Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Енергетичний спектр електронів у напівпровідниках

Енергетичний спектр електронів у напівпровідниках

Назва:
Енергетичний спектр електронів у напівпровідниках
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
1,37 KB
Завантажень:
278
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Реферат на тему:
Енергетичний спектр електронів у напівпровідниках


Електрони та дірки в напівпровідниках
Під дією тепла або світла електрони можуть переходити з валентної зони в зону провідності. Вихід електрона викличе утворення дірки, яка повинна володіти додатнім зарядом, оскільки електрон виніс від'ємний заряд і локальна електронейтральність порушилась. Сусідні валентніе електрони можуть заповнювати дірку і, таким чином, вона може перемещуватися кристалом, залишаючись у валентній зоні. Переміщення дірок буде створювати електричний струм.
Ідеальний напівпровідник, в якому відутні домішки та дефекти, називаеться власним. У власному напівпровіднику концентрація електронів рівна концентрації дірок.
На енергетичному рівні в дозволеній зоні можуть знаходитись або електрон, або дірка. Тому для ймовірності знаходження дірки на заданому рівні можна записати fp(E)= 1 - f(E), де f(E) - ймовірність знаходження на цьому рівні електрона. При цьому, отримуючи енергію, дірка перемещується в глибину валентної зони.
Якщо E-F значно більше kT, то замість статистики Фермі-Дірака для розрахунку ймовірності заповнення енергетичних станів можна скористатись статистикой Больцмана:
Кількість вільних електронів та дірок відповідно в зоні провідності та валентній зоні можна обчислити, провівши інтегрування f(E)Nc(E) та fp(E)Nv відповідними зонами:
Використовуючи ці співвідношення, з умови електронейтральності можна обчислити положення рівня Фермі. Дійсно:
звідки:
Тобто для власного напівпровідника рівень Фермі лежить приблизно посередині забороненої зони та при підвищенні температури він поступово зміщується к тієї зони, для якої ефективна маса носіїв заряду менша.


Використана література:
Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая школа, 1978.
Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной электроники. -М.: Высшая школа, 1975.
Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.
Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Высшая школа, 1988.
Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: высшая школа, 1982.
Гершунский В.С. Основы электроники. - К.: Вища школа, головн. из-во, 1982.
Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.:Энергоатомиздат, 1985.
Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. - М.: Высшая школа, 1986.

Завантажити цю роботу безкоштовно



Реферат на тему: Енергетичний спектр електронів у напівпровідниках

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок