Загрузка...
Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ І МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ У ТОНКИХ ПЛІВКАХ AIVBVI ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

Загрузка...

ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ І МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ У ТОНКИХ ПЛІВКАХ AIVBVI ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

Назва:
ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ І МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ У ТОНКИХ ПЛІВКАХ AIVBVI ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,83 KB
Завантажень:
317
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0
Загрузка...
Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Міністерство освіти України
Прикарпатський університет імені Василя Стефаника
Лоп'янка
Михайло Антонович
УДК 539.216.2:621.315.592
ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ
І МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ
У ТОНКИХ ПЛІВКАХ AIVBVI
ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ
Спеціальність 01.04.18 - фізика і хімія поверхні
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Івано-Франківськ - 1999
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики твердого тіла Прикарпатського університету імені Василя Стефаника Міністерства освіти України
Науковий керівник: заслужений діяч науки і техніки України, доктор хімічних наук, професор
Фреїк Дмитро Михайлович,
Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
директор Фізико-хімічного інституту, завідувач кафедри фізики твердого тіла,
м.Івано-Франківськ.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Раренко Іларій Михайлович,
Чернівецький державний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри напівпровідникової мікроелектроніки, м.Чернівці;
доктор фізико-математичних наук, професор
Панченко Олег Антонович,
Інститут фізики НАН України, завідувач лабораторією розмірних електронних явищ,
м.Київ.
Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників Національної Академії Наук України,
відділ фізики поверхні та мікроелектроніки,
м.Київ.
Захист відбудеться "9" жовтня 1999 р. о 1000 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К 20.051.03 при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника (76000 м.Івано-Франківськ, вул.Шевченка, 57)
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці університету (76000 м.Івано-Франківськ, вул.Шевченка, 57)
Автореферат розісланий "9" вересня 1999 року
Вчений секретар
спеціалізованої ради В.М.Кланічка
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Успіхи мікроелектроніки на сучасному етапі її розвитку визначаються досягненнями в області напівпровідникового тонкоплівкового матеріалознавства. Можливість плавної зміни ширини забороненої зони у напівпровідниках АIVВVI та їх твердих розчинах від температури, тиску, магнітного поля і складу обумовлюють перспективність цих матеріалів для створення фотоприймачів і лазерів у довгохвильовій області інфрачервоного спектру, а також термоелектричних пристроїв. Високі значення діелектричної проникності та коефіцієнта поглинання ( см-3) дають можливість використовувати епітаксійні плівки для багатоелементних матриць. При цьому найважливішою проблемою є дослідження природи атомних дефектів, керування їх типом і концентрацією, визначення впливу дефектів на характер протікання електронних процесів, їх зв'язку з технологічними параметрами, що визначають умови вирощування тонкоплівкового матеріалу з наперед заданими властивостями.
Не дивлячись на те, що вивчення плівок халькогенідів свинцю ведеться на протязі тривалого часу, огляд існуючих робіт з цієї тематики вказує на ряд проблем, які ще не були з'ясовані. Так, зокрема, на час постановки задачі даної роботи (80-ті роки) залишались не вивченими питання комплексних досліджень впливу технологічних операційних факторів вирощування плівок з парової фази методом гарячої стінки (температури випаровування ТВ, осадження ТП, стінок камери ТС; парціальний тиск компонентів у зоні конденсації ) на фізичні властивості тонкоплівкового матеріалу.
Зауважимо, що вивчення таких об'єктів і процесів вимагає значних матеріальних і часових затрат. В ряді випадків простими підходами неможливо виконати всестороннє дослідження цих процесів. Методи математичного планування і оптимізації багатофакторного експерименту і використання ЕОМ при розв'язанні складних задач напівпровідникового матеріалознавства дозволяють розв'язати поставлені проблеми, значно скоротити необхідні час і затрати при розробці нових технологій і матеріалів.
Крім того, відомі експериментальні дані не дозволяли дати узагальнених висновків відносно закономірностей у зміні електричних властивостей тонких плівок твердих розчинів на основі сполук АIVВVI. Такий стан не зміг забезпечити оптимізації технології вирощування тонкоплівкового матеріалу для потреб оптоелектроніки.
Загрузка...

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Реферат на тему: ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ І МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ У ТОНКИХ ПЛІВКАХ AIVBVI ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2018 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок