Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN

Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN

Назва:
Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,50 KB
Завантажень:
104
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Національна академія наук України
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Куракін Андрій Михайлович
УДК 621.328.2
Радіаційні ефекти в польових транзисторах
на базі гетеропереходів AlGaN/GaN
05.27.06 – технологія, обладнання і виробництво електронної техніки
 
автореферат
дисертації на здобуття вченого ступеня
кандидата технічних наук
Київ - 2006


Дисертацією є рукопис
Роботу виконано в Інституті фізикі напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Науковий керівник |
доктор технічних наук, професор
Конакова Раїса Василівна
провідний науковий спеціаліст
Офіційні опоненти
член.-корр. НАНУ, доктор фізико-математичних наук, професор
Лисенко Володимир Сергійович
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова,
Завідувач відділу
кандидат фізико-математичних наук, доцент
Шкавро Анатолій Григорович
Київський національний університет ім.. Т.Г. Шевченка, м. Київ
Провідна організація:
Національний технічний університет України “Київський Політехнічний Інститут” кафедра прикладної фізики, Київ
Захист відбудеться 17 лютого 2006 року о 15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників НАН України, за адресою: 03028, м. Київ, пр. Науки, 45
З дисертацією модна ознайомитися в бібліотеці Інститу фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАНУ
Автореферат розісланий 16 січня 2006 року
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Охрименко О.Б.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми
Найбільш важливі з практичної точки зору властивості напівпровідників визначаються природою і властивостями дефектів кристалічної гратки матеріалу. Фактично, розвиток технології і успіхи в матеріалознавстві напівпровідникових матеріалів, напівпровідниковій електроніці є результатом невпинного вдосконалення мистецтва контролю і прогнозування впливу дефектів на властивості матеріалу і характеристики приладів. Виготовлення напівпровідникових приладів мікроелектроніки зазвичай пов’язано з формуванням контактних систем типу метал-напівпровідник, напівпровідник-напівпровідник. Утворення таких границь (гетерограниць) в приладній структурі можна розглядати, як утворення дефекту матеріалу, або дефектних шарів в околі яких відбувається різка зміна властивостей системи (матеріалу). Окрім утворення контрольованих дефектів матеріалу для надання необхідної функціональності приладу, на стадії проектування і апробації приладів суттєвим є аналіз взаємодії таких дефектів з неконтрольованими власними дефектами системи, а також ефектів еволюції дефектної структури у часі. Досить інформативними при вивченні еволюції дефектної структури приладних структур і її впливу на процеси струмопереносу є експрес дослідження радіаційної стійкості приладів (здатність приладів зберігати робочі параметри і характеристики протягом певного періоду часу під впливом іонізуючого опромінення). Широкий спектр явищ, до якого входять радіаційні ефекти в напівпровідникових матеріалах, радіаційні ефекти на поверхні, радіаційні ефекти в контактах метал-напівпровідник напівпровідник-напівпровідник, є предметом вивчення багатьох сучасних досліджень, спрямованих на визначення факторів, які впливають на швидкість радіаційного старіння і загальну надійність приладів.
Мініатюризація приладних структур (зменшення розмірів активних областей приладів), пошук і вивчення нових напівпровідникових матеріалів для застосування в майбутніх обчислювальних і телекомунікаційних системах є важливими напрямками розвитку напівпровідникової мікро і опто електроніки.
В останнє десятиліття досягнуто значних успіхів в матеріалознавстві тринітридів, що викликало підвищений інтерес до цієї групи напівпровідникових матеріалів у розробників мікрохвильових напівпровідникових приладів. В цій групі напівпровідників найбільш вдалими виявилися GaN і AlGaN, що пов’язано з значним досвідом роботи з ними технологів (такі роботи розпочалися понад 40 років тому) і особливими властивостями цих матеріалів, що обумовлюють їх високу термо- і радіаційну стійкість, в порівнянні з Si i GaAs, давно бажані й очікувані на практиці властивості напівпровідникових приладів НВЧ діапазону.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок