Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Вплив Відхилу від стехіометрії та введення сульфідУ кадмію на структуру і Фізичні властивості CuInSe2

Вплив Відхилу від стехіометрії та введення сульфідУ кадмію на структуру і Фізичні властивості CuInSe2

Назва:
Вплив Відхилу від стехіометрії та введення сульфідУ кадмію на структуру і Фізичні властивості CuInSe2
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
21,68 KB
Завантажень:
475
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
НаціональнА АКАДЕМІЯ НАУК України
Науково-технологічний концерн “інститут МОНОКРисталів”
інститут монокристалів
Таврiна Тетяна Володимирiвна
УДК 621.315.5:541.2
Вплив Відхилу від стехіометрії та введення сульфідУ кадмію на структуру і Фізичні властивості CuInSe2
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків –2002
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у Національному технічному університеті ”Харківський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України, м. Харків
Науковий керівник: доктор фіз.-мат. наук, професор
Рогачова Олена Іванiвна,
Національний технічний університет ”
Харківський політехнічний інститут”,
професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики
Офіційні опоненти: доктор фіз.-мат. наук
Пузіков Вячеслав Михайлович,
Науково-технологічний концерн “
Інститут монокристалів”,
директор Науково-дослідного відділення
оптичних та конструкційних кристалів
доктор фіз.-мат. наук, професор
Мамалуй Андрій Олександрович,
Національний технічний університет ”
Харківський політехнічний інститут”,
завідувач кафедри загальної та експериментальної фізики
Провідна установа: Інститут фізики напівпровідників НАН України (відділення фізико-технологічних проблем напівпровідникової ІЧ-техніки), м. Київ
Захист відбудеться "__3__" __липня___ 2002 р. о 14 годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01 при Інституті монокристалів Науково-технологічного концерну “Інститут монокристалів” НАН України
Адреса: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту монокристалів
Науково-технологічного концерну “Інститут монокристалів” НАН України
Автореферат розісланий "__1__" __червня_ 2002 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат технічних наук Л.В. АтрощенкоЗагальна характеристика роботи
Актуальність теми. Використання нетрадиційних, екологiчно чистих і доступних у будь-якому мiсцi земної кулi джерел енергiї є одним із перспективних напрямів розвитку сучасної енергетики. Алмазоподібні напiвпровiдникові сполуки I-III-VI2, до яких належить діселенід міді-індію CuInSe2 (CIS), займають важливе мiсце серед матерiалiв оптоелектронiки, нелiнійної оптики і сонячної енергетики. На основi CIS створюють високоефективнi, стабiльнi та дешевi сонячнi елементи як з гомо-, так i з гетеропереходами. Оскільки найвищi значення к.к.д. (до ~19%]) фотоперетворювачiв на основі CIS досягаються в даний час у полікристалічних тонких плівках, становить інтерес дослідження властивостей не тільки моно-, а й полікристалічного СIS.
Відомо, що підвищення ефективності роботи сонячних елементів на основі CIS пов'язане з необхідністю контролю його кінетичних та оптичних властивостей. Одним із основних методів керування властивостями CIS, який дозволяє змінювати навіть тип провідності, є відхил від стехіометрії, характер якого визначає тип і концентрацію власних дефектів. Однак проблему кореляції між складом, дефектною структурою і властивостями CIS на сучасному етапі не можна вважати вирішеною [2]. Труднощі пов'язані із широким спектром можливих дефектів нестехіометрії, що одночасно можуть співіснувати в CIS. Для однозначної ідентифікації власних дефектів в CIS необхідно мати можливість: 1) вводити в кристал дефекти переважно одного типу і 2) контролювати та змінювати їх концентрацію. У зв'язку з цим в дисертації запропоновано використання методу “контрольованих атомних дефектів”, коли в СIS в результаті відповідної зміни складу вводяться дефекти нестехіометрії переважно одного типу.
В сильно нестехіометричних фазах, які характеризуються високою концентрацією власних дефектів, зростаючий внесок енергії взаємодії дефектів між собою в загальну енергію кристала стимулює їх упорядкування. Процеси взаємодії та перерозподілу дефектів можуть привести до якісної зміни властивостей і потребують спеціального вивчення.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: Вплив Відхилу від стехіометрії та введення сульфідУ кадмію на структуру і Фізичні властивості CuInSe2

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок