Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РІДИННА ЕПІТАКСІЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СПОЛУК А4В6 ДЛЯ ДІОДІВ ШОТТКІ

РІДИННА ЕПІТАКСІЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СПОЛУК А4В6 ДЛЯ ДІОДІВ ШОТТКІ

Назва:
РІДИННА ЕПІТАКСІЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СПОЛУК А4В6 ДЛЯ ДІОДІВ ШОТТКІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,89 KB
Завантажень:
305
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
ХЕРСОНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ТКАЧУК АНДРІЙ ІВАНОВИЧ
УДК 621.315.592: 546.81’23’24: 621.383.52
РІДИННА ЕПІТАКСІЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СПОЛУК А4В6
ДЛЯ ДІОДІВ ШОТТКІ
05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Херсон-2003
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Кіровоградському державному педагогічному університеті
імені Володимира Винниченка Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник – кандидат технічних наук, доцент
Царенко Олег Миколайович,
Кіровоградський державний педагогічний
університет імені Володимира Винниченка, проректор
Офіційні опоненти – доктор фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Тетьоркін Володимир Володимирович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідувач відділу напівпровідникової
інфрачервоної фотоелектроніки (м. Київ)
кандидат технічних наук, доцент
Кулюткіна Тамара Фатихівна,
Херсонський державний технічний університет,
завідувач кафедри дизайну і комп’ютерної графіки.
Провідна установа – Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича, кафедра фізичної
електроніки і нетрадиційної енергетики,
Міністерство освіти і науки України (м. Чернівці).
Захист відбудеться 21 березня 2003 року о 1200 годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради К 67.052.03 при Херсонському державному
технічному університеті за адресою: 73008 м. Херсон, Бериславське шосе, 24.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Херсонського державного
технічного університету за адресою: 73008 м. Херсон, Бериславське шосе, 24.
Автореферат розісланий 14 лютого 2003 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Фролов О. М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. На сучасному етапі розвитку України як демократичної європейської держави гостро постала проблема створення та вдосконалення новітніх технологій в таких сферах науково-прикладних досліджень як твердотільна електроніка й оптоелектроніка, що є невід’ємною умовою пожвавлення вітчизняної напівпровідникової індустрії та завоювання українськими товаровиробниками провідних позицій на світовому ринку. В зв’язку з цим за останні роки зріс інтерес до вузькощілинних напівпровідників на основі багатокомпонентних твердих розчинів (БТР) сполук А4В6, пов’язаний з можливістю їх використання при промисловому одержанні приладних структур інфрачервоної оптоелектроніки (фотодіодів, фоторезисторів, інжекційних лазерів тощо). Такі прилади застосовуються в системах моніторингу за станом навколишнього середовища шляхом дистанційного діагностування поверхні Землі, а також для створення ефективних космічних систем спостереження за переміщенням біологічних та небіологічних об’єктів на основі фотовольтаїчних інфрачервоних сенсорів, що розраховані на роботу у вікнах прозорості атмосфери. Крім того, фотоприймачі на основі БТР сполук А4В6 володіють високою чутливістю, мають велику швидкодію відносно приймачів з домішковою провідністю, володіють значною радіаційною та термічною стійкістю, спектральною однорідністю, низьким рівнем шумів, а також здатні в процесі експлуатації до перебудови спектральних характеристик за рахунок зміни тиску, індукції магнітного поля, температури та складу, що робить їх конкурентноспроможними поряд з аналогічними на основі сполук А2В6.
Існує принципова можливість створення на основі контакту метал/халькогенід свинцю-олова з бар’єром Шотткі відносно недорогої та досить ефективної методики формування високоякісних інфрачервоних фотодіодів для діапазону довжин хвиль 814 мкм. В той же час технологія виготовлення та характеристики даних структур лише частково досліджені на прикладі фотодіодів In (Pb, In-Ag)/p-Pb1-xSnxTe/Au, Pb/p-Pb1-xSnxSe/ /Pt(Au) і Pb/p-PbTe1-ySey/Pt, сформованих на основі епітаксійних шарів вирощених методами молекулярно-променевої епітаксії або “гарячої стінки” на підкладках (111)BaF2 та (111)Si (з буферним шаром CaF2-BaF2).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: РІДИННА ЕПІТАКСІЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СПОЛУК А4В6 ДЛЯ ДІОДІВ ШОТТКІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок