Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ДИНАМІКА ЗАСЕЛЕНОСТІ НЕСТАЦІОНАРНИХ СТАНІВ В НАПІВПРОВІДНИКАХ

ДИНАМІКА ЗАСЕЛЕНОСТІ НЕСТАЦІОНАРНИХ СТАНІВ В НАПІВПРОВІДНИКАХ

Назва:
ДИНАМІКА ЗАСЕЛЕНОСТІ НЕСТАЦІОНАРНИХ СТАНІВ В НАПІВПРОВІДНИКАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,00 KB
Завантажень:
68
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ЛЬВІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ІВАНА ФРАНКА
ДЕМКІВ
Лідія Степанівна
УДК 537.1.01, 621.315.592
ДИНАМІКА ЗАСЕЛЕНОСТІ НЕСТАЦІОНАРНИХ СТАНІВ
В НАПІВПРОВІДНИКАХ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
ЛЬВІВ – 2001


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики напівпровідників Львівського національного університету імені Івана Франка, Міністерство освіти і науки України.
НАУКОВИЙ КЕРІВНИК: доктор фізико-математичних наук, професор
Стахіра Йосип Михайлович, декан фізичного факультету, завідувач кафедри фізики напівпровідників Львівського національного університету імені Івана Франка.
ОФІЦІЙНІ ОПОНЕНТИ: доктор фізико-математичних наук, професор
Шендеровський Василь Андрійович, провідний науко-вий співробітник Інституту фізики НАН України, м.Київ;
кандидат фізико-математичних наук, доцент
Колінько Микола Іванович, доцент кафедри експериментальної фізики Львівського національного університету імені Івана Франка.
ПРОВІДНА УСТАНОВА: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, кафедра фізичної електроніки, Міністерство освіти і науки України.
Захист відбудеться “23” травня 2001 р. о 15.30 годині
на засіданні спеціалізованої Вченої Ради Д .051.09 при Львівському національному університеті імені Івана Франка за адресою: 79005, м.Львів, вул.Драгоманова, 50, фізичний факультет, аудиторія 1.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Львівського національного університету імені Івана Франка (м.Львів, вул.Драгоманова, 5).
Автореферат розіслано “19“ квітня 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої Вченої Ради,
доктор фіз.-мат. наук,
професор Блажиєвський Л.Ф.
Загальна характеристика роботи
Стрімкий розвиток мікроелектроніки робить необхідним дослідження традиційних і пошук нових матеріалів зі специфічними напівпровідниковими властивостями. Як правило, останні мають складну структуру фононного та електронного спектрів. Дослідження та інтерпретація електрофізичних характеристик у таких матеріалах є складною задачею і вимагає розвитку нових методів досліджень.
Ефективність використання оптичних методів для дослідження зонної структури твердого тіла загально відома. В окремих випадках дослідження оптичних констант традиційними методами є малоінформативними, оскільки при реєстрації оптичних констант в інтегральних спектрах особливості структури зон маскуються накладанням декількох можливих переходів з близькими енергіями. Деколи таку приховану структуру можна виявити за допомогою більш чутливих методик реєстрації, а саме завдяки впровадженню в техніку спектроскопічного експерименту методів модуляції параметрів досліджуваного об’єкта. Розвиток модуляційних методик дозволяє суттєво доповнити результати, отримані з немодульованих спектрів і, таким чином, розширити можливості практичного застосування напівпровідникових матеріалів. До таких матеріалів безумовно відносяться матеріали, що характеризуються складною структурою зон.
Універсальність модуляційних методів полягає в тому, що як модулюючі фактори можуть виступати різні фізичні впливи: електричні і магнітні поля, всебічній стиск і одновісна деформація, зміна температури чи зміна параметрів падаючого електромагнітного випромінювання.
Модуляційні спектри володіють значно більш вираженою структурою кривих, ніж звичайні оптичні спектри, і, відповідно, дають більш точну інформацію про тонку структуру смуг та енергетичне положення критичних точок у зоні Бріллюена. Відомості про розміщення енергетичних рівнів та особливості їх розподілу дозволяють з загальних позицій зрозуміти фізико-хімічні властивості, передбачити можливі характеристики речовин та приладів.
Актуальність теми. Електронну структуру твердих тіл, в тому числі напівпровідників, розраховують за допомогою величезного арсеналу методів. Подальший прогрес у дослідженнях зонної структури твердих тіл і уточненні величин енергій переходів між зонами може бути представлений як симбіоз двох підходів: теоретичного розрахунку зонної структури твердих тіл і енергетичного положення критичних точок, що ґрунтуються на різних підходах, та інтерпретація за їх допомогою результатів вимірювань модуляційних спектрів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ДИНАМІКА ЗАСЕЛЕНОСТІ НЕСТАЦІОНАРНИХ СТАНІВ В НАПІВПРОВІДНИКАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок