Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Плеохроїзм оптичних та фотоелектричних явищ у кубічних кристалах з індукованою анізотропією

Плеохроїзм оптичних та фотоелектричних явищ у кубічних кристалах з індукованою анізотропією

Назва:
Плеохроїзм оптичних та фотоелектричних явищ у кубічних кристалах з індукованою анізотропією
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,23 KB
Завантажень:
345
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Матяш Ігор Євгенович
УДК 535.51
Плеохроїзм оптичних та фотоелектричних явищ
у кубічних кристалах з індукованою анізотропією
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеню
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук
Сердега Борис Кирилович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, провідний науковий співробітник.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Данильченко Борис Олександрович,
Інститут фізики НАН України,
завідувач відділу фізики радіаційних процесів;
доктор фізико-математичних наук, доцент
Скришевський Валерій Антонович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
професор кафедри напівпровідникової електроніки.
Провідна установа: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, м. Київ.
Захист відбудеться ”16” вересня 2005 р. о 1615 на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України: (03028, Київ, проспект Науки, 45)
Автореферат розісланий ” 5 ” серпня 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради О.Б. Охріменко
К26.199.01


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми.
Актуальність цієї роботи базується на концепції, згідно якої:
- кристали кубічної сингонії були і залишаються основними матеріалами сучасної електроніки;
- в реальних умовах дія різноманітних фізичних чинників на кристали призводить до виникнення в них анізотропії діелектричних властивостей тієї чи іншої величини. Одновісна деформація від зовнішнього тиску чи внутрішніх неоднорідностей в кристалах або виготовлених із них різноманітних структур серед всіх відомих фізичних дій відзначається своєю поширеністю та впливовістю. Вагомою причиною виникнення внутрішньої напруги у напівпровідникових кристалах є дефекти кристалічної гратки (легуючі домішки, неконтрольовані включення тощо). Їх походження пов’язано як з умовами вирощування кристалів, так і з особливостями технологічних операцій, що використовуються у виробництві напівпровідникових приладів. До того ж розвиток електроніки в напрямку зменшення розмірів функціональних елементів схем та збільшення інтеграції наштовхується на зростання градієнтів дефектів та зумовлених ними внутрішніх напружень. Тому виникає необхідність у все більш досконалих методах діагностики матеріалів і структур. Саме поляризаційно-модуляційна спектроскопія створює засади для розробки таких методів. При цьому мається на увазі, що в даному випадку термін спектроскопія набуває більш широкого змісту. Тобто, з точки зору на виникнення поляризаційних ефектів в кристалах їх діелектрична функція стає залежною не тільки від параметрів випромінювання, що призводять до частотної та просторової дисперсії, а й від дії різноманітних фізичних чинників, особливо коли вони мають спрямований характер. Одним із згаданих поляризаційних ефектів, дослідження якого дає інформацію про деякі параметри напівпровідникових матеріалі та структур на їх основі, є лінійний дихроїзм (у загальному випадку плеохроїзм), який визначається відношенням поляризаційної різниці будь якого ефекту до поляризаційної суми Р = (І - І) / (І + І).
Тому будемо вважати конкретною метою роботи перш за все використання спроможностей поляризаційної модуляції для реєстрації лінійного дихроїзму на прикладі однорідних кубічних кристалів кремнію, в яких анізотропія діелектричних властивостей зумовлена одновісним тиском. Потім вироблену в таких умовах, які можна вважати модельними, інтерпретацію отриманих результатів розповсюдити на більш складні випадки. Одним із них є явище плеохроїзму у фотопровідності, складність якого полягає у тому, що роль поглинутого світла на товщині зразка, чи на його частині, співвимірною з дифузійною довжиною основних носіїв заряду може суттєво відрізнятися.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: Плеохроїзм оптичних та фотоелектричних явищ у кубічних кристалах з індукованою анізотропією

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок