Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ УЛЬТРАЗВУКУ НА ПРОЦЕСИ РОСТУ МОНОКРИСТАЛІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ Ga0.03In0.97Sb З РОЗПЛАВУ І ШАРІВ GaAs МЕТОДОМ РІДКОФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ

ВПЛИВ УЛЬТРАЗВУКУ НА ПРОЦЕСИ РОСТУ МОНОКРИСТАЛІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ Ga0.03In0.97Sb З РОЗПЛАВУ І ШАРІВ GaAs МЕТОДОМ РІДКОФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ

Назва:
ВПЛИВ УЛЬТРАЗВУКУ НА ПРОЦЕСИ РОСТУ МОНОКРИСТАЛІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ Ga0.03In0.97Sb З РОЗПЛАВУ І ШАРІВ GaAs МЕТОДОМ РІДКОФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,60 KB
Завантажень:
364
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
КРЕМЕНЧУЦЬКИЙ УНІВЕРСИТЕТ ЕКОНОМІКИ,
ІНФОРМАЦІЙНИХ ТЕХНОЛОГІЙ І УПРАВЛІННЯ
Золкіна Людмила Вікторівна
УДК 546.289
ВПЛИВ УЛЬТРАЗВУКУ НА ПРОЦЕСИ РОСТУ МОНОКРИСТАЛІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ Ga0.03In0.97Sb З РОЗПЛАВУ І ШАРІВ GaAs МЕТОДОМ РІДКОФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ
Спеціальність 05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Кременчук – 2007


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Східноукраїнському національному університеті ім. Володимира Даля МОН України, м. Луганськ
Науковий керівник: кандидат технічних наук, доцент
Кожемякін Геннадій Миколайович,
Східноукраїнський національний університет ім. Володимира Даля МОН України, доцент кафедри прикладного матеріалознавства.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Ковтун Геннадій Прокопович,
Інститут фізики твердого тіла, матеріалознавства і технологій ННЦ “Харківський фізико-технічний інститут” НАН України, начальник лабораторії чистих металів і напівпровідникових матеріалів.
кандидат фізико-математичних наук, доцент
Шепель Леонід Григорович,
Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління МОН України, доцент кафедри фундаментальних дисциплін.
Провідна установа: Харківський національний університет радіоелектроніки МОН України, м. Харків
Захист відбудеться “-15” червня 2007 р. об 11.00 годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради К45.124.01 при Кременчуцькому університеті економіки, інформаційних технологій і управління за адресою: 39600, м. Кременчук, вул. Пролетарська, 24/37, аудит. 1301.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Кременчуцького університету економіки, інформаційних технологій і управління за адресою: 39600, м. Кременчук, вул. Пролетарська, 24/37.
Автореферат розісланий “11” травня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради -С.Е. Притчин


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Дослідження, присвячені вивченню впливу зовнішніх полів на ріст монокристалів із розплавів та розчинів, набувають усе більшого розвитку в зв’язку з перспективами їхнього застосування в технології одержання однорідних монокристалів напівпровідників. Розглядаючи відомі в наш час методи вирощування однорідних монокристалів у магнітному полі, в умовах мікрогравітації і під впливом ультразвуку, слід зазначити, що дані методи спрямовані, насамперед, на усунення основної причини формування шаруватої неоднорідності в монокристалах – конвекції в розплаві. За сучасними уявленнями конвекція викликає флуктуації температури на фронті кристалізації і пов’язані з ними періодичні коливання швидкості росту, які сприяють утворенню шаруватої неоднорідності компонентів у твердій фазі. Неоднорідний розподіл компонентів у кристалах у вигляді шарів призводить до нестабільності їхніх електрофізичних властивостей.
Ефективним методом зниження шаруватої неоднорідності в монокристалах напівпровідників є метод вирощування кристалів в ультразвуковому полі, який на відміну від методів росту в умовах мікрогравітації та магнітному полі має найменшу енергоємність та вартість. Новою перспективною галуззю досліджень у цьому напрямі є вивчення впливу ультразвуку мегагерцового діапазону на ріст трьохкомпонентних напівпровідникових кристалів. У виробництві сучасних оптоелектронних приладів важливе місце займають матеріали на основі монокристалів твердих розчинів, у яких при варіюванні змісту змінюється ширина забороненої зони та довжина хвилі в широкому діапазоні, зокрема монокристали твердих розчинів GaxIn1-xSb. Особливо актуальним на сьогоднішній день є одержання монокристалів, які утворюються на основі хімічної сполуки InSb та мають високу чутливість в інфрачервоній області довжин хвиль близько 5 мкм. Таким вимогам відповідають монокристали Ga0.03In0.97Sb. Спроби одержати дані монокристали високої якості відомими методами не принесли позитивного результату в зв’язку з тим, що витягнені кристали були полікристалами, мали велику кількість тріщин та неоднорідний розподіл компонентів у вигляді шарів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ВПЛИВ УЛЬТРАЗВУКУ НА ПРОЦЕСИ РОСТУ МОНОКРИСТАЛІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ Ga0.03In0.97Sb З РОЗПЛАВУ І ШАРІВ GaAs МЕТОДОМ РІДКОФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок