Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ШАРУВАТИХ СТРУКТУР З АЛМАЗО-ПОДІБНИМИ ВУГЛЕЦЕВИМИ ТА ОКСИДНИМИ ПЛІВКАМИ НА КРЕМНІЇ

ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ШАРУВАТИХ СТРУКТУР З АЛМАЗО-ПОДІБНИМИ ВУГЛЕЦЕВИМИ ТА ОКСИДНИМИ ПЛІВКАМИ НА КРЕМНІЇ

Назва:
ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ШАРУВАТИХ СТРУКТУР З АЛМАЗО-ПОДІБНИМИ ВУГЛЕЦЕВИМИ ТА ОКСИДНИМИ ПЛІВКАМИ НА КРЕМНІЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,09 KB
Завантажень:
414
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ЛИТВИН ЮРІЙ МИХАЙЛОВИЧ
УДК539.216,537.533
ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ШАРУВАТИХ СТРУКТУР З АЛМАЗО-ПОДІБНИМИ ВУГЛЕЦЕВИМИ ТА ОКСИДНИМИ ПЛІВКАМИ НА КРЕМНІЇ
01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2001
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної Академії наук України
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук Євтух Анатолій Антонович Інститут фізики напівпровідників НАН України старший науковий співробітник
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Дмитрук Микола Леонтійович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідуючий відділом поляритонної оптоелектроніки
доктор фізико-математичних наук, професор Ільченко Василь Васильович, Національний університет ім. Т.Г. Шевченка
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, м. Київ
Захист відбудеться " 28 " вересня 2001 р. о _16-30___ год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: 03028, Київ - 28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституті фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий “ 27 ” серпня 2001 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ.
Актуальність теми.. Вивчення електронних властивостей шаруватих структур з алмазо-подібними вуглецевими та оксидними плівками останнім часом інтенсивно досліджується. Зокрема, до класу таких властивостей належить явище електронно-польової емісії (ЕПЕ) у вакуум. Це, в першу чергу, обумовлено бурхливим розвитком приладів вакуумної мікроелектроніки і плоско-панельних польових емісійних дисплеїв (ПЕД), в основі роботи яких покладене явище ЕПЕ. У якості емітерів виступають окремі мікро-вістря, або матриці вістрів. Для покращення емісійних параметрів польових емітерів вивчаються різні матеріали у якості їх покриття, проводиться їх додаткове легування та інші технологічні засоби. Стосовно матеріалу для виготовлення емісійної матриці існують три найбільш перспективних напрямки. Це металічні емітери, кремнієві вістрійні емітери та алмазні емітери. Кожна з цих технологій має свої переваги та недоліки. У пропонованій дисертаційній роботі досліджені емісійні властивості структур і матеріалів на основі кремнієвих вістрійних емітерів (КВЕ). Їх суттєвими перевагами є простота, добре розвинута й сумісна з виробництвом інтегральних мікросхем, технологія виготовлення .
Існує ряд проблем, які стоять на заваді більш широкого використання КВЕ. Ними є їх погана термічна провідність і висока робота виходу, що зумовлена високою пороговою напругою та нестабільністю. У низьковольтних ПЕД із КВЕ електрони імітуються у вакуум із мікро-вістрійної поверхні 20 000 мікро-вістрів на мм2 ) під дією прикладеної між катодом і затвором напругою, меншої ніж 100 В. Далі електрони прискорюються у напрямку до люмінесцентного аноду із напругою зміщення в діапазоні 300-1000 В. Мала відстань між катодом і анодом дає змогу реалізувати точне фокусування електронного променя.
У ПЕД кожний піксел має своє власне джерело електронів, як правило, матрицю імітуючих вістрів. Різниця напруги між катодом і затвором витягує електрони з катода. З квантової механіки відомо, що існує певна ймовірність, що електрон пройде через енергетичний бар`єр навіть тоді, якщо він не має достатньої енергії для проходження над бар`єром. Цей ефект квантово-механічного туннелювання призводить до того, що при нормальних умовах існує певна кількість електронів, які тунелюють крізь енергетичний бар`єр на границі емітер-вакуум. Однак ця кількість може бути збільшена при звуженні ширини енергетичного бар'єра. Ширина бар`єра може змінюватись при прикладанні великого електричного поля до емітера. Для таких матеріалів як W, Mo чи Si, робота виходу електронів становить близько 4.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ШАРУВАТИХ СТРУКТУР З АЛМАЗО-ПОДІБНИМИ ВУГЛЕЦЕВИМИ ТА ОКСИДНИМИ ПЛІВКАМИ НА КРЕМНІЇ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок