Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННО-ЙОННИХ МЕТОДІВ СТВОРЕННЯ НАНОСТРУКТУР ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ЕЛЕМЕНТІВ ДЛЯ НВІС

ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННО-ЙОННИХ МЕТОДІВ СТВОРЕННЯ НАНОСТРУКТУР ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ЕЛЕМЕНТІВ ДЛЯ НВІС

Назва:
ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННО-ЙОННИХ МЕТОДІВ СТВОРЕННЯ НАНОСТРУКТУР ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ЕЛЕМЕНТІВ ДЛЯ НВІС
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
35,62 KB
Завантажень:
480
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 
НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ “КПІ”
ВЕРБИЦЬКИЙ ВОЛОДИМИР ГРИГОРОВИЧ
УДК 621.382.621.3.049.77
ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННО-ЙОННИХ МЕТОДІВ СТВОРЕННЯ НАНОСТРУКТУР ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ЕЛЕМЕНТІВ ДЛЯ НВІС
Спеціальність 05.27.01 -твердотільна електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
Київ - 2003
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Державному підприємстві НДІ мікроприладів
Науковий консультант - доктор технічних наук, професор
Денбновецький Станіслав Володимирович,
Національний технічний університет України “КПІ”,
завідувач кафедри електронних приладів та пристроїв .
Офіційні опоненти – доктор технічних наук., член.кор. НАНУ, професор
Войтович Ігор Данилович,
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАНУ,
завідувач відділом .
доктор фізико-математичних наук, професор,
Чайка Василь Євгенович,
Національний технічний університет України “КПІ”,
професор кафедри електронних приладів та пристроїв.
доктор технічних наук, професор,
Політанський Леонід Францевич,
Чернівецький державний університет
голова правління ВАТ “Гравітон” (м. Чернівці).
Провідна установа – Харківський національний технічний університет радіоелектроніки
(м. Харків).
Захист відбудеться 27.10.2003р. о 13 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.26.002.08 Національного технічного університету України “КПІ” Міністерства науки і освіти України за адресою: 03056, м. Київ, пр. Перемоги, 37, навчальний корпус 12, ауд. 114
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці НТУУ “КПІ” за адресою: 03056, м. Київ-56, пр. Перемоги, 37.
Автореферат розісланий 25.09.2003р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д.26.002.08
канд. техн. наук, професор Писаренко Л.Д.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. На сучасному етапі розвитку мікро- та оптоелектроніки за кожні півтора року проходить удвоєння кількості елементів на кристалі. Оцінки двадцятирічного періоду розвитку визначають, що до кінця 2012 року мінімальні розміри елементів будуть 13-35нм, а густина становитиме 14109 транзисторів на чип.
Досягти цього можна буде за рахунок удосконалення існуючих базових технологій та розробки нових, основаних на застосуванні електричного розряду в газовій фазі, що дасть змогу інтенсифікувати хімічну взаємодію плівкоутворюючих частинок за рахунок дисоціації та іонізації газів у плазмі, істотно розширити коло плівкових матеріалів. Крім того, поряд з такими важливими параметрами, як температура підкладки, швидкість конденсації плівок виникне ще один могутній інструмент керування її властивостями у вигляді йонів з контрольованою енергією, здатних впливати на поверхню шару, що росте за рахунок бомбардування.
Дослідженню формування плівок, отримуваних йонно-плазмовими методами присвячено велику кількість робіт. Однак у переважній більшості з них досліджуються часткові питання прикладного характеру. Фундаментальні дослідження формування плівок, що осаджуються різними йонно-плазменними методами практично відсутні. Відсутні математичні моделі, що дають змогу теоретично розрахувати відповідні параметри технологічного процесу. Відкритими залишаються такі питання, як оцінка енергетичного стану конденсованих атомів, визначення локальної температури і часу взаємодії їх з підкладкою.
З іншого боку майже не досліджено вплив енергетичної активації процесу конденсації плівок на електрофізичні властивості структур метал-діелектрик-напівпровідник (МДН), не досліджено зарядовий стан поверхні і деградацію активних областей транзисторів.
Виходячи з того, що традиційна транзисторна мікроелектроніка підходить до фізичних і технологічних меж, мають бути залучені інші фізичні принципи і технології, такі як використання матеріалів А3В5, аналогові, оптоелектронні, комунікаційні и другі підходи. В цих напрямках досліджень досягнуті значні результати, однак базовими основоположними напрямками розвитку є інтеграція нових елементів з МДН структурами.
В теперішній час відомі дві концепції розвитку інтегральної техніки: система на одному чипі та система на декількох чипах з оптичним зв`язком між ними.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 



Реферат на тему: ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННО-ЙОННИХ МЕТОДІВ СТВОРЕННЯ НАНОСТРУКТУР ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ЕЛЕМЕНТІВ ДЛЯ НВІС

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок