Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РОЗРОБКА НАУКОВО-Технологічних основ Модифікації ПОВЕРХНІ КРИСТАЛІВ ДЛЯ КореГування ЇХ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ ХАРАКТЕРИСТИК

РОЗРОБКА НАУКОВО-Технологічних основ Модифікації ПОВЕРХНІ КРИСТАЛІВ ДЛЯ КореГування ЇХ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ ХАРАКТЕРИСТИК

Назва:
РОЗРОБКА НАУКОВО-Технологічних основ Модифікації ПОВЕРХНІ КРИСТАЛІВ ДЛЯ КореГування ЇХ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ ХАРАКТЕРИСТИК
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
41,09 KB
Завантажень:
241
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ
КУДІН Олександр Михайлович
УДК 547.722.3: [539.1.074.3: 683 + 546.36ў15ў33]
РОЗРОБКА НАУКОВО-Технологічних основ Модифікації
ПОВЕРХНІ КРИСТАЛІВ ДЛЯ КореГування ЇХ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ
ХАРАКТЕРИСТИК
 
Спеціальність – 05.02.01 – матеріалознавство
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
Харків – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті сцинтиляційних матеріалів НАН України
Науковий консультант: академік НАН України, доктор технічних
наук, професор Гриньов Борис Вікторович,
директор Інституту сцинтиляційних матеріалів
НАН України
Офіційні опоненти: академік НАН України, доктор фізико-математичних наук,
Професор Ажажа Володимир Михайлович,
директор Інституту фізики твердого тіла,
матеріалознавства та технологій
ННЦ "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України;
доктор технічних наук, старший науковий
співробітник, Комар Віталій Корнійович,
завідувач відділу Інституту монокристалів
НАН України;
доктор фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник,
Даневич Федір Анатолійович,
завідувач відділу фізики лептонів
Інституту ядерних досліджень НАН України.
Захист відбудеться " 19 " грудня 2007 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради
Д 64.169.01 при Інституті монокристалів НАН України за адресою: 61001, м. Харків,
пр. Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Інституту монокристалів за адресою: м. Харків, пр. Леніна, 60.
Автореферат розісланий " 16 " листопада 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
кандидат фіз.-мат. наук М.В. Добротворська


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Функціональні матеріали на основі кристалів йодидів лужно-галоїдних металів широко застосовуються в науці і техніці як ефективні сцинтилятори. Масштабне використання цих матеріалів у фізиці високих енергій протягом останнього десятиріччя переконливо довело, що так зване "доведення" виробів (tuning) за рахунок модифікації поверхні дозволяє ефективно керувати осьовою неоднорідністю u світлового виходу L і, тим самим, однією із найважливіших характеристик сцинтиляторів – енергетичним розділенням R. Ідея "доведення" у цьому випадку полягає у регулюванні ефективної дзеркальності `p відбиваючих поверхонь для забезпечення необхідної залежності коефіцієнту світлозбору G(Z) уздовж осі Z сцинтиляційного модуля. Аналіз патентної інформації показує, що на характер залежності G(Z) можна вплинути вибором відбивача зі змінним коефіцієнтом відбивання r, а також регулюванням коефіцієнта поглинання k і заломлення n матеріалу до випромінювання різних довжин хвиль. В останньому разі мова йде про корегування G взагалі, а не тільки його осьової залежності G(Z).
Відомо, що власне розділення сцинтилятору RC визначається внеском RG (неоднорідність коефіцієнта збирання світла) і RN (непропорційність електронного відгуку енергії): (RC)2 = (RG)2 + (RN)2. Загальноприйнято, що основний внесок у RC вносить RN, зокрема, для виробів невеликого розміру, коли залежністю G(Z) можна зневажити, наприклад, якщо Z » D, де D – діаметр кристала. Через те що внесок RN збільшується з ростом D, вважається, що мінімальна величина RC також залежить від розміру кристала. Однак кращі з відомих значень R для кристалів різних розмірів співпадають у широкому інтервалі D.
Внесок RN розраховано на основі електронного відгуку. Цим терміном названа залежність сцинтиляційної ефективності h від енергії електронів Ee (he= dLe/dEe). Дані про електронний відгук отримано на основі виміряного фотонного (hg vs Eg) відгуку. Експерименти з зовнішніми джерелами X- та g- квантів приводять до висновку: he(Ee)№ const. Іншими словами це явище називають "непропорційність виходу до енергії електронів" і вважають центральною проблемою сцинтиляційного матеріалознавства. Однак відомо, що для внутрішніх джерел радіації, коли поверхневими ефектами можна зневажити, he(Ee)= const у широкому інтервалі енергій. Це означає, що вклад RN можна прирівняти до нуля і власне енергетичне розділення повністю визначається складовою RG.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25 



Реферат на тему: РОЗРОБКА НАУКОВО-Технологічних основ Модифікації ПОВЕРХНІ КРИСТАЛІВ ДЛЯ КореГування ЇХ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ ХАРАКТЕРИСТИК

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок