Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Вплив термовідпалу на дислокаційно-домішкову структуру кристалів

Вплив термовідпалу на дислокаційно-домішкову структуру кристалів

Назва:
Вплив термовідпалу на дислокаційно-домішкову структуру кристалів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,92 KB
Завантажень:
284
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Київський національний університет
ІМЕНІ Тараса Шевченка
теселько петро олексійович
УДК 539.26:548.4
Вплив термовідпалу на дислокаційно-домішкову
структуру кристалів
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2006
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики металів
Київського національного університету імені Тараса Шевченка.
Науковий керівник:
доктор фізико-математичних наук, професор
Новиков Микола Миколайович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Професор
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
член-кореспондент НАН України
Мільман Юлій Вікторович,
Інститут проблем матеріалознавства ім. 
I.М. Францевича НАН України, м. Київ
зав. відділом фізики високоміцних
та метастабільних сплавів
доктор фізико-математичних наук, професор
член-кореспондент НАН України
Молодкін Вадим Борисович,
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова
НАН України, м. Київ
зав. відділом теорії твердого тіла
Провідна установа:
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, м. Київ
Захист відбудеться “_17_”_квітня_ 2006 року о 14 30 годині
на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.001.23
Київського національного університету імені Тараса Шевченка
за адресою: 03680, м. Київ, просп. Академіка Глушкова, 2, корпус 1, ауд. 200.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці
Київського національного університету імені Тараса Шевченка
за адресою: 01033, м. Київ, вул. Володимирська, 58.
Автореферат розісланий “_09_” _березня_ 2006 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
доктор фізико-математичних наук Л.В. Поперенко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Дисертація присвячена експериментальному вивченню впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів (Cz-Si, CdHgTe, штучного алмазу) на характеристики їх дислокаційно-домішкової структури і розсіяння ними рентгенівських променів. Було відкрито і досліджено явище анізотропії полів напруг в монокристалах кремнію з впорядкованою дислокаційною структурою та процес низькотемпературної повзучості кристалів CdHgTe під дією локального навантаження.
Сьогодні потреба промисловості в високоякісних напівпровідникових кристалах не викликає сумнівів. Монокристалічний кремній, вирощений за методом Чохральського (Cz-Si), завдяки своїм унікальним властивостям, технологічності процесів вирощування та механічної обробки пластин, насьогодні є найпоширенішим серед усіх напівпровідникових матеріалів в приладобудуванні та серійній електронній техніці. Проблема кисню в Cz-Si залишається однією з найбільш актуальних задач розвитку технології вирощування. Кисень в Cz-Si має концентрацію порядку 21018 см-3 і є основною домішкою, що визначає утворення преципітатів та мікродефектів, ефективність гетерування домішок, тощо. Кисневі преципітати є зараз основним, як правило, шкідливим фактором, діючим при виготовленні і експлуатації напівпровідникових приладів, і з цим фактором потрібно рахуватися, а отже детально його вивчати.
Дослідження взаємодії дислокацій з домішковими атомами у кремнії має не лише фундаментальне, а й прикладне значення. Зокрема, при виготовленні інтегральних схем деформаційне старіння намагаються використати як спосіб видалення домішок з активної зони приладу (гетерування домішок). Нагальним фізикотехнічним завданням, над вирішенням якого працюють великі колективи вчених, є неруйнівна структурна діагностика напівпровідникових та оптоелектронних матеріалів. Є багато інструментальних методів дослідження реальних кристалів. Однак основний обсяг найбільш повної і достовірної інформації про структурну досконалість дають ренгенодифракційні методи. Серед них не можна не згадати різні варіанти топографії, інтерферометрії та дифрактометрії. Дифракційні методи дають найбільший обсяг повної та достовірної інформації про дефекти кристалічної структури, до того ж вони можуть бути неруйнівними та експресними.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: Вплив термовідпалу на дислокаційно-домішкову структуру кристалів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок