Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ І МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ У ТОНКИХ ПЛІВКАХ AIVBVI ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ І МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ У ТОНКИХ ПЛІВКАХ AIVBVI ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

Назва:
ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ І МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ У ТОНКИХ ПЛІВКАХ AIVBVI ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,83 KB
Завантажень:
317
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Міністерство освіти України
Прикарпатський університет імені Василя Стефаника
Лоп'янка
Михайло Антонович
УДК 539.216.2:621.315.592
ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ
І МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ
У ТОНКИХ ПЛІВКАХ AIVBVI
ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ
Спеціальність 01.04.18 - фізика і хімія поверхні
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Івано-Франківськ - 1999
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики твердого тіла Прикарпатського університету імені Василя Стефаника Міністерства освіти України
Науковий керівник: заслужений діяч науки і техніки України, доктор хімічних наук, професор
Фреїк Дмитро Михайлович,
Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
директор Фізико-хімічного інституту, завідувач кафедри фізики твердого тіла,
м.Івано-Франківськ.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Раренко Іларій Михайлович,
Чернівецький державний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри напівпровідникової мікроелектроніки, м.Чернівці;
доктор фізико-математичних наук, професор
Панченко Олег Антонович,
Інститут фізики НАН України, завідувач лабораторією розмірних електронних явищ,
м.Київ.
Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників Національної Академії Наук України,
відділ фізики поверхні та мікроелектроніки,
м.Київ.
Захист відбудеться "9" жовтня 1999 р. о 1000 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К 20.051.03 при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника (76000 м.Івано-Франківськ, вул.Шевченка, 57)
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці університету (76000 м.Івано-Франківськ, вул.Шевченка, 57)
Автореферат розісланий "9" вересня 1999 року
Вчений секретар
спеціалізованої ради В.М.Кланічка
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Успіхи мікроелектроніки на сучасному етапі її розвитку визначаються досягненнями в області напівпровідникового тонкоплівкового матеріалознавства. Можливість плавної зміни ширини забороненої зони у напівпровідниках АIVВVI та їх твердих розчинах від температури, тиску, магнітного поля і складу обумовлюють перспективність цих матеріалів для створення фотоприймачів і лазерів у довгохвильовій області інфрачервоного спектру, а також термоелектричних пристроїв. Високі значення діелектричної проникності та коефіцієнта поглинання ( см-3) дають можливість використовувати епітаксійні плівки для багатоелементних матриць. При цьому найважливішою проблемою є дослідження природи атомних дефектів, керування їх типом і концентрацією, визначення впливу дефектів на характер протікання електронних процесів, їх зв'язку з технологічними параметрами, що визначають умови вирощування тонкоплівкового матеріалу з наперед заданими властивостями.
Не дивлячись на те, що вивчення плівок халькогенідів свинцю ведеться на протязі тривалого часу, огляд існуючих робіт з цієї тематики вказує на ряд проблем, які ще не були з'ясовані. Так, зокрема, на час постановки задачі даної роботи (80-ті роки) залишались не вивченими питання комплексних досліджень впливу технологічних операційних факторів вирощування плівок з парової фази методом гарячої стінки (температури випаровування ТВ, осадження ТП, стінок камери ТС; парціальний тиск компонентів у зоні конденсації ) на фізичні властивості тонкоплівкового матеріалу.
Зауважимо, що вивчення таких об'єктів і процесів вимагає значних матеріальних і часових затрат. В ряді випадків простими підходами неможливо виконати всестороннє дослідження цих процесів. Методи математичного планування і оптимізації багатофакторного експерименту і використання ЕОМ при розв'язанні складних задач напівпровідникового матеріалознавства дозволяють розв'язати поставлені проблеми, значно скоротити необхідні час і затрати при розробці нових технологій і матеріалів.
Крім того, відомі експериментальні дані не дозволяли дати узагальнених висновків відносно закономірностей у зміні електричних властивостей тонких плівок твердих розчинів на основі сполук АIVВVI. Такий стан не зміг забезпечити оптимізації технології вирощування тонкоплівкового матеріалу для потреб оптоелектроніки.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ І МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ У ТОНКИХ ПЛІВКАХ AIVBVI ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок