Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Рекомбінація електронів та дірок

Рекомбінація електронів та дірок

Назва:
Рекомбінація електронів та дірок
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
1,54 KB
Завантажень:
468
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Реферат на тему:
Рекомбінація електронів та дірок


Міжзонна рекомбінація та рекомбінація через проміжний рівень
Взаємодія електрона та дірки може призводити до їх рекомбінації, в результаті якої електрон повертається в валентну зону. Вільні електрон та дірка можуть як безпосередньо рекомбінувати (міжзонна рекомбінація) одне з другим (лівий рисунок на нижній картинці), так і через проміжний (рекомбінаційний) центр-ловушку (правий рисунок на нижній картинці). Ловушка захоплює спочтку носій з однієї зони (наприклад, електрон), потім носій з іншої зони (дірку). Таким чином, електрон переходить із зони провідності в валентну зону в два этапи. Рекомбінація через ловушки є характерною для таких материалів як Si, Ge, GaAs, які широко застосовуються в напівпровідникових приладах.
При рекомбинації через проміжний рівень ловушка спочатку захоплює носій одного знаку, припустимо електрон (1), і заряжується від'ємно (2). Потім вона захоплює носій іншого знаку - дірку (3), котра рекомбінує з локалізованим електроном і переводить ловушку знову в нейтральний стан (4)(див. нижній рисунок).
Таким чином, перехід електрона із зони провідності в валентну зону відбувається у два этапи:
I - із зони провідності на рекомбінаційний рівень,
II - з рекомбінаційного рівня в валентну зону (див. верхній рисунок)
На нижньому рисунку показані можливі процеси при взаємодії носіїв з дозволених зон з ловушками: захоплення електрона (1) с наступною його рекомбинацією (2), захоплення дірки (3) з наступною її рекомбинацією (4), емісія захопленого електрона (5), емісія захопленої дірки (6).
Рівняння неперервності
Якщо в напівпровіднику відсутні потоки носіїв заряду, то зміна їх концентрації может відбуватись тілько за рахунок генерації та рекомбінації:
dp/dt = Gp - Rp
dn/dt = Gn -Rn,
де Gp, Gn, Rp, Rn - характеризують генерацію електронів та дірок
Однак реальні процеси завжди відбуваються при наявності потоків заряджених частинок, тому в рівняння, що характеризує зміну заряду в заданому об'ємі (рівняння неперервності) повинна входити складова, яка враховуватиме потоки:
dp/dt = Gp - Rp - 1/q divJp
dn/dt = Gn - Rn + 1/q divJn,
де q - заряд електрона.


Використана література:
Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая школа, 1978.
Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной электроники. -М.: Высшая школа, 1975.
Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.
Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Высшая школа, 1988.
Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: высшая школа, 1982.
Гершунский В.С. Основы электроники. - К.: Вища школа, головн. из-во, 1982.
Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.:Энергоатомиздат, 1985.
Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. - М.: Высшая школа, 1986.

Завантажити цю роботу безкоштовно



Реферат на тему: Рекомбінація електронів та дірок

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок