційні опоненти | Доктор фізико-математичних наук, професор,
Павлик Богдан Васильович
Львівський національний університет імені
Івана Франка, завідувач кафедри електроніки;
Доктор фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник,
Павлович Володимир Миколайович
Інститут ядерних досліджень НАН України,
завідувач відділу теорії реакторів;
Доктор фізико-математичних наук, професор,
Токаревський Володимир Васильович,
Укр. ДО “Радон”, ДСП “Техноцентр”,
генеральний директор | Провідна установа | Донецький Фізико-Технічний Інститут ім. О.О. Галкіна НАН України, м. Донецьк
Захист відбудеться 28.02. 2007 р. о 14.30 на засіданні
спеціалізованої вченої ради Д 35.156.01 при Інституті фізики конденсованих систем Національної академії наук України за адресою 79011, м.Львів, вул. Свєнціцького 1.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці цього Інституту за адресою 79026, м. Львів, вул. Козельницька 4.
Автореферат розісланий 23. січня 2007 р.
Учений секретар
спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук |
Т.Є. Крохмальський |


Загальна характеристика роботи
За визначенням, до класу діелектриків, в рамках сучасних уявлень фізики конденсованих середовищ, відносять будь які матеріали, де електронні стани на рівні Фермі (за нульової температури) локалізовані, що має наслідком нульову статичну електричну провідність за цих умов. Властивості опромінених діелектриків, тобто діелектриків, що істотною мірою зазнали радіаційних ушкоджень, неодноразово були предметом як теоретичних, так і експериментальних досліджень такі дослідження, в основному, були стимульовані практичними потребами визначення міри радіаційної стійкості їх електричних та оптичних характеристик по відношенню до різного роду іонізуючих випромінювань. Разом з тим, проведеним дослідженням притаманна одна спільна риса – електронні стани (на рівні Фермі) в досліджуваних матеріалах були локалізовані завдяки вихідній структурі діелектриків, а дія іонізуючого опромінення зводилася лише до модифікації їх електронних властивостей через створення додаткових локальних рівнів (пасток) за рахунок радіаційних дефектів певного типу та модуляції країв зон за рахунок розупорядкування, що мало лише деякий (не визначальний) вплив на основні параметри електронного перенесення в діелектриках. В той же час, існують певні прогалини в експериментальному вивченні переходу метал-діелектрик андерсонівського типу, що відбувався б чисто за рахунок розупорядкування. До теперішнього часу таке розупорядкування досягалося в сильно легованих напівпровідниках шляхом введення компенсуючої домішки прямим легуванням або, в деяких випадках, за рахунок ядерних трансмутацій. Перспективи того шляху, однак, обмежені через неможливість отримання точної компенсації, що вимагається за умов, коли вихідний сильно легований напівпровідник є дійсно добрим металом і домішкова зона має надійне енергетичне перекриття з зоною провідності (для n-типу), де й має знаходитися рівень Фермі. Останнє досягається лише за умови перевищення моттівської концентрації щонайменше на 3 порядки. В цій роботі пропонуються до розгляду результати циклу експериментальних досліджень добрих металів у вигляді твердих розчинів Si0.7Ge0.3, що леговані бором або фосфором аж до межі розчинності (ND,NA  21021 см-3) і потім переведені в діелектричний стан шляхом розширення смуги домішкових станів великим флюенсом нейтронного опромінення.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ОПРОМІНЕНИХ ДІЕЛЕКТРИКАХ ТА ВЛАСТИВОСТІ КОМПОЗИЦІЙ, ЩО МІСТЯТЬ ЯДЕРНЕ ПАЛИВО

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок