Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Роль морфології фронту кристалізації в процесах вирощування монокристалів корунду

Роль морфології фронту кристалізації в процесах вирощування монокристалів корунду

Назва:
Роль морфології фронту кристалізації в процесах вирощування монокристалів корунду
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
12,86 KB
Завантажень:
431
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
НАУКОВО-ТЕХНОЛОГІЧНИЙ КОНЦЕРН
“ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ”
ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ
На правах рукопису
Ткаченко Сергій Анатолійович
УДК 548.5, 548.4
Роль морфології фронту кристалізації
в процесах вирощування
монокристалів корунду
спеціальність 05.02.01 – матеріалознавство
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Харків – 2000
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті монокристалів НАН України.
Науковий керівник: доктор техн. наук, старший науковий співробітник,
Литвинов Леонід Аркадійович
зав. відділом Науково-дослідного відділення оптичних та
конструкційних кристалів Науково-техно-логіч-ний концерн “Інститут монокристалів” НАН України
Офіційні опоненти : доктор фіз.-мат. наук, професор
Рижиков Володимир Діомидович
директор Науково-технологічного центру радіаційного приладобудування Науково-технологічний концерн “Інститут монокристалів” НАН України

доктор техн. наук, старший науковий співробітник,
Жуков Леонід Федорович
зав. відділом Фізико-технологічного інституту
металів і сплавів НАН України
Провідна установа: Інститут проблем матеріалознавства
ім. І.М.Францевича НАН України, м. Київ,
відділ матеріалів з особливими діелектричними та
електричними властивостями.
Захист відбудеться “ 27 “ вересня 2000 р. в 14 год.
на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01 в Інституті монокристалів НАН України, за адресою: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Інституту монокристалів НАН України.
Автореферат розісланий “ 27 “ липня 2000 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат технічних наук Л.В.Атрощенко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Монокристали корунду, завдяки своїм унікальним властивостям - високій температурі плавлення, твердості, хімічній інертності, радіаційній стійкості та ін., широко використовуються в різноманітних сферах науки і техніки в якості конструкційного матеріалу, вікон приборів, УФ - фільтрів, термолюмі-несцентних датчиків, світловодів, активних середовищ лазерів і т.д. Це стало можливим у результаті штучного вирощування кристалів із стабільними параметрами, які відтворюються.
Серед існуючих методів вирощування корунду найбільш поширені методи Вернейля, Кіропулоса (метод ГОІ), Чохральського, Степанова (EFG), ГНК (горизонтальної направленої кристалізації). Кожний із них має певні переваги, що і пояснює їх приблизно рівноцінне й одночасне існування. Вибір методу визначається вимогами, що предявляються до кристала.
Багато виробів складної форми можна одержати методом Степанова без дорогої механічної обробки кристалів, що робить метод унікальним і незамінним.
Основні дефекти, що впливають на якість кристалів корунду, - газові включення, блоки, малокутові границі і домішки. Їх дослідженню присвячено безліч робіт, але вони, в основному, орієнтовані на якийсь конкретний метод. Загальне розуміння проблеми виникнення дефектів відсутнє.
Утворення газових включень пояснюється нестійкістю фронту кристалізації, що виникає при певній (критичній) швидкості росту. У той же час залишається невиясненим, що і як визначає величину критичної швидкості. По механізмах формування блоків також створено чимало моделей, але повної ясності немає.
Виникаючі в кристалах дефекти в першу чергу зв'язують із технологічними параметрами: швидкістю росту, частотою обертання, середовищем і тиском у робочому просторі, його розмірами, концентрацією домішки і т.д. При цьому мало уваги приділяється процесам, що відбуваються на фронті кристалізації і його морфології.
Водночас, морфологічна сталість фронту кристалізації багато в чому визначає досконалість кристалу, що вирощується. Газові включення захвачуються, коли фронт втрачає сталість і набуває осередкової структури. Така структура фронту добре описана на прикладах металів, проте, що собою уявляє осередковий фронт кристалів тугоплавких оксидів і як він сприяє утворенню дефектів, потребує подальшого вивчення. Як об'єкт дослідження вибраний найпоширеніший кристал із групи тугоплавких оксидів - корунд.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8 



Реферат на тему: Роль морфології фронту кристалізації в процесах вирощування монокристалів корунду

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок