Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Розсіяння Х-променів шаруватими періодичними структурами та діагностика їх параметрів

Розсіяння Х-променів шаруватими періодичними структурами та діагностика їх параметрів

Назва:
Розсіяння Х-променів шаруватими періодичними структурами та діагностика їх параметрів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
21,53 KB
Завантажень:
11
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
Корчовий Андрій Адамович
УДК: 539.213; 539.23+621.793.79; 539.26
Розсіяння Х-променів шаруватими періодичними структурами та діагностика їх параметрів
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2007
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник,
Кладько Василь Петрович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ), завідувач відділом
Офіційні опоненти: |
доктор фізико-математичних наук, професор,
Новиков Микола Миколайович,
Київський Національний Університет імені Тараса Шевченка,
професор кафедри фізики металів
доктор фізико-математичних наук, професор,
Кисловський Євген Миколайович,
Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України,
завідувач лабораторією
Провідна установа: |
Чернівецький Національний Університет ім. Ю.Федьковича, кафедра фізики твердого тіла
Захист відбудеться ” 16 ” березня 2007 р. о 1415 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, м. Київ, пр. Науки, 41.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, пр. Науки, 45).
Автореферат розісланий ”15” лютого 2007 р.
Вчений секретар
Спеціалізованої вченої ради К 26.199.01
кандидат фізико-математичних наук О.Б. Охріменко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
В роботі виконано комплекс досліджень в рамках розвитку експериментальних методів дифракції Х-променів з використанням квазізаборонених рефлексів (КЗР) для контролю параметрів багатошарових квантово-розмірних структур, їх деформаційних та композиційних властивостей для подальшої оптимізації фізико-технологічних основ отримання багатошарових напружених структур.
Актуальність теми. Багатошарові структури AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs є одними із перспективних напівпровідникових матеріалів твердотільної наноелектроніки. При виготовленні ефективних напівпровідникових приладів значні зусилля спрямовані на одержання матеріалу з необхідними електрофізичними властивостями. Однією з основних проблем при керуванні цими властивостями є однозначне визначення кількісних характеристик шарів цих структур, таких як товщини шарів, розподіл компонентного складу та деформацій. Окрім того, виникає цілий ряд проблем в діагностиці таких структур при переході до надграток з товщинами шарів порядку декількох моношарів (МШ), так званих короткоперіодних надграток.
Серед цілого арсеналу методів дослідження параметрів і характеристик таких напівпровідникових структур найбільш чутливими та інформативними є Х-променеві дифракційні методи, які до того ж є неруйнівними та експресними.
Вдосконалені експериментальні методи та чисельне моделювання процесів розсіяння Х-променів реальними кристалами дають унікальну інформацію про розподіл деформацій за товщиною кристалу, ротаційні та дилатаційні складові деформацій кристалічної гратки на глибинах від декілька моношарів до десятків міліметрів.
Отже, аналіз закономірностей розсіяння Х-променів багатошаровими епітаксійними структурами на сьогодні залишається актуальною проблемою і потребує подальшого вивчення з виходом на кількісні оцінки структурних характеристик.
Зокрема, як показали попередні дослідження, для контролю хімічного складу бінарних сполук найбільш інформативними є саме КЗР [1-3]. Однак, їх застосування для аналізу багатошарових структур до постановки даної роботи не набуло великого поширення через неоднозначність інтерпретації дифракційних спектрів від цих об'єктів, внаслідок використання або кінематичної, або динамічної моделей дифракції.
Тому, подальший розвиток відповідних експериментальних основ дифракції на багатошарових планарних структурах з тонкими шарами при використанні КЗР для адекватної їх характеризації є дуже актуальною задачею.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: Розсіяння Х-променів шаруватими періодичними структурами та діагностика їх параметрів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок