Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти У КРИСТАЛАХ ТЕЛУРИДІВ СВИНЦЮ І ОЛОВА

Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти У КРИСТАЛАХ ТЕЛУРИДІВ СВИНЦЮ І ОЛОВА

Назва:
Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти У КРИСТАЛАХ ТЕЛУРИДІВ СВИНЦЮ І ОЛОВА
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,15 KB
Завантажень:
207
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Львівський національний університет
імені Івана Франка
Полигач Євген Олегович
УДК 621.315.592
Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти
У КРИСТАЛАХ ТЕЛУРИДІВ СВИНЦЮ І ОЛОВА
(01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків)
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Львів – 2003


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі напівпровідникової електроніки Національного університету “Львівська політехніка”.
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук, професор
Заячук Дмитро Михайлович,
Національний університет “Львівська політехніка”,
професор кафедри напівпровідникової електроніки
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Корбутяк Дмитро Васильович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України, м. Київ
завідувач відділу напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання
доктор фізико-математичних наук, професор
Половинко Ігор Іванович,
Львівський національний університет імені Івана Франка
завідувач кафедри нелінійної оптики
Провідна установа: | Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Міністерства освіти і науки України,
кафедра напівпровідникової мікроелектроніки
Захист відбудеться “ 23 ” квітня 2003 р. о 15 30 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д35.051.09 при Львівському національному університеті імені Івана Франка за адресою:
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Львівського національного університету імені Івана Франка ( 79000, м. Львів, вул. Драгоманова, 5).
Автореферат розісланий “ 22 ” березня 2003 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради |
__________________ |
Б. В. Павлик


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Напівпровідники А4В6, до яких належить досліджувана у даній дисертаційній роботі система PbTe-SnTe, є традиційними і в багатьох випадках практично безальтернативними матеріалами ІЧ-оптоелектроніки. Інтерес до цих сполук виник давно, ще у 50-ті роки ХХ століття, і значною мірою підтримується і по сьогоднішній день. Такий інтерес, перш за все, стимулюється унікальністю властивостей систем А4В6, їх незамінністю для вирішення багатьох специфічних задач, таких як, скажімо, виготовлення потужних лазерних джерел середнього та далекого ІЧ діапазонів для швидкодіючих спектрометрів контролю складу атмосфери, для систем дальнього космічного зв’язку тощо. Це породжує задачу розробки, в першу чергу – на етапі вирощування, ефективних методів керування системою власних дефектів сполук і твердих розчинів А4В6, які є визначальним фактором при формуванні фізичних властивостей кристалів і тонких шарів даної групи напівпровідникових матеріалів.
Одним із ефективних способів вирішення вказаної задачі є уведення чужорідних домішок у кристалічну матрицю А4В6. Про значне зростання інтересу до дослідження процесів легування напівпровідників групи А4В6 взагалі та телуридів свинцю і олова зокрема свідчить збільшення кількості експериментальних та теоретичних робіт у цій галузі. Серед великої різноманітності можливих домішок, які можуть бути застосовані для модифікації властивостей і підвищення експлуатаційних характеристик досліджуваних матеріалів, одними із найперспективніших видаються домішки рідкісноземельних елементів (РЗЕ). Встановлено, що шляхом використання іонів РЗЕ як домішок при формуванні кристалічних матриць різних напівпровідників можна досягати значного “ефекту очистки” останніх – тобто суттєвого (на порядки величини) зниження під впливом легуючої домішки концентрації неконтрольованих фонових домішок у легованих об’ємних кристалах та тонких епітаксійних плівках і спричиненого ним значного зростання рухливості носіїв заряду. За певних умов навіть незначна кількість домішки РЗЕ, що додається у розплав для вирощування кристалів, може суттєво змінювати умови кристалізації, що може знайти застосування для запобігання виникненню у кристалічних матрицях власних дефектів неточкового характеру. Як встановлено на прикладі кристалів PbTe-SnTe, використання легуючих домішок РЗЕ у процесі вирощування кристалів із розплаву дозволяє значно покращувати їх структурну досконалість, зменшувати густину дислокацій у них і знижувати рівень послаблення світла в об’ємі кристалу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти У КРИСТАЛАХ ТЕЛУРИДІВ СВИНЦЮ І ОЛОВА

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок