Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Малосигнальні параметри біполярного транзистора та еквівалентні схеми.

Малосигнальні параметри біполярного транзистора та еквівалентні схеми.

Назва:
Малосигнальні параметри біполярного транзистора та еквівалентні схеми.
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
4,21 KB
Завантажень:
90
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3 
Реферат на тему:
Малосигнальні параметри біполярного транзистора та еквівалентні схеми.


При розрахунках транзисторних підсилювальних схем транзистор, як правило, заменююьт його еквівалентною схемою, параметри якої отримують шляхом лінеарізації вольтамперних характеристик в заданій робочій точці. Оскільки точну лінеаризацію можна отримати тільки в обмеженій області зміни напруг та струмів, то розраховані таким чином параметри називають малосигнальними. При визначенні параметрів транзистора він розглядається як деякий чотирьохполюсник, як це показано на рис. 59. При такому підході не є принциповим, в якому увімкненні знаходиться транзистор. Розбіжності в схемі увімкнення відобразяться на значеннях самих параметрів.

Рис. 59. Подання транзистора у виді чотирьохполюсника: а) увімкнення зі спільним емітером, б) увімкнення зі спільною базою
На вході чотирьохполюсника (рис. 59) діють U1, I1, на виході - U2, I2. В залежності від того, що буде взято в якості функцій та що в якості аргументів, будуть мати місце різні системи параметрів.
r - параметри.
Припустимо, що при вимірюваннях задавали вхідний та вихідний струми і вимірювали вхідну та вихідну напругу, результуючі вольтамперні характеристики транзистора були записані у виді:
U1 = f1(I1,I2), U2 = f2(I1,I2) (4_59)
Повні диференціали вхідної та вихіідної напруг запишуться в наступному виді:
(4_60)
Відповідні диференційні прирости будемо розглядати як сигнали, а похідні - як деякі коефіцієнти, які мають розмірність опору, тоді рівняня (4_60) можна переписати в наступному виді:
(4_61)
Розглянемо фізичний зміст параметрів та спосіб їх визначення.
Для того, щоб визначити малосигнальні параметри, потрібно задати режим транзистора за постійним струмом, який відповідатиме його робочій точці в підсилилювальному каскаді (наприклад, т.А на рис. 58), тобто встановити UЕ(А), UК(А) та задати відповідні значення IЕ(А), IК(А). Потім, задаючи змінні сигнали струму у вхідне та вихідне кола, виконати вимірювання відповідних значень напруг, які дозволять розрахувати малосигнальні параметри транзистора. Оскільки задаються струми, необхідно забезпечити режим генератора струму, ттобто вхідний чи вихідний опір транзистора на частоті сигналу повинен бути набагато меншим за опір генератора сигналу. Розрахунок параметрів проводиться за формулами, які випливають з (4_61):
r11 = u1/i1 - вхідний опір транзистора, виміряний при i2 = 0, тобто в режимі холостого ходу у вихідному колі;
r22 = u2/i2 - вихідний опір транзистора, виміряний при i1 = 0, тобто в режимі холостого ходу у вхідному колі;
r12 = u1/i2 - опір зворотнього зв'язку, виміряний при i1 = 0, тобто в режимі холостого ходу у вхідному колі;
r21 = u2/i1 - оіпр прямої передачі сигналу, виміряний при i2 = 0, тобто в режимі холостого ходу у вихідному колі;
Усі визначені параметри є опорами (r-параметрами). Для r-параметрів можна скласти еквівалентну схему. Підсилювальні властивості транзистора та властивості зворотнього зв'язку характеризуються напругами r21i1 r12i2, які на еквівалентні схемі можна відобразити, увівши генератори напруг, сигнал яких буде залежати від вхідного та вихідного сигналу. Еквівалентна схема, яка відповідає рівнянням (4_61), показана на рис. 60,а.

Рис. 60. Схеми заміщення біполярного транзистора: а) п - подібна схема заміщення, б) т - подібна схема заміщення транзистора при увімкненні СБ, в) т - подібна схема заміщення транзистора при увімкненні СЕ
Схему, яка показана на рис. 60,а, можна перетворити в еквівалентну їй т - подібну схему заміщення, перерахувавши відповідні опори та увівши генератор струму, що характеризватиме підсилювальні властивості транзистора. Параметри, які входять в цю схему заміщення, часто називають фізичними, оскільки їм можно надати визначений фізичний зміст. На рис. 60,б показана т - подібна схема заміщення транзистора в СБ на фоні структури біполярного транзистора. Порівняння схеми зі структурою показує, що дійно можна надати наступний фізичнкий зміст елементам схеми:
rе - диференційний опір емітерного переходу в заданій робочій точці,
rк - диференційний опір колекторного переходу в заданій робочій точці,
rб - диференційний опір товщини бази, який створює падіння напруги від базового струму і є однією з причин зворотнього зв'язку в транзисторі,
б - коефіцієнт передачі струму в схемі зі спільною базою (KiБ).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3 



Реферат на тему: Малосигнальні параметри біполярного транзистора та еквівалентні схеми.

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок