Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> СТВОРЕННЯ ТА МОДИФІКАЦІЯ СТРУКТУР Me-CdZnTe-Me ДЛЯ ДЕТЕКТУВАННЯ ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ

СТВОРЕННЯ ТА МОДИФІКАЦІЯ СТРУКТУР Me-CdZnTe-Me ДЛЯ ДЕТЕКТУВАННЯ ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ

Назва:
СТВОРЕННЯ ТА МОДИФІКАЦІЯ СТРУКТУР Me-CdZnTe-Me ДЛЯ ДЕТЕКТУВАННЯ ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,50 KB
Завантажень:
217
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ЕЛЕКТРОФІЗИКИ І РАДІАЦІЙНИХ ТЕХНОЛОГІЙ
Кутній Дмитро Володимирович
УДК 539.1.074
СТВОРЕННЯ ТА МОДИФІКАЦІЯ СТРУКТУР Me-CdZnTe-Me
ДЛЯ ДЕТЕКТУВАННЯ ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Харків–2005


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Національному науковому центрі “Харківський фізико-технічний інститут” НАН України, м. Харків
Науковий керівник | кандидат фізико-математичних наук,
Тихоновський Михайло Андрійович,
Національний науковий центр “Харківський фізико-технічний інститут” НАН України,
начальник лабораторії ІФТТМТ ННЦ ХФТІ.
Офіційні опоненти:
доктор технічних наук,
Білоус Віталій Арсенійович,
Інститут фізики твердого тіла, матеріалознавства та технологій ННЦ “Харківський фізико-технічний інститут” НАН України, м. Харків, заступник директора, науковий керівник відділу.
доктор технічних наук,
Загоруйко Юрій Анатолійович
Державна наукова установа НТК “Інститут монокристалів” Інститут монокристалів НАН України, провідний науковий співробітник.
Провідна установа | Національний технічний університет “Харківський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України, кафедра металів та напівпровідників, м. Харків.
Захист відбудеться “27 ” лютого_ 2006 р. о _ 16 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .245.01 при Інституті електрофізики і радіаційних технологій НАН України, за адресою:
61103, м. Харків, вул. Гамарника, 2, корпус У-3, НТУ “ХПІ”, ауд. 204.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту електрофізики і радіаційних технологій НАН України: 61024, м. Харків, вул. Гуданова, 13; відзиви на автореферат можна надсилати за адресою: 61002, м. Харків,
вул. Чернишевського, 28, а/с 8812.
Автореферат розісланий “ 23 ” січня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д .245.01
кандидат фізико-математичних наук Литвиненко В.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Вирішення проблем ефективного моніторингу навколишнього середовища і контролю складу радіонуклідів у ядерному паливі та радіоактивних відходах залишається актуальним в усьому світі, включаючи і Україну, що має великомасштабну атомну промисловість. В даний час кількість ядерних матеріалів зростає в результаті зняття з експлуатації ядерних установок і, як наслідок, утворення нових радіоактивних відходів. Ефективний моніторинг неможливий без високочутливих датчиків для реєстрації іонізуючих випромінювань. Розробка і створення сучасних детекторів ?-випромінювання вважається особливо актуальним завданням для України, з огляду на наслідки Чорнобильської аварії та загальний рівень техногенного забруднення.
Напівпровідникові детектори мають ряд переваг в порівнянні з іонізаційними газовими камерами і сцинтиляторами. Їх головна перевага висока чутливість при малих розмірах. Найбільш вдале поєднання електрофізичних і детектуючих характеристик можливо одержати при виготовленні напівпровідникових детекторів ?_випромінювання на основі сполук CdTe і CdZnTe, що здатні працювати при кімнатній температурі.
Твердотільний напівпровідниковий детектор являє собою напівпровідник з нанесеними на його протилежні грані металевими контактами, тобто структуру метал-напівпровідник-метал (МНМ). Електрофізичні та детектуючі характеристики такої структури залежать як від властивостей самого напівпровідникового матеріалу, так і від властивостей межі розподілу метал-напівпровідник, матеріалу і способу виготовлення контакту. Межа розподілу метал-напівпровідник значним чином впливає на властивості контактів, які найчастіше визначають характеристики напівпровідникового детектора.
Аналіз літературних даних показує, що на сьогоднішній день не існує однозначної думки про те, який матеріал контакту та метод його нанесення є оптимальними при виготовленні структур Me-CdZnTe-Me, що призначені для детектування ?-випромінювання. Крім того, навіть такий найбільш поширений метод формування контактів, як хімічне осадження золота, дотепер не дозволяє одержувати повністю повторювані результати.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: СТВОРЕННЯ ТА МОДИФІКАЦІЯ СТРУКТУР Me-CdZnTe-Me ДЛЯ ДЕТЕКТУВАННЯ ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок