Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> СПЕКТРОСКОПІЯ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ДЕФЕКТІВ В СКЛОПОДІБНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ Sbx Se1-x

СПЕКТРОСКОПІЯ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ДЕФЕКТІВ В СКЛОПОДІБНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ Sbx Se1-x

Назва:
СПЕКТРОСКОПІЯ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ДЕФЕКТІВ В СКЛОПОДІБНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ Sbx Se1-x
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,55 KB
Завантажень:
333
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
УДК 621.315.592
Надь Юрій Юрійович
СПЕКТРОСКОПІЯ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ДЕФЕКТІВ В СКЛОПОДІБНИХ
НАПІВПРОВІДНИКАХ Sbx Se1-x
Спеціальність: 01.04.10.- фізика напівпровідників та діелектриків
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Ужгород - 2002
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Науково-дослідному інституті фізики і хімії твердого
тіла Ужгородського національного університету Міністерство освіти
і науки України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, с.н.с,
Мікла Віктор Іванович, професор кафедри
фізики напівпровідників УжНУ
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор,
Пуга Павло Павлович, Інститут електронної
фізики НАН України, м. Ужгород, завідувач
відділом.
доктор фізико-математичних наук, професор,
Тюрін Олександр Валентинович,
Одеський національний університет
провідний науковий співробітник.
Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників НАН України,
відділ фотохімічних явищ, м.Київ
 
Захист відбудеться “06” червня 2002 року о 14 годині на
засіданні спеціалізованої вченої ради К61.051.01 при УжНУ за адресою
88000 Ужгород, вул. Волошина, 54, ауд.181.
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Ужгородського
національного університету (м. Ужгород, вул. Капітульна, 6)
Автореферат розісланий “29” квітня 2002 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Блецкан Д.І.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми: У надзвичайно широкому класі матеріалів невпорядкованих твердих тіл, що включає аморфні речовини, стекла і навіть кристали з великою концентрацією дефектів, особливе місце посідають халькогенідні склоподібні напівпровідники. Своїм особливим статусом вони завдячують наявності цілого ряду своєрідних, специфічних навіть для некристалічних речовин, властивостей. Саме через це посилений інтерес дослідників до цих об‘єктів, що триває вже більше чотирьох десятиріч, стає зрозумілим. Оптимальне поєднання рис, що дозволяють класифікувати ці матеріали як напівпровідники, з індивідуальними фізико-хімічними, оптичними, електрофізичними властивостями роблять їх, без сумніву, перспективними для вдосконалення вже впроваджених у конкретні технічні пристрої, а також для створення нових за функціональним призначенням елементів мікро- і опто(фото)електроніки. Поряд з цим, необхідно відзначити, що загалом опис фундаментальних процесів, які відбуваються в некристалічних напівпровідниках, значно поступається нашому розумінню їх в кристалічних аналогах і, в кращому випадку, носить напівкількісний характер. Така ситуація цілком закономірна, адже в некристалічних матеріалах розподіл атомів складний, невпорядкований (відсутня трансляційна симетрія), і через це застосування апарату математичного формалізму (теорема Вільсона-Блоха) стає неможливим. Складність проблеми підвищується через наявність інших об‘єктивних факторів, зокрема метастабільністю аморфного стану як такого. Це означає, що навіть на макроскопічному рівні аморфна структура не визначається однозначно такими параметрами рівноважного стану як температура, тиск, а залежить також від передумов одержання, витримки і обробки розглядуваного матеріалу. Іншими словами, число змінних, необхідних щоб однозначно задати аморфний стан є невідомим. Незважаючи на зазначені вище труднощі, у фізиці аморфних напівпровідників за останні тридцять років досягнуто значного прогресу. В цьому чи не головну роль зіграла їх технічна “орієнтованість” - численні застосування аморфних халькогенідів в різноманітних опто- і фотоелектронних пристроях добре відомі.
Серед проблем фундаментально-наукового плану, що потребують першочергового вирішення, стоїть питання виникнення (формування) в псевдозабороненій зоні халькогенідних склоподібних напівпровідників локалізованих станів, їх електрофізична активність, чутливість до технологічних умов приготування, варіації співвідношення компонентів та ускладнення хімічного складу, зовнішніх чинників (опромінення світлом, термічне циклювання).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: СПЕКТРОСКОПІЯ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ДЕФЕКТІВ В СКЛОПОДІБНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ Sbx Se1-x

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок