Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Частотні характеристики біполярного транзистора

Частотні характеристики біполярного транзистора

Назва:
Частотні характеристики біполярного транзистора
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
2,14 KB
Завантажень:
255
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Реферат на тему:
Частотні характеристики біполярного транзистора


Залежність коефіцієнта передачі струму від частоти в схемі
зі спільною базою [б(щ)].
При аналізі часових процесів у біполярному транзисторі необхідно рішати нестаціонарне рівняння неперервності, яке описує зміну концентрації носіїв заряду з часом. У виконаних нами допущеннях це рівнянння зведеться до дифузійного:
(4_104)
При цьому граничні умови також будуть залежати від часу для u(t)<<U(t):
(4_105)
Будемо вважати, що поряд з постійним зміщенням, до переходу прикладена мала синусоїдальна напруга u = U0eiщt і, відповідно, будемо шукати розв'язоу (4_104) у виді Дp = Дp0eiщt. Підставивши ?Дp/?t та Дp в рівняння (4_104), отримаємо:
(4_106)
Позначимо 1/(1+щфp) як Л2p, дифузійну довжину, яка залежить від частоти, тоді рівняння (4_106) прийме такий ж вид, як розв'язане нами раніше стаціонарне рівняння для транзистора:
(4_107)
Формальна відповідність (4_107) та розв'язаного нами раніше стаціонарного рівняння для біполярного транзистора дозволяє нам скористатись результатами розв'язку для знаходження частотної залежності параметрів, замінивши в розв'язку L2p на L2p/(1+iщфp)1/2. Для частотної залежносоті коефіцієнта перенесення заряду через базу, який відображає інерційність дрейфу, отримаємо:
(4_108)
Нехтуючи частотною залежністю г та вважаючи, що (1-б0) ~ (1-к0), отримаємо рівняння для частотної залежності коефіцієнта передачі струму в схемі зі спільною базоюй:
(4_109)
де фб = (1-к0) фp ~ (1-б0) фp. Введемj характеристичyу частоту щб = 1/фб. Тоді:
(4_110)
Через и позначено кут, який характеризує запізнення вихідного сигналу відносно вхідного. Як видно з (4_110), щб відповідає частоті, на якій амплітуда вихідного струму по відношенню до вхідного снижується в v2 разів, цю частоту часто називають граничною частотою підсилення транзистора за струмом.
Оцінимо, як фб та, відповідно, щб залежать від параметрів бази транзистора:
(4_111)
Відповідно:
(4_112)
Таким чином, отримані формули ще раз підтверджують вагомий вплив товщини бази на частотні характеристики транзистора. Так, наприклад, створення технології, яка дозволить зменшити товщину бази в два рази, повинно викликати збільшення граничної частоти в чотири рази.
4.6.2. Залежність коефіцієнта передачі струму від частоти
в схемі зі спільним емітером [в(щ)].
Обчислимо, як залежить від частоти коефіцієнт передачі струму в транзисторі, який увімкнений за схемою зі спільним емітером. При цьому використаємо отриману раніше залежність б(щ) (4_109):
(4_113)
Скористаємось співвідношеннями в0=б0/(1-б0), фб ~ (1-б0) фp, щв=1/фp для перетворення (4_113):
(4_114)
Співвідношення (4_114) за структурою аналогічні співвідношенням для схеми СБ (4_110), однак, для схеми СЕ характеристичний час фp буде в (в+1) разів большим, а характеристична частота щв - в (в+1) разів нижчою, тобто в схеме СЕ спад коефіцієнта передачі за струмом з частотою буде відбуватись швидше.
Приклад частотних залежностей коефіцієнтів передачі струму в СБ та СЕ наведений на рис.66. Необхідно звернути увагу на те, що хоча коефіцієнт передачі струму в СЕ спадає швидше, аніж в СБ, тим не менше у всьому частотному діапазоні він має вищі значення.

Рис. 66. Частотна залежність модуля коефіцієнтів передачі за струмом в схемі СБ - б та СЕ - в.


Використана література:
Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая школа, 1978.
Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной электроники. -М.: Высшая школа, 1975.
Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.
Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Высшая школа, 1988.
Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: высшая школа, 1982.
Гершунский В.С. Основы электроники. - К.: Вища школа, головн. из-во, 1982.
Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.:Энергоатомиздат, 1985.
Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. - М.: Высшая школа, 1986.

Завантажити цю роботу безкоштовно



Реферат на тему: Частотні характеристики біполярного транзистора

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок