Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ БАЗИСНИХ ГРАНЕЙ КРИСТАЛІВ CdS

ВПЛИВ ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ БАЗИСНИХ ГРАНЕЙ КРИСТАЛІВ CdS

Назва:
ВПЛИВ ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ БАЗИСНИХ ГРАНЕЙ КРИСТАЛІВ CdS
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,14 KB
Завантажень:
65
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Львівський національний університет
імені Івана Франка
ЦИБУЛЯК Богдан Зіновійович
УДК 621.315.592; 537.226.82; 538.971
ВПЛИВ ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ
НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ
БАЗИСНИХ ГРАНЕЙ КРИСТАЛІВ CdS
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Львів – 2006


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі електроніки
Львівського національного університету імені Івана Франка
Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Павлик Богдан Васильович
Львівський національний університет
імені Івана Франка,
завідувач кафедри електроніки
факультету електроніки.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Давидюк Георгій Євлампійович
Волинський державний університет
імені Лесі Українки (м.Луцьк),
завідувач кафедри фізики твердого тіла
фізичного факультету;
доктор фізико-математичних наук, професор
Шпотюк Олег Йосипович
Науково-виробниче підприємство “Карат” (м.Львів),
заступник генерального директора по науковій роботі.
Провідна установа: Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України (м.Київ).
Захист відбудеться 8 листопада 2006 р. о 1530 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .051.09 при Львівському національному університеті імені Івана Франка Міністерства освіти і науки України за адресою: 79005, м. Львів, вул. Кирила і Мефодія, 8, велика фізична аудиторія, фізичний факультет.
З дисертацією можна ознайомитись у Науковій бібліотеці Львівського національного університету імені Івана Франка за адресою: 79005, м.Львів, вул. Драгоманова, 5.
Автореферат розісланий 26 вересня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 35.051.09
доктор фіз.-мат. наук, професор Б.В. Павлик


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Кристали CdS володіють низкою унікальних властивостей (високі фоточутливість та ймовірність випромінювальної рекомбінації), завдяки яким їх відносять до низки перспективних напівпровідникових матеріалів для сучасної мікро-, нано- та оптоелектроніки. Крім того, суттєвою перевагою цих кристалів є відносна дешевизна технології їхнього синтезу та широка розповсюдженість вихідних елементів у природі. Однак, як і для інших напівпровідникових матеріалів, кристалам CdS характерні процеси природнього старіння і вимушеної деградації властивостей під дією дестабілізуючих факторів (в полях радіації, градієнтів температури, деформації), що є однією з актуальних проблем сучасної твердотільної електроніки. Стабільність характеристик структури на основі напівпровідника визначається як властивостями складових (контактна система, діелектрична композиція і сам напівпровідниковий кристал), так і процесами на межі їх поділу. Особливістю кристалів сульфіду кадмію є наявність в них значної концентрації метастабільних дефектів, перебудова яких може суттєво змінювати характеристики як об’єму, так і приповерхневого шару напівпровідника.
У науковій літературі достатньо багато уваги приділено дослідженню процесів деградації в об’ємі напівпровідникових структур. Проте механізми перебудови дефектів у приповерхневому шарі CdS досі залишаються не повністю з’ясованими.
Отже, актуальність теми дисертації окреслена практичною потребою напівпровідникової електроніки в пристроях на основі кристалів CdS, які б протягом усього часу експлуатації володіли стабільними та відтворюваними характеристиками. Саме тому встановлення механізмів перебудови дефектів (ПД) у приповерхневому шарі кристалів під дією зовнішніх факторів є своєчасною проблемою прикладної фізики.
Комплексне використання сучасних експериментальних методик для дослідження властивостей поверхні та об’єму кристалів, структури межі поділу дає змогу виявити нові оригінальні ефекти, пов’язані з процесами еволюції дефектної структури напівпровідника і врахувати їх при розробленні та експлуатації приладів.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ВПЛИВ ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ БАЗИСНИХ ГРАНЕЙ КРИСТАЛІВ CdS

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок