Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОТРИМАННЯ ТЕЛУРУ ВИСОКОЇ ЧИСТОТИ З ПОНИЖЕНИМ ВМІСТОМ КИСНЮ ДЛЯ РІДИНОФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ КАДМІЙ-РТУТЬ-ТЕЛУР

ОТРИМАННЯ ТЕЛУРУ ВИСОКОЇ ЧИСТОТИ З ПОНИЖЕНИМ ВМІСТОМ КИСНЮ ДЛЯ РІДИНОФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ КАДМІЙ-РТУТЬ-ТЕЛУР

Назва:
ОТРИМАННЯ ТЕЛУРУ ВИСОКОЇ ЧИСТОТИ З ПОНИЖЕНИМ ВМІСТОМ КИСНЮ ДЛЯ РІДИНОФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ КАДМІЙ-РТУТЬ-ТЕЛУР
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,05 KB
Завантажень:
150
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
КРЕМЕНЧУЦЬКИЙ УНІВЕРСИТЕТ ЕКОНОМІКИ,
ІНФОРМАЦІЙНИХ ТЕХНОЛОГІЙ І УПРАВЛІННЯ
Тербан Віктор Андрійович
УДК 548.316.2
ОТРИМАННЯ ТЕЛУРУ ВИСОКОЇ ЧИСТОТИ З ПОНИЖЕНИМ
ВМІСТОМ КИСНЮ ДЛЯ РІДИНОФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ
КАДМІЙ-РТУТЬ-ТЕЛУР
05.27.06 – Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Кременчук – 2006




Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в ВАТ “Чисті метали” (м. Світловодськ). | Науковий керівник: | доктор технічних наук, професор Оксанич Анатолій Петрович,
Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, завідувач кафедри комп'ютеризованих систем автоматики.
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Ковтун Геннадій Прокопович,
Інститут фізики твердого тіла, матеріалознавства і технологій ННЦ “Харківський фізико-технічний інститут” НАН України, начальник лабораторії чистих металів і напівпровідникових матеріалів.
доктор технічних наук, професор
Левінзон Давид Іделевич,
Гуманітарний університет “Запорізький інститут державного та муніципального управління”, завідувач кафедри фізичної та біомедичної електроніки.
Провідна установа: | Науково-виробниче підприємство “Карат”, м. Львів.
Захист відбудеться " 26 " травня 2006 p. о годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К45.124.01 при Кременчуцькому університеті економіки, інформаційних технологій і управління за адресою:
39600, м. Кременчук, вул. Пролетарська, 24\37, аудит. 1301.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Кременчуцького університету економіки, інформаційних технологій і управління за адресою: 39600, м. Кременчук, вул. Пролетарська, 24\37
Автореферат розісланий " ____ " _____________ 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради С. Е. Притчин


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Для виготовлення фотоприймальних пристроїв ІЧ-діапазону (8 _12 мкм), використовуються напівпровідникові тверді розчини CdxHg1-xTe (КРТ) з мольною часткою х 0.2. На основі об'ємних кристалів КРТ серійно виготовляються дискретні фоторезистивні приймачі та лінійки приймачів малої щільності. Подальше вдосконалення приладів на основі об'ємного матеріалу КРТ стримується фізико-хімічними особливостями системи HgTe-CdTe, які обмежують можливість отримання монокристалів великих розмірів із заданими властивостями. Для створення багатоелементних фотоприймачів та матриць необхідно мати матеріал КРТ великої площі з високою однорідністю властивостей. Такі вимоги можливо реалізувати тільки шляхом епітаксіальних технологій. Епітаксіальні методи дозволяють одержувати також багатошарові й однорідні по площі структури, скоротивши при цьому тривалість процесу вирощування в десятки разів. Епітаксіальні шари КРТ вирощують різними методами, що мають свої переваги і недоліки. Серед них метод рідинофазної епітаксії при розвязанні проблеми планарності вільної поверхні епітаксіального шару є найбільш перспективним методом промислово-оріентованої технології отримання епітаксіальних структур КРТ на підкладках CdZnTe (КЦТ). При цьому в якості розчинника використовується телур високої чистоти (99.9999 %мас.) з контрольованим вмістом домішок, що проявляються електрично активними у твердих розчинах. Удосконалювання технології вирощування епітаксіальних структур КРТ в значній мірі залежить також від якості підкладок із кристалів КЦТ, структурна досконалість та електричні параметри яких визначаються чистотою вихідних компонентів і, особливо, вмістом залишкових домішок у телурі високої чистоти.
Телур високої чистоти для електронної промисловості (99.9999 % мас. і більше) одержують шляхом комплексного застосування фізико-хімічних методів очистки телуру технічної чистоти (99.95 %мас.), включаючи стадії хімічної обробки, багаторазової дистиляції і зонної перекристалізації. При цьому газові та газоутворюючі елементи домішок при визначенні ступеня чистоти не враховуються, що в окремих застосуваннях може бути критичним.
З підвищенням вимог до епітаксіальних структур КРТ зростають вимоги до ступеню чистоти вихідних компонентів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ОТРИМАННЯ ТЕЛУРУ ВИСОКОЇ ЧИСТОТИ З ПОНИЖЕНИМ ВМІСТОМ КИСНЮ ДЛЯ РІДИНОФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ КАДМІЙ-РТУТЬ-ТЕЛУР

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок