Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Тірістори. Умова вмикання

Тірістори. Умова вмикання

Назва:
Тірістори. Умова вмикання
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
4,28 KB
Завантажень:
219
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3 
Реферат на тему:
Тірістори. Умова вмикання


Тірістори - багатошарові структури з електронно-дірковими областями, які чергуються. Двохелектродні тірістори називають діністорами, трьохелектродні - триністорами. Деколи тірістори називають кремнієвими керованими вентилями, що підкреслює їх основне призначення в силовій електроніці - управління потужністю на навантаженні. На рис.70 наведені приклади деяких можливих структур тірісторів та їх умовні графічні позначення.

Рис.70. Приклади структур тірісторів: діністори (а, г), керовані тірістори (б, в, д, е). Позначення: А - анод, К - катод, У - управляючий електрод.
Функціонально тірістори є електронними ключовими елементами, опір яких, при визначеній пороговій напрузі на них змінюється з високого (вимкнений стан) на низький (увімкнений стан). Діністор має постійний поріг спрацювання, поріг триністора може змінюватись струмом управляючого електрода. Приклад характеристик діністора наведений на рис.71,а та триністора на рис.71,б.

Рис.71. Схематичне подання вольтамперних характеристик тірісторів: а) діністор; б) триністор. Значення струму управляючого електрода Iу0 = 0, Iу1<Iу2.
До катоду тірістора прикладується від'ємна напруга, до аноду додатня, тому центральний pn перехід для закритого тірістора (т.А на рис.71) виявляється зміщенним у зворотньому напрямку.
Відповідні енергетичні діаграми для областей тірістора показані на рис.72. Центральний, змещений у зворотньому напрямку перехід можна розглядати як колектор для розміщеного зліва pnp транзистора та розміщеного справа npn транзистора. Дійсно, він збирає та перекидує в сусідню область неосновні носії заряду (дірки зі сторони n - бази та електрони зі сторони p- бази), які підходять до нього. Як видно з діаграми рис.72, n та p бази тірістора є потенційними ямами, відповідно, для електронів та дірок, як згенерованих у їх об'ємі, так і тих, які поступають через колекторний перехід.

Рис.72. Енергетичні діаграми pnpn структури тірістора у вимкненому стані (т.А) та увімкненому стані (т.В). Пунктиром позначене положення рівнів Фермі.
згенеровані в області ОПЗ колекторного переходу електрони та дірки розділяються полем цього переходу та надходять, відповідно, в n та p бази (див. лівую діаграму рис.72. Для закоитого тірістора (т.А) кількість неосновних носіїв, які надходять в базу за ррахунок теплової генерації в області бази та області ОПЗ коллектора дорівнює кількості носіїв, які рекомбінують в базі і виходять через емітерний перехід, що створює тепловий струм закритого тірістора (відповідає т.А). При цьому висота бар'єрів емітер-база для pnp та npn транзисторів є близькою до відповідних значень контактних різниць потенціалів.
При збільшенні напруги колекторного переходу, в області ОПЗ колектора розпочинається лавине розмноження неосновних носіїв, що викликає зростання потоків електронев та дірок і їх накопичення у відповідних базах. Поява додаткового від'ємного заряду електронів в n базі спричиняє привідкривання емітерного переходу pnp транзистора та інжекції дірок, заряд яких нейтраліує накопичений в базі заряд електронів. Поява додаткового додатнього заряду дірок в p базі спричиняє привідкривання емитерного переходу pnp транзистора та інжекції електронів, заряд яких нейтралізує накопичений в базі заряд дірок. Інжектовані додатково носії через колектор попадають в сусідню базу, що сприяє подальшому відкриванню відповідних емітерних переходів та наростанню струму. Процес буде повторюватись до тих пір, поки не буде досягнуто гранично моживого струму в даному колі, який зумовлений зовнішнім навантаженням (якщо навантаження активе, то це Imax ~ Eк/Rн). При цьому тірістор переходить в увімкнений стан (т.В на рис.71), в якому він володіє мінімальним опором. В цей час як pnp транзистор (в подальшому будемо пов'язані з ним величини позначати індексом "p"), так і npn транзистор (в подальшому будемо пов'язані з ним величини позначати індексом "n") попадають в режим насичення. Схематичний розподіл носіїв у базах тірістора для вимкненого та увімкненого станів показані на рис.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3 



Реферат на тему: Тірістори. Умова вмикання

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок