Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат безкоштовно: вДОСКОНАЛЕННЯ ФОРМУВАЧІВ ІМПУЛЬСІВ УПРАВЛІННЯ ДЛЯ БЛОКОВАНИХ ТИРИСТОРІВ

вДОСКОНАЛЕННЯ ФОРМУВАЧІВ ІМПУЛЬСІВ УПРАВЛІННЯ ДЛЯ БЛОКОВАНИХ ТИРИСТОРІВ / сторінка 6

Назва:
вДОСКОНАЛЕННЯ ФОРМУВАЧІВ ІМПУЛЬСІВ УПРАВЛІННЯ ДЛЯ БЛОКОВАНИХ ТИРИСТОРІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,36 KB
Завантажень:
114
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Застосування коаксіального кабелю, що поставляється в комплекті з потужними БТ закордонними фірмами, дозволяє підвищити швидкість наростання імпульсів приблизно на 30% за інших рівних умов. Дані, отримані моделюванням, свідчать про те, що при розміщенні БТ безпосередньо на платі ФIУ без коаксіального кабелю, можливе підвищення швидкості наростання імпульсів струму форсованого включення і вимикання в 2,5 – 3 рази. Показано, що для потужних БТ (ITQGM>630 А) використання виводів у виді двох окремих провідників є неприйнятним, тому БТ ТЗА243-630, що розробляються в даний час заводом "Перетворювач", повинні комплектуватися тільки коаксіальними виводами управління.
На основі аналізу наведеної у розділі інформації, і технічних характеристик досліджуваних типів БТ, зведені в таблицю рекомендовані характеристики імпульсів управління, що повинний забезпечити формувач, і значення напруг заряду накопичувальних конденсаторів вузлів вмикання і вимикання.
У третьому розділі приведені результати розробки схемотехнічних і конструктивних рішень основних вузлів ФIУ і дослідження їх електроенергетичних і теплових характеристик.
При створенні вихідних ланцюгів формувача необхідно вирішувати задачу вибору ключових елементів, що комутують струми управління. Для її рішення використана залежність
(3)
де EG – величина виділюваної енергії в ключах;
i (t) – миттєве значення струму управління;
RG(ON) – опір каналу ключів у відкритому стані.
На основі (3) розроблена методика вибору ключових елементів, що базується на кусково-лінійної апроксимації форми імпульсів струму управління й обчислення величини виділюваної енергії, по формулах:
(4)
(5)
де EFG і ERG – величина енергії, виділюваної в ключах, що комутирують струми форсованого включення і запирання відповідно,
IFGM і IRGM – амплітудні значення струмів управління;
diFG/dt і diRG/dt – швидкості наростання струмів управління;
tFG – тривалість струму форсованого включення.
Дані, отримані розрахунковим шляхом, а також результати експериментальних досліджень, дозволяють говорити про наступне. Вузол форсованого включення може бути виконаний як на основі польових транзисторів (наприклад, IRF4905 - Ubrdss=-55 В, Rds(on)=20 мОм), так і біполярних (наприклад, КТ825Г). Останні мають на порядок меншу вартість, але гірші масогабаритні показники, і можуть забезпечити необхідні характеристики імпульсу струму форсованого включення для БТ на струми не більш 1500 А. Для вузла запирання єдиним прийнятним варіантом є використання польових транзисторів, що легко реалізують паралельне з'єднання. Наприклад, у вузли запирання формувачiв для БТ I, II і III типів можна рекомендувати установку 1, 2 і 4 транзисторів IRFP054N (Ubrdss=55 В, Rds(on)=12 мОм) відповідно.
При синтезі ФIУ виникає необхідність вибору ємності накопичувальних конденсаторів, частковим розрядом яких створюються струми управління. Занижене значення ємності приводить до погіршення характеристик імпульсів управління і зростанню пульсацій напруги на конденсаторі, а збільшення - підвищенням масогабарітних показників ФIУ. Номінальну ємність конденсатора доцільно визначати виходячи з припустимого рівня пульсацій напруги на ньому і необхідному запасі для забезпечення відключаючої здатності. Визначення величини пульсацій напруги можливо через розрахунок величини заряду, що витік з конденсатора при проходженні імпульсу струму управління:
(6)
де - амплітуда пульсацій напруги,
С – значення ємності конденсатора.
Використовуючи кусково-лінійну апроксимацію імпульсів струму управління, можна записати:
(7)
(8)
Умовні позначки відповідають прийнятим вище. На основі (7) і (8) розроблена методика вибору номінальних ємностей накопичувальних конденсаторів. На основі аналізу розрахункових і експериментальних даних можна рекомендувати установку конденсаторів номінальною ємністю 220, 470 і 6800 мкФ у вузли форсованого включення; і 4700, 6800 і 10000 мкФ у вузли запирання формувачiв для БТ відповідно I, II і III типів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: вДОСКОНАЛЕННЯ ФОРМУВАЧІВ ІМПУЛЬСІВ УПРАВЛІННЯ ДЛЯ БЛОКОВАНИХ ТИРИСТОРІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок