Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> КОМБІНАЦІЙНЕ РОЗСІЮВАННЯ СВІТЛА В СТРУКТУРАХ З ТОНКИМИ SіGе ШАРАМИ ТА САМОІНДУКОВАНИМИ SіGе НАНООСТРІВЦЯМИ

КОМБІНАЦІЙНЕ РОЗСІЮВАННЯ СВІТЛА В СТРУКТУРАХ З ТОНКИМИ SіGе ШАРАМИ ТА САМОІНДУКОВАНИМИ SіGе НАНООСТРІВЦЯМИ

Назва:
КОМБІНАЦІЙНЕ РОЗСІЮВАННЯ СВІТЛА В СТРУКТУРАХ З ТОНКИМИ SіGе ШАРАМИ ТА САМОІНДУКОВАНИМИ SіGе НАНООСТРІВЦЯМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,91 KB
Завантажень:
200
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ІМЕНІ В.Є.ЛАШКАРЬОВА
УДК 538.975; 535.375.5
ДЖАГАН ВОЛОДИМИР МИКОЛАЙОВИЧ
КОМБІНАЦІЙНЕ РОЗСІЮВАННЯ СВІТЛА В СТРУКТУРАХ З
ТОНКИМИ SіGе ШАРАМИ ТА САМОІНДУКОВАНИМИ SіGе НАНООСТРІВЦЯМИ
(01.04.07 - фізика твердого тіла)
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ-2004


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Науковий керівник - кандидат фізико-математичних наук
Юхимчук Володимир Олександрович,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,
старший науковий співробітник
Офіційні опоненти: член-кор. НАНУ, доктор фіз.-мат. наук, професор,
Лисенко Володимир Сергійович,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
кандидат фіз.-мат. наук, доцент,
Дмитрук Ігор Миколайович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Провідна організація - Чернівецький національний університет,
кафедра фізики твердого тіла
Захист відбудеться 19 листопада 2004 р. о 1415 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, м. Київ, пр. Науки 45.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, м. Київ, пр. Науки 45).
Автореферат розісланий " " жовтня 2004р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради К26.199.01
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Швидкі темпи розвитку електронної техніки вимагають постійного вдосконалення існуючих технологій та стимулюють розробку нових функціональних матеріалів. З огляду на те, що основою сучасної електроніки є і в найближчі роки залишиться добре розвинена та найбільш дешева кремнієва технологія, перспективним способом розширення її можливостей є використання сплаву Si1-xGex як у якості робочих шарів, так і буферних для вирощування на них напружених робочих шарів Si. Завдяки більшій рухливості носіїв заряду в Si/SiGe-гетероструктурах, порівняно з об’ємним кремнієм, досягнуто значно вищих робочих частот в приладах на основі Si/SiGe. Дослідження короткоперіодних надграток (НГ) Si/Ge та квантових ям (КЯ) Si/Si1-xGex/Si зумовлене перспективністю їх застосування в детекторах електромагнітних хвиль близького та середнього ІЧ діапазону.
Однак поряд з широкими перспективами, що відкриває перед опто- та мікроелектронікою використання сплаву Si1-xGex, існує ряд проблем, зокрема, обмежена термічна стійкість таких структур та чутливість до різних технологічних обробок. Особлива увага технологів та науковців приділяється проблемам інтердифузії та релаксації механічних напружень. Легування Si1-xGex шарів атомами вуглецю може розглядатися як ефективний засіб запобігання небажаній пластичній релаксації структур, яка значно погіршує характеристики приладів. Експериментальне дослідження цих питань складало першу мету дисертаційної роботи.
Іншим шляхом, по якому може відбуватися релаксація напруженої плівки Ge/Si є утворення самоіндукованих трьохмірних наноострівців. Наступне зарощування їх кремнієм призводить до утворення квантових точок (КТ) Ge (GeSi) в Si-матриці. Широке застосування таких наноструктур в опто- та наноелектроніці реальне лише при точному передбаченні параметрів КТ для отримання необхідних оптичних та електричних характеристик. Однак, незважаючи на зростаючий інтерес до обговорюваної тематики та зусилля численних груп науковців, на сьогоднішній день не існує однозначного задовільного опису процесів самоіндукованого росту, в тому числі для системи Ge/Si. Так, зокрема, такі структурні параметри наноострівців, що визначають їх оптичні та електричні характеристики, як форма, розміри, компонентний склад, механічні напруження та поверхнева щільність острівців складним чином залежать від умов вирощування. Відомо, що острівці Ge/Si можуть існувати принаймні в двох формах, але не встановлено точні умови за яких переважатиме одна з цих форм або співіснуватимуть обидві.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: КОМБІНАЦІЙНЕ РОЗСІЮВАННЯ СВІТЛА В СТРУКТУРАХ З ТОНКИМИ SіGе ШАРАМИ ТА САМОІНДУКОВАНИМИ SіGе НАНООСТРІВЦЯМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок