Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРОЦЕСИ ПЕРЕНОСУ ТА ЗАХОПЛЕННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В ГЕТЕРОСИСТЕМАХ АМОРФНА ПЛІВКА – КРИСТАЛІЧНИЙ КРЕМНІЙ

ПРОЦЕСИ ПЕРЕНОСУ ТА ЗАХОПЛЕННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В ГЕТЕРОСИСТЕМАХ АМОРФНА ПЛІВКА – КРИСТАЛІЧНИЙ КРЕМНІЙ

Назва:
ПРОЦЕСИ ПЕРЕНОСУ ТА ЗАХОПЛЕННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В ГЕТЕРОСИСТЕМАХ АМОРФНА ПЛІВКА – КРИСТАЛІЧНИЙ КРЕМНІЙ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,91 KB
Завантажень:
350
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
ВОВК ЯРОСЛАВ МИКОЛАЙОВИЧ
УДК 537.311.322
ПРОЦЕСИ ПЕРЕНОСУ ТА ЗАХОПЛЕННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В ГЕТЕРОСИСТЕМАХ АМОРФНА ПЛІВКА – КРИСТАЛІЧНИЙ КРЕМНІЙ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ-2006


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Національної академії наук України, м. Київ.
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук
Назаров Олексій Миколайович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
НАН України,
провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук
Каганович Елла Борисівна,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
НАН України,
провідний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук
Крайчинський Анатолій Миколайович,
Інститут фізики НАН України,
провідний науковий співробітник
Провідна установа: | Київський національний університет ім. Тараса Шевченка, кафедра напівпровідникової електроніки, м. Київ |
Захист відбудеться 24 березня 2006 року о 14 год. 15 хв. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45, м. Київ, 03028
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45, м. Київ, 03028
Автореферат розісланий 21 лютого 2006 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
доктор фізико-математичних наук, професор Іщенко С.С.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Починаючи з 60-х років минулого століття монокристалічний кремній (c-Si) є домінуючим матеріалом для мікроелектроніки завдяки його механічним, хімічним і електричним властивостям. Однак, швидкий розвиток комунікаційних технологій в останні роки потребує оптоелектронних елементів здатних генерувати, модулювати і приймати оптичні сигнали. Нажаль, кристалічний кремній, внаслідок непрямозонної структури, має низьку ефективність при його використанні у якості світлового емітера. Крім того, через малу ширину забороненої зони c-Si (1.1 еВ), неможливо отримати випромінювання у видимому та ультрафіолетовому діапазонах довжин хвиль. В зв’язку з цим виникає необхідність у створенні і дослідженні нових мікро- та оптоелектронних приладів на основі гетеросистем, які б могли поєднати досягнення сучасної кремнієвої технології з унікальними властивостями інших матеріалів. Найбільш цікавими, в технологічному і економічному аспектах, є гетеросистеми, що складаються з аморфних напівпровідникових або діелектричних плівок нанесених на монокристалічну кремнієву підкладинку. Такі системи дозволяють реалізувати як потужні і високовольтні прилади на базі плівок аморфного карбіду кремнію (a-SiC), так і інтегральні електролюмінесцентні прилади на основі шарів аморфного гідрогенізованого кремнію (a-Si:H), легованого атомами рідкоземельних елементів (РЗЕ), або діоксиду кремнію (SiO2), що містить нанокластери Ge. Однак створення ефективних приладів на базі таких гетеросистем вимагає, в першу чергу, детального вивчення процесів переносу та захоплення носіїв заряду, як на межі розподілу аморфний матеріал /c-Si, так і в об’ємі аморфних плівок, якість яких суттєво впливає на електричні та оптичні властивості приладів. Крім того, знання цих фізичних процесів дозволяє пропонувати матеріали, технологічні операції і конструкції, які треба використовувати, щоб отримати прилади з необхідними властивостями.
В зв’язку з вищесказаним, актуальність наукової задачі, що вирішується у даній роботі обумовлена необхідністю ретельного дослідження і пояснення процесів переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах аморфна плівка – кристалічний кремній, а також впливу, на ці процеси, низькотемпературної ВЧ плазмової обробки, для можливості створення більш ефективних і надійних мікро- та оптоелектронних приладів з використанням стандартної кремнієвої технології.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ПРОЦЕСИ ПЕРЕНОСУ ТА ЗАХОПЛЕННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В ГЕТЕРОСИСТЕМАХ АМОРФНА ПЛІВКА – КРИСТАЛІЧНИЙ КРЕМНІЙ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок