Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОРМУВАННЯ ОКСИДНИХ ПЛІВОК НА ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІВ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК АIIBVI ТА ЇХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ

ФОРМУВАННЯ ОКСИДНИХ ПЛІВОК НА ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІВ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК АIIBVI ТА ЇХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ

Назва:
ФОРМУВАННЯ ОКСИДНИХ ПЛІВОК НА ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІВ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК АIIBVI ТА ЇХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,04 KB
Завантажень:
222
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Формування оксидних плівок на поверхні напівпровідникових сполук AIIB
VI та їх твердих розчинів


НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
НАУКОВО-ТЕХНОЛОГІЧНИЙ КОНЦЕРН "ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ"
ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ
Коваленко Назар Олегович
УДК 548.5:[539.232:546'47'21]:535-15
ФОРМУВАННЯ ОКСИДНИХ ПЛІВОК НА ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІВ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК АIIBVI ТА ЇХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ
01.04.10 - фізика напівпровідників та діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків-2002
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у Науково-дослідному відділенні "Оптичні та конструкційні кристали" Науково-технологічного концерну "Інститут монокристалів" НАН України, м. Харків
Науковий керівник: | кандидат фіз.-мат. наук,
старший науковий співробітник
Загоруйко Юрій Анатолійович,
Науково-дослідне відділення
"Оптичні та конструкційні кристали"
Науково-технологічного концерну
"Інститут монокристалів" НАН України
Науковий консультант: | доктор фіз.-мат. наук,
Пузіков Вячеслав Михайлович,
директор Науково-дослідного відділення
"Оптичні та конструкційні кристали"
Науково-технологічного концерну
"Інститут монокристалів" НАН України,
завідуючий відділом нелінійних та електрооптичних кристалів,
оптичних плівок і покриттів
Офіційні опоненти: | доктор фіз.-мат. наук, професор
Рогачова Олена Іванівна,
професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики, Національний технічний університет
"Харківський політехнічний інститут"
кандидат фіз.-мат. наук,
старший науковий співробітник
Ткаченко Валентин Федорович,
Науково-дослідне відділення
"Оптичні та конструкційні кристали"
Науково-технологічного концерну
"Інститут монокристалів" НАН України
Провідна установа: | Інститут фізики НАН України (відділення приймачів випромінювання), м. Київ
Захист відбудеться " 15 " січня 2003 року о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01 при Інституті монокристалів Науково-технологічного концерну "Інститут монокристалів" НАН України
Адреса: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту монокристалів Науково-технологічного концерну "Інститут монокристалів" НАН України
Автореферат розісланий " 11 " грудня 2002 року.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
Кандидат технічних наук Л.В. Атрощенко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Отримання напівпровідникових матеріалів із заданими фізичними властивостями та розробка методів їх модифікації є однією з центральних проблем фізики напівпровідників та діелектриків. Для сучасного приладобудування актуальним є пошук нових та розширення функціональних можливостей напівпровідникових матеріалів, які вже використовуються в оптоелектронних пристроях інфрачервоного (ІЧ) діапазону. Найбільш придатні для цього такі матеріали: Si, Ge, GaAs, KCl, NaCl, CdTe, ZnS, CdS, CdSe, ZnSe та деякі тверді розчини сполук АІІВVI. По сукупності ряду основних експлуатаційних характеристик (оптичні, механічні, теплові та ін.) найкращим матеріалом для елементів прохідної оптики середнього ІЧ діапазону признаний кристалічний селенід цинку. На основі ZnSe серійно випускаються високоякісні пасивні елементи (вихідні лазерні вікна, вікна Брюстера, лінзи, призми, світлодільні платівки), призначені для роботи з високоінтенсивним випромінюванням ІЧ-діапазону.
До теперішнього часу досить добре вивчено кінетичні процеси окислення деяких напівпровідникових кристалів (Si, Ge, GaAs), на відміну від процесів окислення сполук АІІВVI, яким приділялось значно менше уваги [1], хоча вивчення фізико-хімічних умов окислення широкозонних сполук АІІВVI має як науковий, так і практичний інтерес. Окрему важливість такі дослідження набувають як для вивчення процесів деградації напівпровідникових приладів на основі сполук АІІВVI, так і у зв'язку з можливістю отримання методами окислення тонких плівок ZnO, матеріала, що має унікальні фізико-хімічні властивості (широкий діапазон питомого електричного опору, високі значення коефіцієнту електро-механічного зв'язку та ін.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ФОРМУВАННЯ ОКСИДНИХ ПЛІВОК НА ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІВ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК АIIBVI ТА ЇХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок