Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ІНФРАЧЕРВОНІ ДЕТЕКТОРИ НА ОСНОВІ HgMnTe : ФІЗИЧНІ І ТЕХНОЛОГІЧНІ ПРОБЛЕМИ

ІНФРАЧЕРВОНІ ДЕТЕКТОРИ НА ОСНОВІ HgMnTe : ФІЗИЧНІ І ТЕХНОЛОГІЧНІ ПРОБЛЕМИ

Назва:
ІНФРАЧЕРВОНІ ДЕТЕКТОРИ НА ОСНОВІ HgMnTe : ФІЗИЧНІ І ТЕХНОЛОГІЧНІ ПРОБЛЕМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,28 KB
Завантажень:
365
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
Сун Вейгуо
УДК 621.315.292
ІНФРАЧЕРВОНІ ДЕТЕКТОРИ НА ОСНОВІ HgMnTe :
ФІЗИЧНІ І ТЕХНОЛОГІЧНІ ПРОБЛЕМИ
Спеціальність
01.04.10- фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2000
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті оптоелектроніки,
м. Лоян, Китайська Народна Республіка і
Чернівецькому державному університеті
імені Юрія Федьковича.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Косяченко Леонід Андрійович, Чернівецький державний університет, завідувач кафедри оптоелектроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Лашкарьов Георгій Вадимович, Інститут матеріалознавства НАН України, завідувач відділом (м. Київ)
доктор фізико-математичних наук, професор Паранчич Степан Юрійович, Чернівецький державний університет, професор кафедри фізичної електроніки
Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників НАН України (м. Київ)
Захист відбудеться 27 вересня 2000 р. о 14-ій год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д76.051.01 при Чернівецькому державному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького державного університету імені Юрія Федьковича (вул. Л. Українки, 23).
Автореферат розісланий 25 серпня 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми
Дослідження і розробка детекторів інфрачервоного (ІЧ) випро-мінювання є важливою науково-технічною проблемою. Представляючи значний фізичний інтерес, такі детектори, в той же час, є складовою частиною багатьох спектроскопічних систем для фундаментальних дос-ліджень, тепловізійної апаратури для промисловості, медицини і оточу-ючого середовища, пошуку природних ресурсів Землі, ІЧ радіометрів і далекомірів, інших галузях науки і техніки.
Сьогодні твердий розчин Hg1-xCdxTe є одним із найважливіших напівпровідників для високоефективних ІЧ детекторів як фоторезистив-ного, так і фотовольтаічного типу. Однак, добре відомі і серйозні технологічні проблеми, зумовлені "нестабільністю" кристалічної гратки Hg1-xCdxTe, поверхні кристалу і меж поділу. Ці проблеми спричиняють пошук матеріалу, який би дозволив покращити характеристики і параметри приладів, особливо для “атмосферного вікна” в області довжин хвиль 8-14 мкм.
Як альтернатива Hg1CdxTe детекторам, були запропоновані фоторезистори на основі домішкової фотопровідності в Si і Ge, фотодіо-ди з бар’єром Шотткі типу Pt-Si і Ir-Si, дія яких базується на фотозбуд-женні носіїв з шару силіціду в напівпровідник. Досліджено також ІЧ детектори, які працюють на міжпідзонних електронних переходах в надгратках Ga1-xAlxAs/GaAs, InAs1-xSbx/InSb, Si1-xGex/Si та іншого типу, а також високотемпературні надпровідники, зокрема YBaCuO або Ba1KxBiO, спектр чутливості яких охоплює широкий діапазон від ультрафіолетового до міліметрового випромінювання. Проте всі ці детектори або потребують глибокого охолодження, або ж поступаються за ключовими параметрами перед фотодіодами на основі Hg1CdxTe.
В середині 1980-х років було теоретично обгрунтоване перед-бачення, що твердий розчин телуриду ртуті-марганцю (Hg1MnxTe) може стати перспективним матеріалом ІЧ техніки. В наступні роки це передбачення було підкріплене аналізом наукових і технологічних аспектів проблеми. Проте цілий ряд питань щодо електричних і оптичних властивостей монокристалів, механізмів переносу заряду і фотоелектричних процесів в діодних структурах, а також проблеми технології створення багатоелементних матриць Hg1MnxTe фотодіодів, на початок виконання дисертації залишались нез’ясованими. З викладеного випливає актуальність дисертаційної роботи.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами
Дисертаційна робота виконана в рамках планів науково-дослідних робіт Інституту Оптоелектроніки (м. Лоян, КНР) в 1996-2000 рр.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ІНФРАЧЕРВОНІ ДЕТЕКТОРИ НА ОСНОВІ HgMnTe : ФІЗИЧНІ І ТЕХНОЛОГІЧНІ ПРОБЛЕМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок