Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЇ ВИРОЩУВАННЯ НА МІКРОМЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕПІТАКСІЙНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ GaAs

ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЇ ВИРОЩУВАННЯ НА МІКРОМЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕПІТАКСІЙНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ GaAs

Назва:
ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЇ ВИРОЩУВАННЯ НА МІКРОМЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕПІТАКСІЙНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ GaAs
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,39 KB
Завантажень:
267
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ХЕРСОНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
СЄЛІВЕРСТОВА СвІтлана РостиславІвна
УДК 621.315.592: 658.512:620.17
ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЇ ВИРОЩУВАННЯ
НА МІКРОМЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕПІТАКСІЙНИХ СТРУКТУР
НА ОСНОВІ GaAs
05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво
електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Херсон – 2000
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізичної електроніки Херсонського державного технічного університета Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник: доктор технічних наук, професор,
Марончук Ігор Євгенович,
Херсонський державний технічний
університет, зав.кафедрою фізичної
електроніки
Офіційні опоненти:
доктор фізично-математичних наук, старший науковий співробітник, Матвеєва Людмила Олександрівна, Інститут фізики напівпровідників НАН України;
доктор технічних наук, професор, Шарко Олександр Володимирович, Херсонський державний технічний університет Міністерство освіти і науки України
Провідна установа: Науково-виробниче об'єднання “Карат” Міністерства промислової політики України (м. Львів).
Захист дисертації відбудеться " 06 " квітня____ 2001 р. о _1300___ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.67.052.03 при Херсонському держаному технічному університеті за адресою: 73008, м. Херсон, Бериславське шосе, 24
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Херсонського державного технічного університету за адресою: 73008, м. Херсон, Бериславське шосе, 24
Автореферат розісланий " 01 " _березня__ 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради ___________ Литвиненко В.М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Епітаксійні структури на основі GaAs знаходять широке застосування не тільки в дослідницьких роботах як модельні при розробці сучасних технологій і нових типів напівпровідникових приладів, але і широко використовуються в промисловості для виготовлення напівпровідникових лазерів, випромінюючих діодів, фотоприймачів, сонячних батарей, діодів Ганна, інтегральних схем, НЕМПТ-транзисторів і т.д.
В деяких приладах активною областю структури, тобто областю, яка несе активну робочу функцію, є епітаксійний шар. А в деяких приладах активною областю є безпосередньо межа поділу між шарами різноманітного складу, наприклад у приладах заснованих на базі гетероструктури. У зв'язку з цим, ефективність і надійність роботи приладів значною мірою залежать від структурної досконалості та електрофізичних характеристик як об'ємного матеріалу епітаксійної структури, так і її меж. До найважливіших інтегральних характеристик, що визначають властивості епітаксійної структури, належать і мікромеханічні властивості: мікротвердість, мікропластичність, мікрокрихкість. Слід відзначити, що мікромеханічні властивості мають і самостійний інтерес при виготовлені приладів.
Детальні дослідження мікромеханічних властивостей монокристалів діелектричних матеріалів, металів і в меншій мірі напівпровідників показало, що ці властивості суттєво залежать від складу досліджуваного кристала, легуючих домішок, вмісту точкових і лінійних дефектів, залишкових напруг, а також різноманітних зовнішніх впливів. З огляду на високу локальність вимірювань, можна стверджувати, що дослідження мікромеханічних властивостей є достатньо досконалим засобом вивчення якості монокристалів та епітаксійних шарів. Мікромеханічні характеристики мають самостійний інтерес також і в технології виробництва напівпровідникових приладів (різання, скрайбування) .
Особливий інтерес має дослідження мікромеханічних характеристик у взаємозв'язку з технологією їх виготовлення. Знання залежностей мікромеханічних властивостей епітаксійних шарів від умов їх отримання, структурної досконалості і якості обробки поверхні підкладки дозволяє вирощувати епітаксійні структури з контрольованими механічними властивостями, визначати припустимі межі зміни дефектності локальних областей кристалів, що особливо важливо в планарній технології виготовлення інтегральних схем багатоелементних напівпровідникових пристроїв та дискретних приладів великої площини.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЇ ВИРОЩУВАННЯ НА МІКРОМЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕПІТАКСІЙНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ GaAs

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок