Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ НЕЛІНІЙНИХ ЕФЕКТІВ ПідСИЛЕННЯ НА ПАРАМЕТРИ МАЛОСИГНАЛЬНОГО РЕЖИМУ ГЕНЕРАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ЛАЗЕРІВ

ВПЛИВ НЕЛІНІЙНИХ ЕФЕКТІВ ПідСИЛЕННЯ НА ПАРАМЕТРИ МАЛОСИГНАЛЬНОГО РЕЖИМУ ГЕНЕРАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ЛАЗЕРІВ

Назва:
ВПЛИВ НЕЛІНІЙНИХ ЕФЕКТІВ ПідСИЛЕННЯ НА ПАРАМЕТРИ МАЛОСИГНАЛЬНОГО РЕЖИМУ ГЕНЕРАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ЛАЗЕРІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,81 KB
Завантажень:
281
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Харківський національний університет
iм. В. Н. Каразiна
УДК 621. 373. 826
Лисак Володимир Валерійович
ВПЛИВ НЕЛІНІЙНИХ ЕФЕКТІВ ПідСИЛЕННЯ НА
ПАРАМЕТРИ МАЛОСИГНАЛЬНОГО РЕЖИМУ ГЕНЕРАЦІЇ
НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ЛАЗЕРІВ
Спеціальність 01.04.05 - оптика, лазерна фізика
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата
фізико-математичних наук
Харків – 2000
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізичних основ електронної техніки Харківського державного університету радіоелектроніки Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: кандидат технічних наук, доцент,
Сухоіванов Ігор Олександрович,
доцент кафедри фізичних основ електронної техніки
Харківського державного університету радіоелектроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор,
Милославський Володимир Костянтинович,
завідувач кафедри фізичної оптики
Харківського національного університету ім. В. Н. Каразіна
доктор фізико-математичних наук, професор, Рожицький Микола Миколайович,
професор кафедри біомедицинських пристроїв та систем
Харківського державного університету радіоелектроніки
Провідна установа: Київський національний університет ім. Тараса Шевченка,
кафедра квантової радіофізики, м. Київ.
Захист відбудеться “22” грудня 2000 р. о 1600 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради
Д64.051.03 Харківського національного університету ім. В. Н. Каразіна, (61077, м. Харків-77, майд. Свободи, 4), ауд. Ім. К. Д. Сінельникова.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Харківського національного університету ім. В. Н. Каразіна, (61077, м. Харків-77, майд. Свободи, 4)
Автореферат розісланий 20. 11. 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради В. П. Пойда
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми дисертації. Розвиток сучасних волоконно - оптичних систем передачі інформації вимагає удосконалення конструкції і оптимізації параметрів інжекційних напівпровідникових лазерів, які є основними елементами цієї системи. Діапазон випромінювання таких лазерів повинен співпадати з дисперсною лінією світловоду, що визначає типи напівпровідникових матеріалів, які використовуються для виготовлення таких лазерів. Це матеріали III – V групи, такі як GaAs, AlXGa1-XAs, InXGa1-XAs, InXGa1-XAsYP1-Y, та ін.
Технологія створення лазерів перейшла від гомолазерів, із граничними струмами десятки міліампер [L2], до лазерів на квантових точках, із граничними струмами порядку мікроампер [L3].
На сьогодні розроблена велика кількість інжекційних напівпровідникових лазерів, серед яких виділяються два основних класи: лазери на подвійних гетероструктурах з об'ємним активним шаром товщиною приблизно 10-7 м і квантоворозмірними активними шарами товщиною 10-8 м і менше. Якщо в 70-80-х роках лазери з об'ємним активним шаром були єдиними джерелами випромінювання, які застосовувались у волоконно - оптичних системах передачі, то з появою квантоворозмірних лазерів, що відрізняються більш широкою смугою модуляції і меншим граничним струмом, лазери з об'ємним активним шаром були витиснуті з ринку високошвидкісних систем передачі далекої дії. Однак ці лазери займають міцні позиції в системах запису і зчитування інформації, а також у локальних системах зв'язку. В цей час розвиток технології виготовлення лазерів підвищив швидкість передачі даних до 40 Гбіт/с і це ще не межа. Продовження удосконалення обох типів лазерів вимагає подальшої розробки математичних моделей і розвитку процесу моделювання.
Основне значення у виникненні напівпровідникових лазерів зіграли роботи Н. Г. Басова, Ж. І. Алфьорова, Н. Холла та Х. Кремера. Розвитку технологій виготовлення напівпровідникових лазерних структур у промислово розвинених країнах Європи, Азії та Америки приділяється велика увага. У країнах СНД інтенсивне дослідження в цій області ведеться у фізичному інституті ім. П. М. Лебедєва РАН у Москві, у фізико-технічному інституті ім. А. Ф. Іоффе РАН у Санкт-Петербурзі, НПО "Полюс", інституті фізики напівпровідників НАНУ в Києві й інших наукових центрах.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ВПЛИВ НЕЛІНІЙНИХ ЕФЕКТІВ ПідСИЛЕННЯ НА ПАРАМЕТРИ МАЛОСИГНАЛЬНОГО РЕЖИМУ ГЕНЕРАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ЛАЗЕРІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок